Патенты с меткой «слоев»

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1795714

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Борздов, Возный

МПК: G01J 1/42

Метки: светочувствительных, слоев, установок, фотошаблон, экспозиции, экспонирования

...фотошаблоном.в Поставленная цель достигается тем, что расщепитель светового потока расположен между конденсором и источником излучения, а фотошаблон - между конденсором и объективом;Принципиальное отличие заявляемого устройства заключается в том, что выделенный расщепителем световой поток дважды модулирован фотошаблоном (в прямом ходе светового пучка от источника излучения к подложке со светочувствительным слоем и в обратном ходе отраженного от подложки светового пучка к фотоприемнику), при этом часть светового потока, которая пру экспонировании засвечивает светочувствительный слой в области геометрической тени изображения, экранируется фотошаблоном и не вносит вклад в изменение интенсивности падающего на фотоприемник светового пучка...

Номер патента: 1544111

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Захаров, Колмакова, Матвеев, Тимир-Булатов

МПК: H01L 21/306

Метки: ga1-xalxas, гетероструктурах, многослойных, слоев, толщин

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИН СЛОЕВ GaAs И Ga1-xAlxAs В МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, включающий локальную обработку слоя GaAs в травителе на основе концентрированной перекиси водорода и концентрированного водного раствора аммиака при комнатной температуре и локальную обработку слоя Ga1-xAlxAs в концентрированном водном растворе галогеноводорода, замер толщины образовавшихся ступенек интерференционным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения толщины в слоях GaAs и Ga1-xAlxAs, где x 0,1, локальную обработку слоя GaAs...

Номер патента: 1828672

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Ольховский, Петров, Степанов

МПК: E02D 1/00

Метки: грунта, поверхностных, прочности, слоев

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОЧНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ГРУНТА, включающий метание зонда на поверхность грунта и регистрацию параметров проникания, при котором определяют прочность, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, метание осуществляют двумя зондами, имеющими одинаковые начальные аэродинамические параметры с заданным углом рыскания для каждого зонда под углом к поверхности грунта с известной скоростью, в качестве параметров проникания измеряют расстояние между точками входа зондов в грунт и точками выхода зондов из грунта, а прочность поверхностных слоев грунта определяют в зависимости от скорости удара, угла метания и рыскания зондов по разнице между измеренными параметрами, используя предварительно установленную указанную...

Номер патента: 1722032

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Анищенкова, Здорикова, Карлик, Колесников, Комаров, Кузьмин, Рукевич, Саклантий, Троицкая, Фрейдин

МПК: B32B 27/28, C08K 13/02, C08L 83/04 ...

Метки: композиция, наружных, огнестойкого, слоев, слоистого

КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ НАРУЖНЫХ СЛОЕВ ОГНЕСТОЙКОГО СЛОИСТОГО МАТЕРИАЛА, включающая силоксановый каучук, оксид цинка, этилсиликат, октоат олова, гидрат окиси алюминия тонкодисперсный и бензин, отличающаяся тем, что, с целью повышения огнестойкости материала в атмосфере повышенного содержания кислорода и сохранении его огнестойкости и герметичности в условиях высокотемпературной эксплуатации, она дополнительно содержит триметакрилат триэтаноламина, триаллилизоцианурат, закись-окись никеля и закись-окись кобальта при следующем соотношении компонентов, мас.ч.Силоксановый каучук 100,0Оксид цинка 10,0 20,0Этилсиликат 6,5 7,5Октоат олова 2,5 3,0Гидрат окиси алюминия тонкодисперсный 160,0 190,0Триметакрилат...

Номер патента: 1334781

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Манжа, Патюков, Фишель

МПК: C30B 25/00

Метки: газовой, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реактор в виде горизонтальной трубы с отверстиями, равномерно расположенными на ее стенках, и установленные коаксиально реактору камеру подачи в него газовой смеси, снабженную патрубком, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения дефектности и разброса толщины осаждаемых слоев, реактор снабжен патрубком для дополнительного ввода газовой смеси, а отверстия выполнены в виде продольных прорезей, причем отношение площади прорезей к площади сечения камеры подачи равно 0,05 0,1.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отношение ширины прорези к расстоянию между краем пластины и внутренней стенкой реактора удовлетворяет выражению0,045

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 1266253

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Билалов, Самудов, Сафаралиев

МПК: C30B 19/04

Метки: слоев, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных слоев SiC, включающий осаждение его на подложку из раствора-расплава, содержащего Yb, отличающийся тем, что, с целью улучшения совершенства структуры и управления процессом, осаждение ведут при температуре раствора-расплава 1100 1400К и воздействии на него постоянного электрического тока.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения растворимости SiC и увеличения за счет этого скорости осаждения, в раствор-расплав добавляют Al или Ga в количестве, равном по массе количеству Yb.

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 1819068

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур

...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...

Номер патента: 1155128

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Врублевский, Кадомский, Календин, Невзорова, Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: литографических, размеров, слоев, элементов

Способ измерения размеров элементов литографических слоев, включающий формирование увеличенного изображения литографического слоя, измерение параметров увеличенного изображения и преобразование этих параметров в размер элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, перед формированием увеличенного изображения в литографическом слое выполняют голографическую решетку и наносят на его поверхность латексные сферы, увеличенное изображение литографического слоя формируют с помощью растрового электронного микроскопа, после чего проводят юстировку микроскопа по латексным сферам, а параметры увеличенного изображения измеряют по форме распределения видеосигнала, при этом определяют расстояние B, соответствующее размеру...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 1127479

Опубликовано: 20.02.1997

Автор: Лапин

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, равномерных, слоев, эпитаксиальных

Способ получения равномерных эпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий нанесение эпитаксиального слоя арсенида галлия на полуизолирующую подложку, анодное окисление эпитаксиального слоя вплоть до прекращения процесса окисления с последующим стравливанием анодного окисла, отличающийся тем, что, с целью получения равномерных эпитаксиальных слоев большей толщины, перед анодным окислением путем фотолитографии на поверхности эпитаксиального слоя вскрывают окна, через которые проводят локальное анодное окисление эпитаксиального слоя на глубину h W, где h конечная толщина эпитаксиального слоя, W глубина распространения области объемного заряда, возникающей на границе окисел полупроводник с последующим стравливанием анодного окисла.

Номер патента: 1774752

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Батосова, Дегтярева, Коротких, Поспелова, Сучкова, Швайка, Яворовский

МПК: G03C 1/30

Метки: бромиодсеребряных, дубитель, желатиновых, защитных, кинофотоматериалов, слоев, черно-белых, эмульсионных

Применение 1,2,4-триглицидилуразола формулыв качестве дубителя желатиновых защитных и бромийодсеребряных эмульсионных слоев черно-белых кинофотоматериалов.

Номер патента: 1750385

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Батосова, Дегтярева, Коротких, Поспелова, Сучкова, Швайка, Яворовский

МПК: G03C 1/30

Метки: дубитель, желатиновых, кинофотоматериалов, слоев, черно-белых

Применение мономера формулыгде R H или CH3,в качестве дубителя желатиновых слоев черно-белых кинофотоматериалов.

Номер патента: 1750386

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Батосова, Бердников, Дегтярева, Коротких, Поспелова, Сучкова, Швайка, Яворовский

МПК: G03C 1/30

Метки: дубитель, желатиновых, кинофотоматериалов, слоев, черно-белых

Применение мономеров общей формулыгде R H или CH3в качестве дубителя желатиновых слоев черно-белых кинофотоматериалов.

Номер патента: 1114191

Опубликовано: 10.08.1998

Авторы: Артемов, Брайнин, Васильев, Коротких, Самерханова, Урманова, Федорина, Шакиров, Швайка

МПК: G01C 3/30

Метки: галогенсеребряных, дубления, желатиновых, кинофотоматериалов, слоев

Способ дубления желатиновых слоев галогенсеребряных кинофотоматериалов путем введения дубителя, содержащего эпоксигруппы, в композиции слоев перед их поливом на подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических свойств кинофотоматериалов, в качестве дубителя используют бисэпокситриазолон формулыгде R = H - CH3.

Номер патента: 999801

Опубликовано: 10.11.1998

Авторы: Дубровин, Петров, Семененко, Сорокина, Трофимова, Хусид, Чижова

МПК: G03C 1/30

Метки: дубления, желатиновых, слоев, эмульсионных

Способ дубления желатиновых эмульсионных слоев путем введения в эмульсию дубителя, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических свойств задубленных слоев, в качестве дубителя используют соединение общей формулыX-(CH=CH)n-X,где X - группа CHO или CH(OC2H5)2;n = 2 или 3,в количестве 0,005 - 0,4 моль на 1 кг воздушно-сухой желатины.

Номер патента: 1005577

Опубликовано: 20.01.1999

Авторы: Дубровин, Журин, Климова, Копеина, Корнева, Леви, Петров, Савенкова, Семененко, Шевцов

МПК: G03C 1/30

Метки: галогенсеребряных, дубления, желатиновых, слоев, фотографических, эмульсионных

Способ дубления желатиновых и галогенсеребряных фотографических эмульсионных слоев путем введения в готовую эмульсию дубителя - диглицидилового эфира этиленгликоля, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических свойств задубленных слоев, в эмульсию дополнительно вводят моноглицидиловый монопропиленхлоргидриновый эфир этиленгликоля формулы Iпри мольном соотношении диглицидилового эфира этиленгликоля и моноглицидилового ионопропиленхлоргидринового эфира этиленгликоля 3:1 - 1:5, причем на 1 кг желатины вводят 0,05 - 0,5 моль смеси диглицидилового эфира этиленгликоля и моноглицидилового монопропиленхлоргидринового эфира этиленгликоля.

Номер патента: 1080642

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Барханова, Журба, Орлов, Фридман

МПК: G03C 5/315

Метки: галогенсеребряных, дубящая, желатиновых, композиция, слоев, фотографических

Дубящая композиция для обработки желатиновых слоев галогенсеребряных фотографических материалов, включающая дубитель, сульфат натрия и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения прочности, термостойкости и снижения влагоемкости желатиновых слоев, в качестве дубителя она содержит триоксиметилен или 2,3-диоксидиоксан-1,4 или бисульфитное производное глутарового диальдегида и дополнительно содержит m-этилендиаминтетраацетато[бис-(нитрилотриацетато)-цинк] динатрийтетрааммонийную соль, двухводную при следующем соотношении компонентов, мас.%:м-этилендиаминтетраацетато[бис-(нитрилотриацетато)-цинк] динатрийтетрааммонийная соль, двухводная - 1 - 5Триоксиметилен или...

Номер патента: 1195814

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Володина, Миронос, Смирнов, Субботин

МПК: G03G 5/08

Метки: инжекционных, слоев

Способ получения инжекционных слоев путем термического испарения в вакууме фотопроводника на нагретую подложку с использованием облучения мощностью 104 - 106 Вт при скорости конденсации пара 103 - 108 нм/с, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности, темнового электрического сопротивления, чувствительности к видимой области спектра и светопропускания слоев, фотопроводник испаряют на подложку, нагретую до 25 - 80oC при длительности импульса облучения 10-8 - 10-6 с.

Номер патента: 1378767

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев

Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...

Номер патента: 1144521

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дьяконов, Журба, Завлин, Орлов

МПК: G03C 5/315

Метки: галогенсеребряных, дубления, желатиновых, композиция, слоев, фотографических

Композиция для дубления желатиновых галогенсеребряных фотографических слоев, содержащая дубитель, сульфат натрия безводный и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения механической прочности, термостойкости и снижения влагоемкости фотографического слоя, в качестве дубителя используют N,N, N',N'-тетраизопропоксиметилдиамид янтарной кислоты при следующем соотношении компонентов, мас.%:N,N,N',N'-тетраизопропоксиметилдиамид янтарной кислоты - 0,5 - 5,0Сульфат натрия безводный - 1,0 - 20,0Вода - Остальное

Номер патента: 917634

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Богданов, Буяновская, Гудкова, Кабанов, Капцов, Кардаш, Павлова, Пархомович, Топчиев, Трушин

МПК: G03C 1/85

Метки: антистатический, белых, вспомогательных, кинофотоматериалов, компонент, рентгеновских, слоев, черно

Применение сополимера N,N-диалкил-N,N-диаллиламмонийхлорида с акриловой кислотой следующей структурной формулыгде R1,2 = CH3; C2H5;n/m = 1 - 20,[ ] = 0,3 - 3,0,в качестве антистатического компонента для вспомогательных слоев черно-белых и рентгеновских кинофотоматериалов.

Номер патента: 1287725

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Дьяконов, Завлин, Кутюмин, Леви, Сучкова

МПК: G03C 1/31

Метки: желатиновых, пластификатор, слоев, фотоматериалов

Применение эпоксидных соединений общей формулы Iгде R = -CH2OH; в качестве пластификаторов желатиновых слоев фотоматериалов.

Номер патента: 1170745

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Бердников, Демиденко, Дьяконов, Ефимов, Завлин, Копеина, Леви, Максимова, Подлесных, Поспелова, Прокопьев, Ратнер, Роднянская, Суворин, Сучкова

МПК: C07C 233/18, G03C 1/30, G03C 1/31 ...

Метки: n-тетра-н-алкилоксиметил)диамиды, галогенсеребряных, дубителей, желатиновых, качестве, кислоты, малоновой, пластификаторов, слоев, фотографических

(N, N, N', N' - тетра-н-алкилоксиметил)диамиды малоновой кислоты общей формулы(ROCH2)2NCO-CH2CON(CH2OR)2,где R = C2H5, н-C3H7, н-C4H9,в качестве дубителей и пластификаторов фотографических желатиновых галогенсеребряных слоев.

Номер патента: 1817577

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Грицкова, Дончак, Ерофеев, Зыков, Иванов, Каданцева, Кива, Кириллов, Крендель, Несмачный, Пучкова, Рымаренко, Тимофеевич, Федорова, Януль

МПК: G03C 1/10

Метки: вспомогательных, галогенсеребряных, желатиновых, подготовки, поливу, слоев, фотографических, фотоматериала, цветного, эмульсионных

Способ подготовки к поливу желатиновых галогенсеребряных фотографических эмульсионных и желатиновых вспомогательных слоев цветного фотоматериала путем введения в них на стадии подготовки к поливу латекса полимера, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических свойств фотоматериала и упрощения технологии, в качестве латекса используют латекс сополимера формулы I:где х = 0,40,у = 0,33,z = 0,0255,р = 0,015,с молекулярной массой сополимера 500000, модифицированного пероксидным олигомером формулы II