Двухдырочный элемент памяти из ферритовогоматериала

Номер патента: 238596

Авторы: Бекин, Иль, Рудаков

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства чоЗаявлено 04.т.1963 1 840155/26-24) л, 21 ат, 36/16 присоединением заявки Х МПК Н 031(УДК 681.142(088.8 При орите Комитет по деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР Опубликовано 10.111.1969. ЬюллстсиьЛата опубликования описания 14 Л 11.1969 Авторыизобретения И. Илья ко, В. ф. Рудаков и Б, С, Бекин Заявитель ДВУХДЫРОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПА МАТЕРИАИ ИЗ фЕРРИТОВОГ Предлагаемый элеме чертеже,Известны ферритовые элементы памяти с неразрушающим чтением записанной информации (трансфлюксор, тороидальное кольцо с диаметоальными отверстиями, биакс и др.).Предлагаемый элемент памяти из ферритового материала отличается от известных тем, что он выполнен в виде двух тороидов, расположенных в одной плоскости и имеющих общую перемычку, причем площадь поперечного сечения магнитопровода первого тороида равна площади поперечного сечения общей пеоемычки, а площадь поперечного сечения магнитопровода второго тороида равна или меньше площади поперечного сечения общей перемычки, Это помогает осуществлять неразрушающий опрос хранимой информации,Для получения зависимости величины выходного сигнала от направления тока опроса обмотка неразрушающего опроса проходит через отверстие второго тороида, а обмотки записи разрушающего считывания и съема выходного сигнала пропущены через отверстие первого тороида, Обмотка допорогового смещения также пропущена через отверстие первого тороида, что позволяет увеличить амплитуду выходного сигнала и улучшить отношение сигнал - помеха при неразрушающем опросе.нт памяти изображен Он состоит из двух тороидов 1 и 2, имеющих общую перемычку 8, площади поперечных сечений которых обозначены соответственно 5 5 5 з. Запись информации в элемент 5 осуществляется любым из известных способов, как в обычное кольцо, изготовленное из феррита и имеющее размеры тороида 1,Обмотка записи- 5 проходит через отверстие тороида 1, а обмотка опроса б - 7 прони О зывает стверстие тороида 2. Считываемый шяходной сигнал снимается с обмотки 8 - 9 сье.ма выходного сигнала, которая прошивается через отверстие тороида 1.Пусть в элементе записана единица, т. с.15 остаточный магнитный поток после окончаниятока записи, подаваемого по обмотке 4 - 5 по направлению стрелки 10, имеет направление в тороиде 1, указанное стрелкой 11. При подаче тока опроса по обмотке б - 7 в направлении 20 стрелки 12 возникает поток, который в тороиде 2 награвлен по стрелке 18. Этот поток частично замыкается вокруг отверстия тороида 2, а частично ослабляет поток в тороиде 1, направленный по стрелке 11, Ослабление по тока в тороиде 1 происходит вследствие того,что динамическая магнитная проницаемость этого тороида (исключая общую перемычку) имеет большую величину для поля, созданного током опроса, Уменьшение потока приводит ЗО к индуцированию большого выходного сшна:Заказ 599 5 ираки Ц 11 ИИГ 1 И Комитета ио и открытий при СоветеМосква, Центр, пр, 80 Подписноеделам иаобретеииГ Министров СССР Серова, д. 4 ипографии, пр, Сапунова,ла в обмотке 8 - 9. Если ампер-витки опроса не превышают определенной величины, то по окончании импульса тока опроса поток в тороиде 1 восстанавливается до значения, близкого к первоначальному, за счет обратимых процессов изменения намагниченности. При последуюгцих опросах устанавливается такой режим, когда дальнейшего уменьшешя потока в тороиде 1 не происходит.Важной особенностью предлагаемого элемента памяти является то, что при значительном увеличении ампер-витков опроса невозможно изменить направление остаточного готока записи, так как насыщение тороида 2 происходит раньше, чем изменение направления потока в тороиде 1. Пусть теперь в элементе записан нуль, т. е, остаточный поток записи направлен противоположно стрелке 11: При подаче тока опроса по обмотке б - 7 в прежнем направлении по стрелке 12 возникающий поток опроса в тороиде 2 не может ослабить поток в тороиде 1 (исключая общую перемычку), так как динамическая магнитная проницаемость этого тороида имеет малую величину для поля, созданного током опроса (в случае ъатериала с ППГ динамическая магнитная проницаемость д = 0). При этом в выходной обмотке 8 - 9 наводится малый сигнал (помеха). Если теперь изменить направление тока опроса в обмотке б - 7, то в случае записи единицы в выходной обмотке 8 - 9 наводится малый сигнал (помеха), а в случае нуля - большой.Таким образом, величина выходного сигнала зависит от направления приложенного опросного поля, что делает возможным использование элемента для осуществления логической операции несоответствия (ИЛИ с исключением) ЛВЪЛВ, где А соответствует хранимой информации, В - опросной. Однако при изменении направления тока опроса (при неразрушающем чтении) амплитуда первого малого сигнала (помехи) значительно больше ее установившегося значения. Вследсгвие этого для увеличения отношения сигнал - помеха при выполнении логической операции несоответствия необходимо использовать двай описанных элемента памяти на один двоичный разряд.Значительное повышение величины выходного сигнала и увеличения отношения сиг над - помеха получается при пропускании пообмотке 14 15 тока допорогового смещения, создающего в тороиде 1 поле того же направления, что и ток записи, пропускаемый по обмотке 4 - 5.10 Г 1 редлагаемый элемент памяти может бытьприменен в адресном оперативном запоминающем устройстве с неразрушающим считыванием информации, в запоминающем устройстве с внутренней распределенной логикой (на пример, ассоциативном), в долговременномзапоминающем устройстве с большой скоростью извлечения записанной информации. Предмет изобретения20 1. Двухдырочный элемент памяти из ферритового материала, снабженный обмотками съема выходного сигнала, неразрушающего опроса, записи и разрушающего считывания, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью осуществл ния неразрушающего опроса хранимой информации, он выполнен в виде двух тороидов, располокенных в одной плоскости и имеющих общую перемычку, причем площади поперечного сечения магнитопровода первого тороида 30 и общей перемычки равны, а площадь поперечного сечения магнитопровода второго тороида равна или меньше площади поперечного сечения общей перемычки.2. Элемент памяти по п, 1, отличаюи 1 ийся 35 тем, что, с целью получения зависимости величины выходного сигнала от направления тока опроса, обмотки записи разрушающего считывания и съема выходного сигнала пропущены через отверстие первого тороида, а 40 обмотка неразрушающего опроса - через отверстие второго тороида.3. Элемент памяти по пп. 1 и 2, отличаюи(ийся тем, что, с целью увеличения амплитуды выходного сигнала и улучшения отношения 45 сигнал - помеха при неразрушающем опросе,обмотка допорогового смещения пропущена через отверстие первого тороида. Редактор Б, Б. ФедотовТсхрсд Т. П. КурилкоКорректорви А, Абрамова и Е. Ласточкин

Смотреть

Заявка

840155

Е. И. Иль шенко, В. Ф. Рудаков, Б. С. Бекин

МПК / Метки

МПК: G11C 11/08

Метки: двухдырочный, памяти, ферритовогоматериала, элемент

Опубликовано: 01.01.1969

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-238596-dvukhdyrochnyjj-ehlement-pamyati-iz-ferritovogomateriala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Двухдырочный элемент памяти из ферритовогоматериала</a>

Похожие патенты