Ячейка памяти

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ у .,чт Олгюа;.;, 3 Фъ 1.,где ф . 26770 Сова Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельствас,л, 21 а, 37/э 2 69 ( 1308498/18-24) Заявлен исоединением заявкис 27/00 Приорит Комитет по деламобретениИ и открытиЯри Совете МинистровСССР УДК 681.32.02 (088,8 публикогано 02,17.1970. Бюллетень13ата опубликования описания 6.Ч 111.1970 И, Сапрон витель ЕЙКА ПАМ 5 Элемент соде зионные област таллические эл изолированный затвора, допол ные металличе рованную плен вторызобретения Г. Ф, Василь Йзобретение относится к интегральным схемам и может найти применение при создании запоминающих блоков электронных счетных машин и других радиоэлектронных устройств.Известны ячейки памяти, содержащие 5 структуру металл - окись - полупроводник МОП-структура) с системой электродов для подачи потенциала заданной полярности на электрод затвора.Однако они сложны и громоздки. 10 Описываемая ячейка отличается тем, что в ней электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолированными электродами управления, а между электродом затвора и электро дами управления размещена изоляционная пластина.Это упрощает конструкцию и уменьшает габариты элемента.На фиг. 1 и 2 показаны варианты предло жецного элемента; на фиг. 3 - его принципиальная схема. ржит полупроводник 1, дцффуи 2, изолирующий слой д, ме ектроды 4 и б (исток, сток),металлический электрод б нительные взаимо изолированские электроды 7 и 8 и изолиЛ, Соловьев и Н, Ф. Козл На кремниевой илц же другого полупроводника подложке известной технологией МОП- структур создают изолирующий слой 8 с окнами, в которые проводится диффузия. В результате диффузии в полупроводнике образуются диффузионные области 2. В местах диффузионных областей ца изолирующем слое между ццъц 1 нанесены металлические электроды 4 - бМеталлический электрод затвора частично проходит под доцолццтельцыми взаимно изолированными металлическими электродами 7 ц 8, от которых он изолирован пленкой 9. В устройстве, показанном н фцг. 2, между электродами 7 ц 8 выполнен зазор,Элемент цямятц работает следующим образом.Предположим, что в исходном состояшш элемента канал МОП-структуры закрыт, При подаче ця электрод 8 сигналя записи информации Е, цз электрода 8 ня электрод 7 поцдет элсктрцческцц ток, например автоэмцссцц, через диэлектрик. В результате электрод затвора получит потенциал, равный по знаку, цо меньший ца величину падения в пленке 9. По достижении потенциала на электроде б вели шны потенциала порога индуцировация канала в МОП-структуре открывается канал, и на электроде Е появляется сигнал, 267701Для перевода элемента в исходное положение на электрод 8 подают сигнал противоположного знака.Пленка 9 может быть как диэлектрической, так и полупроводниковой. В последнем случае контакты электродов 6 - 8 с этой пленкой должны быть не выпрямляющими для сигналов различной полярности. Конструкция пленки 9 может быть иной, например пленка может покрывать только электрод 6,Если электроды расположены как показано на фиг. 2, роль диэлектрического или полупроводникового слоя может выполнять пленка 3 (чисто диэлектрическая или с полупроводниковым покрытием). В последнем случае заряд электрода 6 может быть осуществлен не только током автоэмиссии или фотоэмиссии, как в первом случае, но и током разряда, иницируемым между электродами 7 и 8.В этом случае прибор работает аналогично. При этом обеспечивается хорошая изоляциязатвора МОП-транзистора от всех элементовсхемы.5 Предмет изобретения1. Ячейка памяти, содержащая структуруметалл - окись - полупроводник с системой электродов для подачи потенциала заданной 10 полярности на электрод затвора, отличаюи 1 аяся тем, что, с целью упрощения элемента и уменьшения габаритов, электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолированными элек тродами управления.2. Ячейка памяти по п. 1, отличающаясятем, что, с целью увеличения надежности работы, между электродом затвора и электродами управления размещена изоляционная 20 пластина.267701 г.З Составитель В. М. ЩегловРедактор Л. А. Утехина Техрсд Л. Я. Левина Корректор С. А. Кузовеикова ипография апунова,Заказ 2137/7 ТираЦНИИПИ Комитета по делам изобретенийМосква, Ж, Рауш 480 открытийкая наб.,Подписное и Совете Министров СССР