Элемент памяти

Номер патента: 245179

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Клейман

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, пленочиых, ферритовых, элементов

...тока в дуговом разряде, приводя щую к неоднородности пленки; появление примесей; испарение в очень маленькой лунке, а не с поверхности пластины, что ухудшаег свойства пленок, вызывает малую скорость роста и неоднородность пленок, 25При предложенном способе все перечисленные недостатки исключены. Способ заключается в том, что источник феррита нагревают до температуры, при которой возрастает электропроводность феррита, например до 300 - 400 С, Зо после чего источник феррита нагревают токами высокой частоты.Способ поясняется чертежом.Источник феррита в виде ферритовой пластины 1 нагревают электрическим нагревателем 2 до температуры примерно 300 в 4 С, При этом электропроводность феррита значительно возрастает. Дальнейший нагрев и...

Номер патента: 394849

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, элемент

...схемы усилителя считывания, Однако эти методы заметно усложняют электронику управления запоминающего устройства.В предлагаемом элементе памяти для по вышения помехоустойчивости заземляют магнитную пленку, которая, кроме выполнения функций запоминания информации, служит в качестве электростатического крана. Предлагаемый элемент памяти, экспериментально исследованный, бьл изготовлен на основе магнитной пленки, нанесенной на медный 10 провод в стеклоизоляцип. Провод в стеклоизоляции получали методом литья; диаметр медного провода д=0,1 лл, тотщна стеклонзоляции - 15 - 20 лкл, 1-1 а нее хлическим путем осаждали слой Ля (0,3 лкл), затем ( и 15 (1,0 лкл) и, наконец, электролитическим методом наносили пленку ГеМ (1,0 лкл), Уйагнитную...

Номер патента: 371615

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Борисов, Поспелов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...электрод б.5 Элемент паьмяти работает следующим образом,При подаче постоянного напряжения на управляющий электрод б оно распределяетсямежду пленками 4,и б пропорционально их10 сопротивлениям. Так как поляризация диэлектрика пленки 4 обладает пороговым свойством, то сопротивления пленок 4 и б подбирают так, чтобы без освещения поляризация и,следовательно, запись не происходили.15 При освещении пленки б через полупрозрачный электрод б его сопротивление резко падает и все поданное на управляющий электрод напряжение оказывается птриложено к 20 пленке 4, вызывая ее поляризацию, т, е.запись; освещение при другой полярности поданного напряжения приводит к стиранию информации. Например, пленка из ЯзИ 4 толщионой 500 А,и...

Номер патента: 881860

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Куварзин, Лихацкий, Яковлев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...изолирующийслой и нанесенный на него третий управляющий слой поликристаллическогополупроводникового материала, третийизолирующий слой нанесен частично навторую легированную область подложки, второй управляющий слой и частично на поверхность первого управляющего слоя.На чертеже представлено предлагаемое устройство.Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1 р-типа с поверхностной концентрацией примеси5 10 -5 10 Ь см- с расположеннымив ней высоколегированными областямии-типа 2, являющимися областями истока и стока, На полупроводниковойподложке расположен первый слой поликрмния 3, изолированный от подложкн слоем диэлектрика 4. Диэлектрический слой 5 изолирует второй слойполикремния б от подложки 1 и первого слоя поликремния 3. Над...

Номер патента: 632991

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Лабунов, Можухов, Родионов, Сокол

МПК: G05D 5/03

Метки: металлических, нанесением, пленок

...в процессе нанесения, а управляющее воздействие на источник наносимого металла формируют по отношению приращения проводимости металлической пленки к приращению массы,Принципиальное отличие предложенного способа управления нанесением металлических пленок от известного заключается в том, что, в ссютветствии с предложенным способом, на протяжении всего процесса нанесения пленки осутцествляют непрерывную коррекцию уиравляющуго сигнала с учетом зада ваемой закономерности изменения отношения приращения проводимости и массы наносимой пленки. Обеспечение поддержания во времени заданного соотношения приращения проводимости (структурно-чувствительного параметра) и приращения массы (геометрического параметра - приращения толщины) позволяет...