Патенты с меткой «слоев»

Номер патента: 1290679

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Бердников, Дьяконов, Завлин, Кириленко, Подлесных, Поспелова, Прокопьев, Русович, Сучкова

МПК: C07C 233/04, C07C 275/14, G03C 1/30 ...

Метки: n-бисдиэтаноламинометилен)диамиды, галогенсеребряных, дубителей, желатиновых, карбоновых, качестве, кислот, пластификаторов, слоев, фотографических

(N,N'-Бисдиэтаноламинометилен)диамиды карбоновых кислот общей формулыгде n = 1, 2;m = 0, 1,в качестве дубителей и пластификаторов фотографических желатиновых галогенсеребряных слоев.

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1294220

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Жигалова, Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, слоев

Способ получения слоев нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев до рабочей температуры, формирование и подачу в зону осаждения потока парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении с поддержанием общего давления в реакторе подачей на вход реактора аммиака, удаление остаточных продуктов реакции через выход реактора, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости процесса по длине зоны осаждения и упрощения технологической аппаратуры, поток парогазовой смеси в зоне осаждения создают подачей аммиака на вход реактора при температуре от 623 К до рабочей температуры в зоне осаждения и раздельной подачей паров тетрахлорида кремния...

Номер патента: 1607640

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал

МПК: H01L 21/00

Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Номер патента: 1533496

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Аристов, Ерохин, Никулин, Снигирев

МПК: G01N 23/20

Метки: деформации, кристаллической, поверхностных, слоев, структуры

Способ измерения деформации кристаллической структуры поверхностных слоев в контролируемом образце, включающий измерение угловой зависимости дифрагированной волны многокристальным рентгеновским дифрактометром и определение деформации по этой зависимости, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, изготавливают тестовый образец из того же материала и по технологии, полностью соответствующей контролируемому образцу, деформирующим воздействием на поверхности исследуемого образца формируют периодическую структуру из чередующихся с постоянным периодом из интервала значений от 0,1 мкм до 2 длин экстинкции рентгеновского излучения областей с нарушенной и ненарушенной структурой,...

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 856308

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Абриталин, Александров, Вахтанова, Груз, Журба, Стадницкая

МПК: G03C 5/38

Метки: желатиновых, извлечения, комплексов, композиция, серебросодержащих, слоев, фотографических

1. Композиция для извлечения серебросодержащих комплексов из желатиновых фотографических слоев, включающая щелочной реагент и воду, отличающаяся тем, что, с целью ускорения процесса извлечения серебрянотиосульфатных комплексов и уменьшения расхода воды на промывку, она дополнительно содержит хелатообразующее соединение при следующем соотношении компонентов, моль/л:Хелатообразующее соединение - 0,01 - 0,5Щелочной реагент - 0,08 - 0,40Вода - До 1 л2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что в качестве хелатообразующего соединения она содержит соли щелочных металлов и аммония этилендиаминтетрауксусной, нитрилотриуксусной, иминодиуксусной или нитрилотриметилфосфоновой...

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1403907

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Коркман, Ненашева, Нестерова

МПК: H01L 21/316

Метки: диоксида, кремния, слоев

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH3 при соотношении NH3/SiH4 = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300oC и...

Номер патента: 524492

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 218324

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Клименко, Ржанов, Строителев

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают...

Номер патента: 1338709

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузионных, легированных, пленкообразующий, раствор, слоев

1. Пленкообразующий раствор для получения легированных бором диффузионных слоев, содержащий растворитель, катализатор, соединение элементов IV группы и неорганическое соединение бора, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня и однородности легирования толстых диффузионных слоев, раствор дополнительно содержит органическое соединение бора при массовом соотношении органического и неорганического соединения бора от 7,5 : 1 до 30 : 1 и следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 13 - 30Катализатор - 0,3 - 1,0Соединения бора - 28 - 55Соединение элементов IV группы - 19,7 - 412. Раствор по п.1, отличающийся тем, что в качестве...

Номер патента: 1459542

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Исмайлова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, пористого, слоев, формирования

Способ формирования слоев пористого кремния, включающий электролитическое анодирование кремния n-типа проводимости с уровнем легирования ND 1014 см-3 при стационарном освещении в концентрированной плавиковой кислоте, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения степени и однородности пористости, электролитическое анодирование проводят в интервале плотности токов от 30 до 150 мА/см2 в течение времени от 20 до 60 мин при освещенности рабочей поверхности кремния, которую устанавливают согласно соотношениюG = i/1,5 + 30,где G - освещенность,...

Номер патента: 676100

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дроздов

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, слоев

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

Номер патента: 525380

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1649909

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Изидинов, Исмайлова, Разяпов

МПК: G01N 15/08

Метки: кремния, пористого, пористости, слоев, степени

Способ определения степени пористости слоев пористого кремния, заключающийся в стравливании слоев пористого кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения экспрессности, проводят локальное травление путем нанесения на поверхность пористого слоя капли 4 - 40%-ного раствора NaOH или КОН с последующей выдержкой в течение 2 - 20 мин, измерением глубины области травления (h, мкм) и расчетом степени пористости (Р,%) по формуле Р = 25 + 3h, при степени пористости, меньшей 30%, промывают поверхность пористого кремния водой, осушают поверхности, производят локальное травление каплей раствора, состоящего из 6 - 10 моль/л HNO3 и 1 - 3 моль/л HF с последующей выдержкой...

Номер патента: 999872

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Епихин, Кузнецов, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, полупроводниковых, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Номер патента: 1496557

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Волков, Коняхин

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиальных, выращивания, кремния, расплав, слоев

Расплав для выращивания автоэпитаксиальных слоев кремния, содержащий кремний, олово и добавку металла, отличающийся тем, что, с целью повышения удельного сопротивления слоев, в качестве добавки металла расплав содержит титан при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремний - 0,05 - 10Титан - 0,008 - 4Олово - Остальное

Номер патента: 1162322

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Дубровин, Мариничева, Маркушина, Петров, Полупанова, Трофимова, Хусид, Чижова

МПК: G03C 1/30

Метки: вспомогательных, галогенсеребряных, дубления, желатиновых, слоев, фотографических, эмульсионных

Способ дубления желатиновых вспомогательных и галогенсеребряных эмульсионных слоев фотографических материалов путем введения в их композиции перед поливом дубителя, отличающийся тем, что, с целью повышения физико-механических свойств слоев и повышения светочувствительности материалов, в качестве дубителя используют водно-спиртовый раствор соединения формулыгдев количестве 0,025 - 0,2 моль соединения указанной формулы на 1 кг воздушно-сухого желатина.

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 1436767

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова

МПК: H01L 21/268

Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев

Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1523001

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Газуко, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Петровнин, Соловьев, Старикова, Щербина

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, полупроводниковых, слоев

Способ получения инверсных полупроводниковых слоев в исходном легированном кремнии, включающий импульсных нагрев, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и исключения эрозии поверхности, в качестве исходного используют кремний n-типа, легированный фосфором до концентраций 1013 - 2 1016 см-3, а нагрев ведут на воздухе в интервале температур от 1200oC до температуры плавления кремния.

Номер патента: 1536856

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Артоболевская, Евстропов, Качанов, Тазенков

МПК: C23C 14/28

Метки: вакууме, нанесения, слоев, фотопроводниковых

Устройство для нанесения фотопроводниковых слоев в вакууме, содержащее вакуумную камеру, испарители, подложкодержатель и натекатель воздуха, отличающееся тем, что, с целью повышения качества селеновых слоев, оно содержит ионизатор, оптически непрозрачный экран и активатор кислорода, электрически соединенный со стенками вакуумной камеры, включающий замкнутую полость, внутри которой расположены ионизатор и натекатель, стенки полости снабжены отверстиями, причем отношение суммарной площади всех отверстий к суммарной площади внутренней поверхности полости составляет 0,01-0,001, а экран расположен между активатором и рабочей поверхностью подложкодержателя.