Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов

Номер патента: 543886

Авторы: Добровольскис, Кроткус, Репшас

ZIP архив

Текст

Союз Советскин Социалистицескин Республик(5) М, Кл,е 6 01 Й 27/О присоединением заявки3) Приоритетооударстеенный немет Совета Мнннстров ССС оо делам нзобретеннйи открытей(45) Дата опубликования отисания 1,08,7 Авторыизобретенн э Дуброво;ьсЯ 1 с Д И л.;эткус и 1;. 11 щ,. 1:еиирс КрасОГО оыакени 1;ститт с изикиН Литовской СОР рдена Трудовог олупроводников) УСТРОИСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОЕМ.НИЯ ВО(Ь 1-:.,Р 1 ПЕ 11.Ых ХЛРЛКТИ ИСТИК ПОЛ 1 Т ОВО;и-;И КОИ;11 1:1 ТЕ Н,МО Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться для иссле- дОВания полупроводни 1.овых матерлалОВ.Известны устройства для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов.Одно из известных устройств для иссле- дования Вольтахерных характеристик полу- проводниковых материалов используют при измерениях наносекундный импульс, сформиро О ванный ртутным реле и содержит подключенные к исследуемому образцу сопротивле- ния, индикаторный прибор, Однако в связи с нарушением однородности коаксиальной линии проведенные измерения содержат пог-1 б решности 3.Наиболее близким техническим решением к изобретениео является устройство для исследования вольт-амперных характеристик полупроводниковых материаловсодержащее 111 последовательно соединенные генератор, ргу-". ное реле и коаксиальную измерительную линию, резистивный зонд, стробоскопический осциллограф и двухкоординатный самописец С 23. ЦИ 1 более с"ьих,"1 Ве 1 в 1;1 м еда татком тае ко 1-О устройства 111;11 Отс я низ 1 ая 1 розводи. ТЕЛЬИОСТЬ ИЗ 1 Д:.РЕ;,1 И 1.1 АЕЛЬ ИЗООН:.ТРИЛ " ПО 11.ИС 11 ИО 1 И 1 ОИЗВО П 1.Р;,ЬНР( ТИ;: с;, -,-т 1Для лост 1.же 1 и 1 Остаы 1 е 1111 ой 11 О 11 и В уст ОЙСТВО Д 11 Я ИСС:. :Она 111 ВОЛЬТ - а,11 Е 1111 к"1 (те 11 гк И 1 " ,рво:ичзьх11 е 1.иалОВ содержащее последовательно соедшеш 1 ые генератор, ртутное реле и коаксиалы 1 у 1 О из" мерительную дин 1 ио, резистивный зо 11 л, стробоскопический осциллограф и двухкоорд 1 ц 1 аъ ный самописец, введены второй резистивный зонд с строооскопическим осциллографом, ОГ- раничитель тока, линия задержки и аналоговая вычислительная машина, причем второй резистивны 11 зонд соединен с входом второго стробоскопического Осциллографа к другому входу которого подкачена линия задержки, соединенная с входом первого стробоскопического осциллографа, а Ограничитель тока вкл 1 от 1 ен мсжду входом коаксиальной ИЗМЕРИГЕЛЬНОй ЛИНИИ И ВХОДОМ ВВЕДЕИНОГО стробоскопического Осциллографа, к. Выходам стробоскопических Ос 1 н 1 ллогРафов подключеСоставитель О, ТихоновРедактор й, Комаров Техред Н. Андрейчук Корректор Ж, кестлерЗаказ 789/62 Тираж 1052 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 Филиал ППП "Патент", г, Уж род, ул. Проектнаи, 4

Смотреть

Заявка

2183804, 04.11.1975

ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

ДОБРОВОЛЬСКИС ЗИГМАС ПРАНО, КРОТКУС АРУНАС ИОНО, РЕПШАС КОНТИНАС КОНСТАНТИНО

МПК / Метки

МПК: G01R 27/00

Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, характеристик

Опубликовано: 25.01.1977

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-543886-ustrojjstvo-dlya-issledovaniya-voltampernykh-kharakteristik-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты