Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 207486
Автор: Рыгалин
Текст
20748 б ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сокга Совстскик Социалистических Республикт. свидетельстваЗависимое от аявлено 23,Х 11,1966 ( 1120703/26-24 Ел, 42 пт, 14 21 а 1 37;4 м заявкирисоедине Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров СССРПриоритетОпубликовано 22,Х 11,1967. БюллетеньДата опубликования описания 22.П.1968 МПК б 061 Н 031 УДК 681.327.2(088.8)Авторизобретения ыгалин аявител ЛЕМЕНТ ПАМЯТ четем, ой емющую афраг- диняюУже известны элементы памяти, содержащие параметрические преобразователи.Цель изобретения - увеличить информационную емкость. Достигается что тем, что предложенный элемент содержит замедляющую коаксиальную структуру, например диафрагмированный коаксиальный кабель, соединяющую выход преобразователя, выполненного, например, на нелинейном сопротивлении, со входом преобразователя, выполненного, например, на нелинейной емкости. На чертеже показан элемент памяти, Он состоит из двух Т-образных мостов А и Б, соединенных волноводом накачки. Мост А представляет собой повышающий параметрический преобразователь на нелинейной емкости, мост Б - понижающий преобразователь на нелинейном сопротивлении. Повышающий преобразователь А имеет два входа: волноводный 1 для ввода сигнала накачки и коаксиальный 11 для ввода управляюшего сигнала. В прямоугольном волноводе накачки установленараметрический полупроводниковый диод НС с нелинейной емкостью р - гг перехода, соединенный с центральным проводником коаксиального волновода П. Выходное плечо П 1 преобразователя А служит входом преобразователя Ь", в котором установлен смеси- тельный диод НЛ. Выходное плечо 17 преобразователя Б через замедляющую коаксиальную структуру ЗС, представляющую собой диафрагмированный волновод, соединено с входным плечом 5 П преобразователя А. Фильтры Ф служатдля предотвращения прохождения сигнала накачки в плечи П и 1 КВ результате параметрического взаимодействия управляющего сигнала с частотой , и О сигнала накачки с частотойна нелинейнойемкости р - гг перехода диода НС образуются комбинационные сигналы Г и , котооые демодулируются в преобразователе Б.Усиление в преобразователе А превосходит 5 потери в преобразователе Б. Часть усиленного выходного сигнала с частотой , поступает через замедляющую коаксиальную структуру ЗС на вход повышающего преобразователя А. Таким образом, осуществляется замкнутая О цепь циркуляции информации,Предмет изобретения 25 Элемент памяти, содержащий парамеские преобразователи, отличающийся что, с целью увеличения информационн кости элемента, он содержит замедля коаксиальную структуру, например ди 30 мированный коаксиальный кабель, соеТираж 530 Подписнобретений и открытий при Совете Министров СССРЦентр, пр. Серова д. 4 итета по делам Москя пр Сапунова д 2 ипогр Зака ЦНИ 38/ ПИ входом преобразователя, выполненного, например, на нелинейной емкости.
СмотретьЗаявка
1120703
В. Г. Рыгалин
МПК / Метки
МПК: G11C 13/00
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-207486-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: 207485
Следующий патент: Опознаватель с л входами и с группамивыходов
Случайный патент: Способ контроля корпуса конической зубчатой передачи