Патенты с меткой «слоев»

Номер патента: 1836484

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Фридрих

МПК: C23C 8/24

Метки: детали, нанесения, нитридных, слоев, сплавов, титана

...500-1000 С, МПа. При этом парциальиака составляет минимум е оптимальны температувление 0,5 - 7 МПа, Способ учение нитридных слоев м и более. 1 з,п. ф-лы, 1 ил, 1836484ление в диапазоне 0,5-7 МПа, причем требуется парциальное давление аммиака минимум 0,2 МПа,При таком способе под давлением на деталях из титана и титановых сплавов, имеющих любую геометрию и габариты, при соответствующих размерах камерных печей, можно получать достаточно толстые покрытия нитридных слоев (до 20 мкм и более). Исключительное значение имеет тот факт, что не требуются газы свысокой степенью частоты, достаточно использовать аммиак обычного промышленного качества, Кроме того, имеется возможность подмешивать к аммиаку азот, причем для способа аэотирования...

Номер патента: 1836513

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Антонио

МПК: D05B 35/10

Метки: выравнивания, двух, краев, машине, промышленной, слоев, швейной

...суживаются, образуя поверхности,способствующие вводу полотен Т и 1.В соответствии с первым вариантом,упомянутое средство содержит два эжектора, которые могут создавать веерные струи сжатого воздуха, направление которых можно изменять, Эжекторы образованы пластинами 32, установленными в соответствующие гнезда,С этой целью в верхней 3 и нижней 1 пластинах соответственно выполнены цилиндрические гнезда 31 в и 31 а, имеющиеучастки в виде усеченных, обращенных в сторону внутренних поверхностей пластин. Пластины 32 а и 32 в расположены в упомянутых гнездах и их форма соответствуетформе гнезд. При этом обеспечивается герметичность эа исключением определеннойчасти дуги, например 60 О. В пластинах также выполнены сквозные отверстия 34 а и 34...

Номер патента: 2000374

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Денисов, Павлова

МПК: D21H 23/10, D21H 27/18

Метки: бумаги, бумажно-слоистого, внутренних, декоративного, пластика, слоев

...по способу-прототипу.П р и,м е р 1. Готовят 2-ную суспенэиюнебеленой сульфатной целлюлозы НС,40 размолотой до 40 ШР. Готовят дисперсиюФФС. Для этого загружают в реактор фенол, аминный катализатор(аммиак), ГМТА ипо достижении реакционной смесью 7075 С - параформ. Соотношение фенол: па 45 раформ + ГМТА составляет 1:2,4. Когдареакционная смесь станет прозрачным раствором, загнивают раствор ПВС и поднимают температуру, Конденсацию ведут при95 С до достижения смолой показателя вре 50 мени желатинизации при 150 С, равного185 с.Дисперсию ФФС соединяют с волокнистой суспенэией, затем в позицию вводятбелую сажу, полученную по ТУ 113 - 1255 11,052-85 с размером частиц не более 60 мк.Белую сажу вводят в массу в количестве 15от массы...

Номер патента: 2001046

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Анюховский, Бугров, Бычкова, Зуев, Колесова, Космодемьянский, Лебедев, Недув, Родионова, Северин, Цайлингольд, Цофина

МПК: C08F 220/18

Метки: акрилонитрила, бутилакрилата, информации, качестве, магнитных, монометакрилата, носителей, полимерного, рабочих, связующего, слоев, сополимер, этиленгликоля

...гидроксильных групп; узкий пик средней интенсивности при 2240 см - валентными колебаниями С - = М - групп мономерных звеньев акрилонитрила.Таким образом, ИК-спектры рассматриваемого полимера содержат полосы поглощения всех трех сомономеров, использованных при его получении. Сохранение полос поглощения, характерных для каждого из сомономеров, в экстрактах полимера, 2001046") БутилакрилатАкрилонитрилМонометакрилатзтиленгликоля 100 проведенных разными растворителями,подтверждает, что зто сополимер,Содержание гидроксильных групп в сополимере определяли по известной методике. 5П р и м в р 1. Для проведения сополимвризации используют стеклянный реактор,снабженный рубашкой для подвода охлаждающей жидкости или подогрева. Шлифованная верхняя...

Номер патента: 2001047

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Анюховский, Бычкова, Зуев, Колесова, Космодемьянский, Лебедев, Недув, Островский, Поплавский, Фрончек, Цайлингольд, Цофина, Яблонский

МПК: C08F 220/18

Метки: 5-винилтетразола, акрилонитрила, бутилакрилата, информации, качестве, магнитных, носителей, полимерного, рабочих, связующего, слоев, сополимер

...реакции, СПродолжительностьреакции, ч 18Конверсия мономеров, мас,Среднечисленная молекулярная масса 40000Содержание кислотных групп, мас. 2,4П р и м е р 4. Порядок загрузки и прове 80 99,8 дение полимеризации аналогично примеру 1 Рецепт полимериэации, мас,ч.Бутилакрилат 60Акрилонитрил 30 1005-Винилтетразол 1 ОЦиклогексанон 150Азопентанол Ц 1,0Температура реакц, С 70Продолжительностьреакции, чКонверсия мономеров, мас.ф 100,0Среднечисленная молекулярная массаСодержание кислотных групп, мас. 2.8П р и м е р 5, Порядок загрузки и прове 20 120000 дение полимериэации аналогично примеру 1Рецепт полимеризации, мас,ч.Бутилакрилат 60Акрилонитрил 30 1005-Винилтетразол 10Этила цетат/бутилацетат (60:40 об, ) 150Азоизобутиронитрил мас.1,0...

Номер патента: 2001538

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Галецкий, Горбатов, Иванов, Цветков

МПК: H05K 1/18

Метки: печатных, плат, слоев

...устранения этого нежелательного эффекта в считывающей головке устанавливают светоизолирующие перегородки, симметрично расположенные по краям зоны просмотра. Поскольку считьодкщая головка при контроле перемещается ндд поверхностью объекта контроля, то между светоизолирующими перегородками и поверхностью контроля должен быть выдержан минимальный воздушный зазор для повышения соотношения сигнал/шум, Ко:- структивно этот зазор образуется с помощью пнеомофиксатора положения считывающей головки, который позволяет за счет давления воздуха держать считывающую головку нд фиксированнол минимальном расстоянии (50 мкм) от поверхности контроля, кроло того, выходящий сжатый воздух освобождает зону просмотра от возможньх механических...

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмаза, выращивания, слоев

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Номер патента: 1839713

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Альбрехт, Герхард, Зигфрид, Йоханн, Рольф

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, слоев

...носителей заряда. ели,",на которой равна или больше 1 см х хВ с . Предпочтительно время пребывания молекул углеводорода в зоне плазмы составляет 50 - 500 мс.Время пребывания указанного вышепорядка величины может быть достигнуто 5 при заданном поперечном сечении использующегося для плазменного напыления реакционного сосуда только при определенном соотношении между давлением газа, т.е. парциальным давлением реакционного газа, и 10. массовым расходом, В случае соответствующего изобретению способа давление газа со-ставляет по этой причине 5-400 Па, предпочтительно 20-200 Па., а массовый расход - предпочтительно 0,05 - 2 10 Пав 15 хсм с . Кроме того, в случае соответствующего изобретению способа существенно то, что подложка, на которую...

Номер патента: 2005112

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Костомаров, Матвиевский, Самойлов, Скачкова, Харламова

МПК: C04B 35/00

Метки: диэлектрических, керамических, конденсаторов, преимущественно, слоев, формирования, шликер

...и перемешивают смесь до однородного состояния, Керамический порошок известным образом, например в2005112 Состав 1 Состав 3 Состав 2 53,853,751,4 559 3,31,1 Керамический порошок на основе титанатов 51,8Этилцеллюлоза 4,2Дибутилфталат или олигоэфиракрилат 1,7Моноэтиловый эфир диэтиленгликоля илимонобутиловый эфир. этиленгликоля 10,1Сосновое масло или терпинеол 19,9Бензиловый спирт 10,1Триэтаноламин 2,2 9,8219,669,821,7 9,619,49,61,2 вибромельницах, диспергируют в водной среде при влажности 36-40% до достижения размера частиц не более 1,5 мкм и удаляют(например, сушкой в распылительной сушилке при 350 С) влагу до остаточной влажности0,05, Затем полученный предварительно измельченный керамический порошок смешивают с заявляемым количеством...

Номер патента: 1321136

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Жданов, Огнев, Сафронов

МПК: C30B 25/08

Метки: осаждения, реактор, слоев

РЕАКТОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ, включающий корпус с крышкой, подложкодержатель, средства ввода и вывода реагирующих компонентов газовой фазы, завихритель, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упрощения формы реактора и уменьшения его габаритов, завихритель выполнен в виде съемного цилиндра, установленного в крышке соосно с подложкодержателем и имеющего диаметр не более наибольшего поперечного размера подложкодержателя, а средство вывода выполнено из нескольких патрубков с соплами для раздельной подачи реагирующих компонентов, причем оси сопл наклонены вниз и расположены таким образом, что их проекции на плоскость, проходящую через вертикальную ось...

Номер патента: 1078793

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Антонов, Лазарев, Петров, Пичугин, Решетян, Филин

МПК: B29D 30/30

Метки: барабан, корда, наложения, сборочный, слоев

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАЛОЖЕНИЯ СЛОЕВ КОРДА НА СБОРОЧНЫЙ БАРАБАН, содержащее соосно смонтированные на раме одна навстречу другой и установленные на осях приводные щеки с закрепленными на них посредством направляющих роликов поворотными рычагами, которые попарно соединены эластичными лентами, закрепленными на их концах, привод для поворота рычагов в виде зубчатых реек, жестко закрепленных на рычагах, и пар шестерен, находящихся в зацеплении с зубчатыми рейками и смонтированных на осях, причем одна пара шестерен жестко закреплена на осях, и вакуумные захваты, смонтированные между рычагами каждой пары, отличающееся тем, что, с целью повышения качества наложения корда, оно снабжено смонтированными на раме силовыми цилиндрами и ограничителями...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1111348

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Зубенко, Петров, Решетян, Савин, Симченко

МПК: B29D 30/30

Метки: барабан, корда, наложения, сборочный, слоев

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАЛОЖЕНИЯ СЛОЕВ КОРДА НА СБОРОЧНЫЙ БАРАБАН, содержащее смонтированные на осях попарно по обе стороны от сборочного барабана щеки, привод для их поворота, установленные на щеках посредством опорных роликов с возможностью продольного перемещения поворотные рычаги, соединенные попарно поперечными опорами, привод для поворота рычагов, вакуум-захваты, установленные на поперечных опорах, которые связаны между собой эластичной лентой, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей устройства, оно снабжено направляющими роликами, смонтированными посредством осей, расположенных перпендикулярно осям опорных роликов, на кронштейнах, закрепленных на щеках, поворотные рычаги выполнены полыми, в полостях которых...

Номер патента: 1727487

Опубликовано: 30.07.1994

Автор: Любашов

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковых, градуировки, имитатор, металлических, покрытий, слоев, толщиномеров, толщины

ИМИТАТОР ТОЛЩИНЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ДЛЯ ГРАДУИРОВКИ ВИХРЕТОКОВЫХ ТОЛЩИНОМЕРОВ ПОКРЫТИЙ, содержащий основание в виде прямоугольного параллелепипеда с отверстиями на рабочей поверхности и имитирующие элементы, размещенные в отверстиях заподлицо с рабочей поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности при имитации электропроводных многослойных покрытий с верхним слоем, имеющим электропроводность, существенно большую, чем электропроводность нижних слоев, имитирующие элементы выполнены из различных электропроводных материалов с толщиной, большей глубины проникновения электромагнитного поля вихретокового толщиномера в данный материал, электропроводность материала каждого имитирующего элемента выбрана соответствующей...

Номер патента: 1396454

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Зубенко, Решетян, Савин

МПК: B29D 30/30

Метки: барабан, корда, наложения, сборочный, слоев

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАЛОЖЕНИЯ СЛОЕВ КОРДА НА СБОРОЧНЫЙ БАРАБАН по авт. св. N 1111348, отличающееся тем, что, с целью повышения качества наложения корда на барабан за счет устранения деформации слоев корда, эластичная лента связана с поперечными опорами посредством пружин, а поворотные рычаги попарно связаны между собой посредством пневмоцилиндра, кинематически связанного с приводом для поворота рычагов.

Номер патента: 1424273

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Ермилов

МПК: B29D 30/14, B29D 30/28

Метки: барабане, заворота, корда, прикатки, сборочном, слоев

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАВОРОТА И ПРИКАТКИ СЛОЕВ КОРДА НА СБОРОЧНОМ БАРАБАНЕ по авт. св. N 1172744, отличающееся тем, что, с целью повышения качества сборки покрышек и расширения технологических возможностей устройства, оно снабжено смонтированными по торцам поворотной трубы с возможностью осевого перемещения кронштейнами и установленными на упорах эксцентриковыми осями, а поворотные рычаги шарнирно закреплены на кронштейнах, и свободно вращающиеся ролики смонтированы на эксцентриковых осях, причем профильные кулачки выполнены в виде вкладышей, закрепленных резьбовым соединением.

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.

Номер патента: 1580873

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колмакова, Сарнацкий

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, содержащее герметичную камеру с внешним нагревателем, подложкодержатель с горизонтальными дисками для размещения подложек и газовый ввод, расположенный по оси подложкодержателя, отличающееся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых слоев за счет равномерности распределения газового потока, оно снабжено дополнительным подложкодержателем с приводом вращения и диском обтекателем, установленным на конце газового ввода, при этом дополнительный подложкодержатель выполнен в виде замкнутого стакана с дисками, смонтированными на внутренней поверхности стакана между дисками основного подложкодержателя с возможностью регулирования зазора между плоскостями смежных дисков, причем диски...

Номер патента: 1559983

Опубликовано: 09.01.1995

Автор: Маковийчук

МПК: H01L 21/66

Метки: ионно-легированных, операционного, слоев

СПОСОБ ОПЕРАЦИОННОГО КОНТРОЛЯ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ, включающий пропускание постоянного стабилизированного электрического тока через ионно-легированный слой, измерение разности потенциалов и ее флуктуаций и определение по ним электрофизических параметров слоя, по которым судят о его дефектности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и экспрессности измерений, а также повышения их информативности, разность потенциалов и ее флуктуаций измеряют совместно за один цикл пропускания тока, выделяют 1/f составляющую шума из спектра флуктуаций, на основании полученных значений определяют сопротивление слоя, спектральную плотность флуктуаций типа 1/f и их взаимосвязь.

Номер патента: 1779162

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Исаев, Онохов

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, ориентации, слоев, смесей

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ДЛЯ ОРИЕНТАЦИИ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СМЕСЕЙ, заключающийся в нанесении слоя оксида металла путем термического испарения вещества в вакуумной камере на полированные подложки, установленные в оправе под углом к оси камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности ориентирующего слоя, на подложку наносят слой двуокиси церия толщиной от 10 до 100 нм испарением лазерным или электронным лучом при давлении в камере от 10-6 до 10-4 Тор.

Номер патента: 1723902

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Беликович, Бенедиктов, Гончаров

МПК: G01S 13/95

Метки: высот, ионосфере, нижней, слоев, турбулентных

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОТ ТУРБУЛЕНТНЫХ СЛОЕВ В НИЖНЕЙ ИОНОСФЕРЕ, включающий излучение в ионосферу зондирующего радиоимпульса, прием сигнала, обратно рассеянного неоднородностями ионосферной плазмы, определение высотной зависимости амплитуды обратно рассеянного сигнала и определение по ней высот турбулентных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности и сокращения времени измерений, перед излучением зондирующего радиоимпульса воздействуют на ионосферу возмущающим радиоизлучением на частоте выше критической для Е-слоя и ниже критической для F-слоя ионосферы, зондирующий импульс излучают на частоте возмущающего воздействия и с той же поляризацией, а принимают радиоимпульс, обратно рассеянный периодической структурой...

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 1826815

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Демчук, Лабунов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, рекристаллизации, слоев

...40 50 55 слоя поликристаллического кремния формируется слой монокристаллического кремния с большой плотностью двойников, однородно распределенных по толщине.0 двойниковании в структуре свидетельствовало появление симметричных точечных рефлексов в электронограммах поверхности и характерного рельефа .травленной поверхности. При этом данный способ позволяет формировать микронные дендритные слои однородные по толщине и достичь поставленной цели,П р и м е р 2, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 7 нс. Положительный эффект достигался.П р и м е р 3, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 0,5 нс (лазер работал в режиме синхронизации мод). Положительный эффект не...

Номер патента: 1412535

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Елагина, Матасова, Роках

МПК: H01L 31/18

Метки: визуализатора, излучения, слоев, фотопроводящих

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАТОРА ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий двухстадийное вакуумное напыление шихты, причем на первой стадии напыляют шихту на основе селенида кадмия в квазизамкнутом объеме при температуре испарителя 680 700oС и температуре подложки 300 - 350oС, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы визуализатора на первой стадии наносят шихту, которая дополнительно содержит хлорид кадмия при следующем соотношении компонентов, мас.CdSe 70 80CdTe 12 26CdCl2 4 8в течение 1,5 2 ч, а на второй стадии напыляют путем магнетронного ступенчатого распыления шихту, которая содержит сульфид свинца и сернокислую медь при следующем соотношении компонентов,...

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 1202461

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Биленко, Ципоруха

МПК: H01L 21/66

Метки: осаждения, процессе, слоев, толщины

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ, включающий регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового монохроматического излучения образующейся структуры I(t) и определение толщины слоя по числу полупериодов этой зависимости и значению показателя преломления осаждаемого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения класса контролируемых слоев, перед осаждением измеряют излучательную способность и интенсивность собственного теплового излучения нагретой до температуры процесса осаждения исходной структуры на длине волны монохроматического излучения и искомую величину определяют, используя вычисленный по следующей форме показатель преломления h:

Номер патента: 1774745

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Зарюгин, Игнатенко, Казаников, Мусаев, Рогинский, Степанов

МПК: G01W 1/08

Метки: атмосферы, верхних, исследования, слоев

СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЕРХНИХ СЛОЕВ АТМОСФЕРЫ, включающий выведение в зону исследований стабилизированной вращением ракеты по баллистической траектории с генератором реагента для создания искуственного образования и носителем измерительных приборов с углом обзора отделение генератора, инициирование реагента и измерение характеристик верхних слоев атмосферы до и после создания искусственного образования, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, до отделения генератора с реагентом раскручивают ракету относительно ее продольной оси с угловой скоростью, обеспечивающей угол процессии b

Номер патента: 1795821

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гумаров, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: дисилицида, кобальта, кремнии, мезотаксиальных, слоев

...тем, что визвестном способе получения мезотаксиального дисилицида кобальта в кремнии, включающем ионную бомбардировку монокристаллического кремния ионами кобаль та, процесс бомбардировки осуществляютпри плотности ионного тока, превышающей 30 мкА/см, Предложенное техническое ре- .шение обеспечивает возможность создания специального условия для получения мезо таксиального слоя непосредственно во время бомбардировки, Таким условием является повышение средней за период сканировавния ионного пучка плотности ионного тока ) до значений выше 30 мкА/см.40 Такое увеличение ) приводит во-первых, квозрастанию температуры облучаемой подложки и, во-вторых, к повышению плотности радиационных дефектов в приповерхностном слоем, Оба приведенных...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.