Матрица памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 248776
Автор: Берг
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 248776 Союз Советских Содчалистических РеспубликТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства1232925/18-24 аявлено 15. Ч,196 л, 21 а 1, 37/ Комитет по делан изобретений и открцти при Совете Министров СССРПК 6 11 с оритет Опубликовано 18,Ч 11,1969. БюллетеньДата опубликования описания 26,11,197 УДК 681.327,66(088.8 Авторизобретени И, В, Берг аявите МАТР АМЯ делены бороздками 4, доходящими до подложки, доведены шлифованием до требуемой толщины и на иих нанесена печатная обмотка 5.Взаимодействие ячеек устраняется разделением ферритовой пластины бороздками, а разброс - дублированием ячеек. Ячейка памяти в данном случае представлена четырьмя отверстиями - по два с каждой стороны изоляционной пластины, При проверке в случае необходимости можно вырезать ячейку с плохими электрическими параметрами и заменить ее новой. магнитным зап Матрица памяти на магнитных элементах, отличающаяся тем, что, с целью увеличения плотности ячеек и уменьшения разброса параметров, она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкойпричем ячейки памяти отделены одна от другой бороздками, проходящими вдоль и поперек пластины и доходящими до изоляционной подложки. присоединением заявкиИзобретение относится ко.минающим устройствам,Известны матрицы памяти на многоотверстных ферритовых пластинах.Однако быстродействие, надежность и плотность упаковки в таких матрицах ограничены,что обусловлено взаимным магнитным влиянием расположенных рядом ячеек памяти (приувеличенни токов одного отверстия происходит нежелательное воздействие на слой, окружающий соседние отверстия).Цель изобретения - увеличение плотно стцячеек и уменьшение разброса параметров,Описываемая матрица, памяти отличаетсятем, что она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкой, причем ячейки памяти отделены однаот другой бороздками, проходящими вдоль ипоперек пластины и доходящими до изоляционной подложки. 20На чертеже представлена конструкция предлагаемой матрицы.К изоляционной подложке 1 приклеены ферритовые,пластины 2, В пластинах ультразвуком просверлены отверстия 3. Пластины раз Предмет изобретениЗаказ 25/7 Тираж 480 Подписно ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва Ж-З 5, Раушская наб д, 4/5 ипография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1232925
И. В. Берг
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-248776-matrica-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матрица памяти</a>
Предыдущий патент: Устройство контроля лшогоотверстных ферритовыхпластин
Следующий патент: 248777
Случайный патент: Знакосинтезирующий индикатор