Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 262972
Авторы: Ефремова, Райторовский
Текст
,л 2 2972 О Союз СоветскихСоциалистически Республик ЗОБРЕТЕНИЯ РСКОМЮ СЕИДИтЕЛЬСтВЬ Зависимое от авт, свидетельства ЪеЗаявлено 08.Ч 1,1968 ( 1246845/18-24) 21 ат, 37/ исоединением заявкиКомитет ло деламобретений и открыт МПК Ст 11 ПриоритетОпубликовано 04.11Дата опубликовани 681.327.66 (088.8) О. Бюллетень7писания 2.Ч 1,1970 вете Министров СССР Авторызобретения. М. Райторовский аявит ЕМЕНТ ПАМЯТИ к области электрон- и, а именно к областв цифровых вычисит И ричесрых в тонкойрубка мате 10 цилин в кот ения яиная дящег яти наенке,нанея стекпрово ой кач пле или йственочн устрос и. яется элемала а и ого мента,Описываемый элемент памяти отличается от известных тем, что в нем провод записи - считывания последовательно соединен с магнитной пленкой так, что сигналы, индуцированные при считывании в проводе и пленке, суммируются. Это дает возможность увеличить амплитуду выходного сигнала н уменьшить ток записи.Устройство показано на чертеже, где 1 - числовой провод; 2 - провод, соединяющий конец внутреннего проводника с началом тонкой магнитной пленки; 3 - пермаллоевая пленка; 4 в диэлектр; 5 в внутренн проводни,к.Амплитуда считываемого сигнала описываео элемента вдвое превышает амплитуду нала обычного элемента, где в качестве обре ния дме лагнитной плен- диэлектричесс проходящим и - считывания, ью увеличения ия тока запис, оследовательно так, что сигнавании в провомог сиг зобретение относитсяычислительной техникзапоминающих устройельных машин.звестны элементы павтонкой магнитной плестве подложки длянки используется полатонкая проволока изпа.едостатком известныхя амплитуда сигнал%-"НИ- Е 6 провода считывания - записи используется только внутренний проводник,Применение данного элемента памяти в накопителях большого объема ограничивается увеличением времени распространения сигнала и характеристического импеданса разрядной линии. Сопротивление пермаллоевой пленки в несколько раз превышает сопротивление медного провода, Однако сопротивление пленки может быть значительно снижено увеличением ее толщины или толщины металлического подслоя, Таким образом, применение предложенного элемента памяти в накопителях среднего и малого объема весьма целесо. образно, так как значительно улучшает параметры ЗУ. Элемент памяти на тонкои в ке, нанесенной на поверхность кой цилиндрической подложки внутри нее проводом запис от.тпчаоц 1 айся тем, что, с цел выходного сигнала и уменьшен провод записи - считывания п соединен с магнитной пленкой лы, индуцированные прн считы де и пленке, суммируются.262972Составитель В. Г, СтраховРедактор А. В. Корнеев Техред А. А, Камышникова Корректоры: 3. Полетаева и А. Николаева Заказ 1327/1 Тираж 500 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, К, Раушская паб., д. 4,5Типография, пр. Сапунова, 2
СмотретьЗаявка
1246845
А. М. Райторовский, Л. В. Ефремова
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14, G11C 5/04
Опубликовано: 01.01.1970
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-262972-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Легкоплавкое стекло для соединения элементов магнитных головок
Номер патента: 1319487
Опубликовано: 30.09.1994
МПК: C03C 3/072
Метки: головок, легкоплавкое, магнитных, соединения, стекло, элементов
ЛЕГКОПЛАВКОЕ СТЕКЛО ДЛЯ СОЕДИНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК, включающее PbO, B2O3, SiO2, Al2O3, Bi2O3, отличающееся тем, что, с целью повышения микротвердости, оно дополнительно содержит ZnO и Y2O3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:PbO 54-64,4B2O3 10,4-11SiO2 2,6-3Al2O3 0,1-1Bi2O3 15-22ZnO 5,7-6Y2O3 0,2-4,5
Легкоплавкое стекло для спаивания элементов магнитных головок
Номер патента: 1763402
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: C03C 8/24
Метки: головок, легкоплавкое, магнитных, спаивания, стекло, элементов
...температур 20 - 300 С; температура растекания Триест при которой краевой угол смачивания ферритовой подложки становится менее 15 О; микротвердость по Виккерсу Нч, измеренная при нагрузке на индентор, равной 100 г; химическая устойчивость - потери массы образцов РЬ и ри кипячении в дистиллированной воде в течение 8 часов; глубина затекания Ь в зазор между ферритовыми магнитопроводами шириной 1,0 - 1,5 мкм при температуре растекания,Стекла синтезируются в платиновом тигле при температуре.1250 - 1300 С, Рас текаются при столь же низкой температуре, что и стекло-прототип, Хорошо согласуются по термическому расширению со всем марганец-цинковыми ферритовыми и не магнитными керамическими материалам. магнитных головок. Характеризуются удов...
Усилитель считывания для матрицы однотранзисторных запоминающих элементов
Номер патента: 661605
Опубликовано: 05.05.1979
МПК: G11C 11/40, G11C 7/06
Метки: запоминающих, матрицы, однотранзисторных, считывания, усилитель, элементов
...геометрические размеры, крутизну и пороговыенапряжения, а емкости шин 15 и 16равны, усилитель считывания можетобнаружить бескояЕчно малую разницу напряжений в фиктивной и рабочейячейках,Б реальной схеме существует несимметрия. Плеч триггера из-за разницы пороговых напряжений транзисторов 1 и 2, геометрических размерових каналов, емкостей шин 15 и 16.Эта,несимметрия приводит к тому,что требуется вполне определенная минимальная величина разности напряжений в рабочем и Фиктивном элемен" те памяти, зависящая от величины разбаланса плеч триггера считывания, Основной вклад в него дает разность пороговых напряжений транзисторов 1 и 2, котоця принципиально ограничивает чувствительность усилителя величиной этой разности, а также разбаланс...
Способ записи информации в запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка
Номер патента: 699565
Опубликовано: 25.11.1979
Авторы: Гаврилов, Милославский
МПК: G11C 11/08, G11C 7/00
Метки: записи, запоминающий, информации, линейка, магнитного, модуляцией, сопротивления, типа, ферритовая, элемент
...им пульсов тока чередующейся полярности.На фиг. 1 изображена временная диаграмма адресного и разрядного токов в режиме записи предложенным способом; на фиг. 2 изображен запоминающий элемент с модуляцией магнитного сопротивления типа ферритовая линейка, прошитый адресной и разрядными шинами.Предложенный способ записи был реализован в запоминающем устройстве объемом 256 чисел. В режиме записи адресный 15 ток в виде последовательности пачек импульсов чередующейся полярности (см. фиг. 1) формировался в адресной шине, прошитой через опросные отверстия ферритовой линейки. Одновременнопо разрядным шинам, прошитым через информационные отверстия ферритовой линейки, подавались разрядные токи той или иной полярности в зависимости от записываемой...
Способ контроля магнитных накопителейс записью сигнала по двум уровням
Номер патента: 842974
Опубликовано: 30.06.1981
Авторы: Аржеухов, Исаев, Степанова, Ускова
МПК: G11C 29/00
Метки: двум, записью, магнитных, накопителейс, сигнала, уровням
...к усилителю 31 записи. Выход 13 элемента ИЛИ 10 соединен со входом элемента 40 задержки и узлом 42 контроля, вход которого соединен с блоком 4 управления, а выход - со схемой 22 фиксации сбоя, Выход анализатора 41 соединен с нулевым входом триггера 43, единичный вход которого соединен с блоком 4 управления. Выходы триггера 43 подключены к управляющим входам элементов И 44 и 45, выходы которых подключены к элементу ИЛИ 46, выход которой соединен с выходом устройства. Элемент 40 задержки через преобразователь 47, который преобразует инвертированные при записи последовательности в прямой код, соединен с информационным входом элемента И 44 и непосредственно к информационному входу элемента И 45.На фиг. 2 представлены временные диаграммы, где...