Способ резки монокристаллов граната

СООЭ СОНЕТСОЕЬЛИСР ЕСПУ 1;ЛИК 9 (1 В 28 Э 5 ОО ОП АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Р 12(57) Изобретенке монокристаллпользовано накристаллов гра МОНОКРИСТАЛЛ е относится к обраб ов и может быть нсперациях распиливан ата.Целью изобретен 31)Кбиныньшаютн до Иэобрете моиокристалл эовано на о кристаллов до гл ь испольивания ов и может оддеропил ерациях расираната.бретения являгадолиний-г скоро ется снижеаллиевого гра Целью изие расходаата. глубин поддер Ккрнчания абаты- променен ан гра На чертчастоты вр ила. о при мещеащаюд. мм/мин в консо чапа 0,09 враОСУДАРСТВЕКНЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОВ ЕТЕНИЯМ И ОТНЕЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Авторское свидр 428948, кл. В 28Авторское свиде1 Р 715959, кл. В 28 ие относится к обработ ия монокристалла грана Способ заключается в том, ч плавном изменении скорости пер ния инструмента относительно в щегося монокристалла от 0,1-0, в начале резания до 4-7 мм/мин це резания монокристалл вращаю скоростью 0,3-0,45 об/мин оти резания до глубины пропила Ь, 0,11)К , увеличивают скорость щения моноквнсталла до 11-14 о является снижение расхода гадолинийгаллиевого граната. Способ заключается в том, что скорость перемещенияинструмента изменяют с 0,1-0,8 мм/минв начале резания до 4-7 мм/мин в конце резания, монокристалл вращают соскоростью 0,3-0,45 об/мин от началарезания до глубины пропила Ь =(0,090,1)К , увеличивают скорость вращения монокристалла до 11 - 14 об/минцо глубины пропила Ь (0,69-0,7 1)К р,уменьшают скорость вращения до 56 об/мин до глубины пропила Ь= (О, 89-0,91) Кр, где Ь - глубш.д пропила; К- радиус обрабатываемогокристалла, и поддерживают постояннойдо окончания. 1 ил. бины пропила Ь (0,29-0 живают постоянной до глу а Ьз=(0,69-0,11)Кр, уме ть вращения до 5-6 об/ми ы пропила Ь (0,89-0,91) живают постоянной до око я, где Кнр - радиус обр о кристалла; Ь - глубина Сущность способа заключается в ледующем, Наиболее возможные област вф.,никновения дефектов при резке (сколы, трещины, нарушенный слоЯ) начало резания и окончание, соответственно поверхность разрезаемого слитка и его центр. Это связано с тем, что при касании слитка режущим инструментом (диском) возникают б рации диска, создающие в этой обти эначительные напряжения, приводя щие к образованию дефектов.- Уменьшение скоростей вращения слитка и перемещения режущего инструмента в этот момент до минимально5 возможных величин (с точки зрения проиэводительности процесса) позволяет снизить напряжения н вероятность образования дефектов в этой области. При окончании процвссв отрезания пластины образование дефектов связано с тем, что в центральной части слитков гадолиний-гвллиевого граната существует напряженная об 5 пасть, образующаяся при его получении из расплава и связанная с фундаментальными условиями роста, Для уменьшения влияния этих напряжений на образонанне дефектов при окончании процесса резки необходимо также уменыпать скорость вращения слитка. Влияние скорости. перемещения диска в этой области менее критично. В связи с этим резание областей слитка, составляющих 0-0, 11 Кр и 0,91-1,0 Ккр (отсчет ведется от поверхности слит- ка), проводят с постоянныки скоростями вращения кристалла 0,3 - 0,45 об/мин и 5-6 об/мин соответственно. Область кристалла в диапазоне 0,11-0,91 Кр является менее напряженной вследствие условий получения слитка, что позволяет увеличить скорость вращения слитка в этой области. Использование предлагаемых режимов резки слитка позволяет уменьшить толщину отреэаемых пластин без ухудшения их качества, что приводит к экономии разрезаемого материала. Отреэание этих областей кристалла со скоростя 40 ми вращения слитка более укаэанных не позволяет уменьшить толщину отреэвемых пластин дивметрои 76 мм до 450 Ф 20 мкм, а пластин дивмегром 100 мм - до 600420 мкм вследствие45 резкого уменьшения выхода годных зв счет растрескиввния пластин, УменЬ- шение скорости вращения слитка ниже казанных также приводит к снижению выхода годных эв счет ухудшения качества поверхности пластин (сколы,микротрещины).Область кристалла в диапазоне0,11-0,91 К менее критична к скокррости вращею;я слитка. В связи сэтни скорость вращения слитка в этойобласти увеличивают,Если скорость вращения слитка более указанной, то при получении пластин толщиной 450 ф 20 мкм диаметрои76 мми 600+20 мкм диаметром 100 ии увеличивается бойпластин,возникают трещины,сколы, н в результате выход годныхуменьшается. Уменьшение скоростивращения слитка в этой области резания ниже указанной приводит к снижению выхода годных.Увеличение скорости перемещениярежущего инструмента более 0,8 ми/мини 7 мм/мин в начале и при окончаниирезания слитка соответственно приводит к росту числа бракованных пластин,Формула изобретенияСпособ резки монокристаллов грана-,та, преимущественно гадолиний-гвллиевого граната, с использованием дискового режущего инструмента, включающий перемещение последнего с постоянно изменяющейся скоростью относительно монокристалла, вращающегося спеременной скоростью, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью снижения расхода гадолиний-галлиевогогрвнага, сначала осуществляют вреза"ние до глубины (О,Г 9-0,11)К с постоянной частотой вращения монокриствллв, равной 0,3-0,45 об/мин,затеичастоту вращения плавно увеличиваютдо значения 11"14 об/мин до глубиныпропила (0,29-0,31)Ни производятраспиливание с данной частотой вра"щения монокриствлла на глубину(0,69"0,71)йкр, далее частоту вращения плавно снижают до значения5-6 об/мин на глубине (0,89-0,91)йкри поддерживают ее постоянной до окойчаниЯ обРаботки, гДе К Кр - РвДиУсобрабатываемого кристалла.-гЬЗаказ 1318 Тирах ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГЕНТ СССР113035, Иосква, %-35, Рауаская наб., д. 4/5 Редактор Л.Лаакова Проиэводственно-иэдательский комбинат фПатент", г. Ухгород, ул. Гагарина, 1 О 1