Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 210221
Авторы: Ленинградский, Тимофеев
Текст
221 оюэ СоеетскикциалистнческикРеспублик Н ТЕДЬС СКОМ Зависимое от авт. с детельстваМ 1127147/26-24)а 1, 37/ аявлено 23.1.196 исоединением заявкикомитет по делаю игобретеиий и открытий при Совете Министров СССРПриоритет 1,327,66 (088.8) ликовано 06.11,1968. БюллетеньДата опубликования описания 10,1 Ч,1 Лвтор зобретения О, Тимофее инградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) Заявител МЯТИ Извесген элемент памяти йа сердечнике с диаметральным отверстием из материала с прямоугольной петлей гистсрвзиса, в котором числовые обмотии нвстирающего считывания информации проходят через диаметральное отвврстие сВрдеъников, а выходные раэрядные обмотии проходят через основное отвврстие. Обмотии запиои проходят через оонавное отверстие, и зались ннформации может осуществляться либо совпадением коор динатных таков, либо совпадением числового и разрядного токов. Однако в таких элементах крайне незначительны выходные сигналы, так как нестихающее считывание информации оснавано на принципах считывавия попвреч ны,м полем.Особенность предлагаемого элемента заключается в том, что на каждом сердечнике размещаются тэльио две обмотии - числовая и разрядная, прохадящие согласно через 20 аснаьное отввр,стиеи встречно через диаметральное отверстие сердечника.Такое выполнение элемента памяти позволяет увеличить амплитуду выходных сигналов. Кроме того, в описываемом элементе амплитуды всех числовых и разрядных токов ограничиваются только снизу, что снижает трвбования к стабильности амплитуд токов и упрощает их фармирование.На фиг. 1 схвматически изображен элвмвнт 30 памяти, общий вид; на фиг. 2 - диапрамма переходов состояний элемента памяти; на фиг. 3 изображено запоминающее устройство на предложенных элементах, общий вид.Описываемый элемент памяти содержитсердечник с диаметральным отверспием 1, числовую обмотку 2 и разрядную обмотку 3,Переходы сердечника с диаметральным отверстием из одного состояния в другое под действием числовых и разрядных токов отражены на фиг. 2. Состояния сердечника показаны в виде распрвделвния остаточных потоков в зонах вокруг диаметрального отверстия.Каждый переход (показан стрелками) осуществляется за один такт.Запись ннформации в запоминающее устройство (фиг. 3) выполняется в три такта.В первом такте в обмотку 2,подается ток разблакиравки 1 ро, переводящий сердечники одного числа в состояние 1 (фиг, 2). Во втором такте в обмотку 2 подается числовой ток записи 1 а в обмотки 3 либо подаются, либо не падаются разрядные токи запион 1 р.В первом случае сврдечнкк данного разряда переходит в састояние 0, во втором - в промежуточное состояние П. В третьем такте во все обмотии 3 подаются разрядные токи восстановления 1 л, и если сердечник был переключен в состояние П, то он переходит в состояние 1.210221 л/,0 4 Ъ 2. 3 П г сгавитель А. А. Соколов Техред Л. Я. Бриккер Шлай екторьн О. Б. Тюрин и Е. Н, Гудзон дант Заказ 607/19 Тираж 530ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете ММосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Подписноетров СССР Типография, пр. апунова,Нестирающее счнтьвание информации производится поочередной подачей импульсов тока считывания 1,в числовую обмотку 2 и токов восстановления в разрядные обмотки 3. При этом состояние 1 заменяется на состояние П и обратно (фиг, 2), а состояние 0 не изменяется. Выходные сигналы снимаются. с обмоток З.,в момент подачи. импульса тока. считывания 1,. Предмет из об ретения Элемент памятки на магнитном сердечникес диаметральными отвсрспиями, содержащий числовую и разрядную обмогки, отличающийся тем, что, с целью увеличения амплитуды выходных сигналов, числовая и разрядная обмотка пропущены через основное отверстие согласно, а через диаметральные отверстия - 10 встречно,
СмотретьЗаявка
1127147
А. О. Тимофеев, Ленинградский электротехнический институт В. И. Уль нова Ленина
МПК / Метки
МПК: G11C 11/10
Опубликовано: 01.01.1968
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-210221-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Магнитный элемент
Следующий патент: Магнитный элемент
Случайный патент: Способ фотографирования небесных объектов