Патенты с меткой «слоев»

Номер патента: 1566204

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Воробьев, Кац, Марков, Усик

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойной, пленки, слоев, толщины

...части можно записать в видеЗ Л = 1 ОЛ " )1 2 Л ПЕхр- КХх Ь;Ээ(8)56620 Ьх 17 лгде 1 ол ф "л фл8, К.1 / интенсивность излучения в формируемой источникомвспышке оптиче- .ского излучения,коэффициенты пропускания первого6 и второго 7 све- Отоводов и коэффициент ослабленияизлучения материалом э.-го слоя 15 Аии= ехр Полученные на каждом э-м фотоприемнике сигналы поступают в блок 4преобразования сигналов, где находится отношение видал(14) 50 для длины волныВ соответственно,В результате, одновременно каждым из фотоприемникон 3 фиксируется импульс, амплитуда которого 1 о,л; ю,л;2 ал,ПекрЕ К 1,л хо,ио,л. "л" л. ф э,л П "213э э 3.К 1 +кл. +1 Система (14) разрешима относительно Е. только в том случае, если все уравнения в ней линейно...

Номер патента: 1567867

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Трибунский, Яковлев

МПК: E01C 23/07, G01B 7/06

Метки: деформаций, конструкций, многослойных, плоской, поверхностью, слоев, толщин

...1, 2 и 3 дорожной конструкции размещают электрические проводники 4, которые в процессе изменения толщин или деформации слоев повторяют их конфигурацию. Через экранированную цепь 5 к концам линейного проводника подключают генератор 6 переменного электрического тока, создающий вокруг проводника электромагнитное поле. На плоской поверхности дорожной конструкции на высоте Н над точкой 7 измерения в вертикальной плоскости, проходящей через проводники 4, размещают индуктивный преобразователь 8 с измерительным прибором 9. Вращая преобразователь 8 вокруг оси 1 О, перпендикулярной вертикальной плоскости, фиксируют максимальный сигнал измерительного прибора 9 и угол а между вертикалью и продольной осью преобразователя 8, т.е. его...

Номер патента: 1567873

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Байгильдин, Гавриленко, Гайнутдинов

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойных, нанесении, оптических, подложку, покрытий, слоев, толщин

...иэ того, что матрица, являющаяся результатом произведения матриц, соответствующих четырем чередующимся слоям, при выборе длины волны излучения согласно (1) эквивалент на единичной матрице. Другими словами, пропускание системы слоев на длине волны, вычисленной по (1), не зависит от числа систем (ВН) или (НВ)2 нанесенных на подложку (В и Н - слои 45 с высоким и низким показателями преломления).Из (1) видно, что аргумент арксинуса не превышает единицу при любом Х. Таким образом, предлагаемый способ 50 позволяет использовать вещества с любыми показателями преломления.Длина волны Фк в зависимости от Х. системы;и - показатель преломления подложки; и - показатель преломоления исходной среды (воздух). Результаты для Х и 1/Х аналогичны.Видно, что...

Номер патента: 1574592

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Иванов, Куница, Липатов, Малюга, Несмачный, Протасова, Шевченко, Шрубович

МПК: C07C 307/00, G03C 1/005

Метки: вещество, галогенсеребряных, дикалиевая, кислоты, нанесении, олигоуретанбисмочевиноэтилсерной, слоев, смачивающее, соль, фотографических, эмульсионных

...дикалиевую соль сушат при 20 С до полного удаления растВорителя а 35Строение полученного соединениядоказывали с помощью ИК-спектроскопии, а также данными элементного анализа (найдено,%; Б 2,4; вычислено,%:8,2,19). В ИК-спектрах полученной 40соли имеются полосы поглощения 1660 -1680 см-, 1710 - 1730 см", связанные с валентными колебаниями СО-группы мочевинной и уретановой группировок соответственно, 1540 см - - 45деАормационные колебания ПН группы,широкая полоса с максимумом 3360 см-(валентные колебания ПН группы),. атакже наблюдается уширение полосы1100 см за счет наложения колеба 50ний группы ЯО.Мол.м, дикалиевой соли олигоуретанбисмочевиноэтилсерной кислотыопределялась методом эбулиоскопии.Экспериментально определенная...

Номер патента: 1578451

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Трибунский, Яковлев

МПК: G01B 7/06

Метки: многослойных, слоев, толщины

...щель 22 ориентирована вдоль проводника 24. В таком положении значение ЭДС преобразователя 1 максимальна, а ее среднее значение Е, -й, р цо - яаф -где- частота тока;Ц, - сумма площадей витков катушки индуктивности;р - относительная магнитная проницаемость материала измеряемого слоя;ро - магнитная постоянная;1 о - амплитудное значение силы тока влинейном проводнике;,р - угловая характеристика направленности преобразователя, определяемая параметрами магнитного экрана;го - расстояние от преобразователя до.линейного проводника.Сигнал преобразователяусиливается Дифференциальным усилителем 2, выпрямляется линейным выпрямителем 3, на выходе которого имеется напряжение 0=К Егде К - коэффициент усиления по напряжению усилителя 2. 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1578688

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Петрик, Щекотова

МПК: G03C 5/02

Метки: кинетики, кинофотоматериалов, набухания, слоев, эмульсионных

...и может быть применено вхимико-фотографической промышленности для определения кинетики набухания змульсионных слоев кинофотоматериалов на.гибких и жестких подложках.Целью изобретения является повышение точности определения кинетики набухания и упрощение конструкции устройства.На чертеже изображена механическая схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из полусферического полого пористого щупа 1, штока 2 с каналом 3, упругих элементов 4, тензореэисторного измерительного моста 5 и измерительной головки 6, установленных на механизме 7 перемещения их относительно стайки 8 узла крепления образца 9, установленного на подвижном столике 10, вакуумного насоса 11 и регистрирующего прибора 12. Узел крепления образца имеет нижнюю 13...

Номер патента: 1580150

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Аграновский, Брандорф, Кизилов, Ямпольский

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...оборудования.На чертеже изображено устройство,иллюстрирующее предлагаемый способ.Устройство содержит и-слойное изделие столщинами слоев Т 1 Т Т.Между слоями и на поверхности изделий расположены линейные проводники 212,На поверхности установлен индуктивныйпреобразователь 3 поля и источник 4 тока.Конструктивный размер преобразователя 3обозначен 11, расстояния от него до линейных проводников 21 - 2 п обозначены соответственно 12,"., 1 и+1, амплитуда силы токав контуре -1,Способ реализуется следующим образом.Образуют электрический контур путемобъединения проводников 2 и 22, в которыйвключают источник 4 тока с силой тока 1.Затем регистрируют величину Н напряженности поля в месте расположения преобразователя 3 поля.Эта величина определяется...

Номер патента: 1580151

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Загребельный, Новиков, Петраковский, Русак, Семизельников

МПК: G01B 7/06, G01N 27/90

Метки: двухслойных, дефектов, изделиях, обнаружения, прочности, слоев, соединения

...по величине значения электрических проводимостей, например адгезионных.Целью изобретения является повышение точности контроля при выявлении дефектов и определении прочности соединений материалов с близкими по величине электрическими проводимостями.На чертеже показан график зависимости температуры от времени, описывающий тепловые процессы в материалах соединения. На чертеже обозначено: а - верхний слой изделия, б - йижний слой изделия при импульсном нагреве верхнего слоя.Способ осуществляется следующим обра в течение времени Т( - , гдеаФормула изобретения Т(О. Барывч к Сост Техред Тираж комитета осква, Ж ский комбо изобре- 35, Ра нат Па ру, поскольку тепловая волна еще не дос-. тигла ее поверхности. Длительность первого этапа определяется...

Номер патента: 1581347

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Тодорка

МПК: B01D 35/06

Метки: магнитной, слоев, стабилизации, флюидных

...1. В трубу диаметром 100 мм насыпают Ферромагнитные частицы размером 60-80 мкм. Отношение между высотой слоя Ь и диаметром аппарата 0 равно 0 8. Аппарат помер35 щен в объем соленоида, который создает поле с градиентом ДН, коллинеар. ным направлению Ьлюидизирующего потока. После скорости минимальной люидизации получены следующие значения 40 гидравлического сопротивления ДГ и скорости.Ч, при которой магнитная стабилизация нарушается (табл.1).Величина дН определена разницей в Н, измеренной между центром соле ноида и центром слоя. Данные показывают, что при увеличении ЛН величина йР является относительно постоянной, что связано с возрастанием свободного объема в результате расширения и скорости Ч, при которой нарушаетсямагнитная...

Номер патента: 1583809

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/207

Метки: искажений, монокристаллов, приповерхностных, слоев, структурных

...0 припо 45 верхностных слоях кристалла толщиной0,2-50 нм.На заданном кристалле выбираетсясемейство кристаллографических плоскостей, составляющих угол ( с поверхностью кристалла. Это условие необходимо для того, чтобы дифракционное рассеяние пространственно разделилось с лучами, испытывающими простое полное отражение. Поскольку интенсивность ДЗП определяется интенсивностью "хвоста" кривой дифракционного отражения, то из практических соображений имеет смысл выбирать 94угол клина на 1-3 меньше угла Брэгга для выбранного порядка отражения,чтобы интенсивность ДЗП была ещедостаточно высокой.Параметры поверхностных слоев(фактор Дебая-Валлера, толщина аморфного слоя) определяют, сравниваяФорму и интенсивность дифракционногозеркальчого пика, а...

Номер патента: 1584759

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Альфонс, Хорст

МПК: G01B 21/08

Метки: активных, оптически, слоев, толщиной, фотометрическое

...информа цию об оптических свойствах соответствующего объекта и не требуют уженикаких сравнительных измерений с образцами и т.п.Не обязательно усиленную измери тельную величину 1 от покрытого слоемобъекта запоминать в запоминающемустройстве. После калибровки устроиства без дальнейших сложностей можнозамеренную величину 1 сразу преобразовать с помощью вышеуказанных операций и вывести на индикацию. Однакоцелесообразно измеряемую величинутакже запоминать в запоминающемустройстве, так что она может бытьопрошена для различных счетных операций спустя какое-то время.Снаружи вакуумной камеры 2 расположен источник 6 света, от которого5 сконцентрированный световой пучок 7 измерительного света идет в направлении на окна 3 и 4. Измерительный пучок...

Номер патента: 1585669

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Байгильдин, Гайнутдинов

МПК: G01B 11/06

Метки: многослойных, нанесении, оптических, подложку, покрытий, слоев, толщин

...отсюда получены формулы (3) и (4).Для второго слоя из (6) получаем формулу (2).Нанесение первого слоя прекращается по достижении им определенной величины, Очевидно, что наименьшаяошибка в толщине слоя получается когда нанесение слоя прекращается в точке перегиба, т.е. в точке, гдеДифференцируя дважды (5), получа-.ют формулу (1)Доказательство расширения диапазона показателей преломления наносимых слоев и подложки. Т = 3.+Б+Рф(5) Я ного Я 0 14 ---2Нанесение слоя прекращают по достижении потоком прошедшего (отраженного) излучения экстремального значения.При выполнении указанных условий оптическая толщина каждого слоя равна 0,25 ДЭто вытекает из следующих рассуждений: п ип - показатели преломления череП+ 1дующихся слоев.Поток пропущенного...

Номер патента: 1594227

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Норкин, Окунева, Осипов, Соловьев, Хабаров

МПК: D04H 1/46

Метки: прошивкой, слоев, соединения

...закрепляется болтом 28.Соединение слоев прошиваемого материала осуществляется сочетанием движения петлителя 10 и иглы 7 в направлении прокладывания шва и движения иглы в направлении прокалывания материала, при котором происходит захват нити и протягивание ее через прошиваемый материал, Последовательное чередование этих движений позволяет получать на прошиваемой заготовке шов,Работа устройства начинается включением привода 12 каретки 6, которая, продвигаясь по пазу 2 оправки 1, перемещает на своих консолях 9 и 11 иглу 7 и петлитель 10 относительно прошиваемой заготовки 4. Одновременно с включением привода 12 каретки 6 начинает работать привод иглы 7, перемещающий иглу для прокалывания заготовки. Синхронно с перемещением иглы начинают...

Номер патента: 1595847

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Белкин, Зырянова, Крупнов

МПК: C07F 9/12, C07F 9/58, G03C 1/30 ...

Метки: галогенсеребряных, дубителей, желатинсодержащих, качестве, слоев, три-пиридиний(пиколиний)хлоридофосфаты, фотографических

...соль продукта поликонденсации .1 моль октаглицерида 2-этилгексинилянтарной кислоты с 2 моль 2-этилгексилянтарного ангидрида, смачиватель 0,5"1,5 0,12-0,72 СВ- динатриевая соль диэтилово- го эфира Мдецил-оксипропил-И фкарбоксисульфопропионил)аспарагиновой кислоты, полисдуариддекстран, глицерин и в качестве дубителя - предлагаемое соединение (К = Н, СН ), Полученнуюэмульсию наносят на триацетатную основу, поверх эмульсионного слоя наносят защитный слой включающий желатинсмачиватель СВ- натриевую сольди-этилгексилового эфира сульфоянтарной кислоты, фенол, глицерин,калий азотнокислый, Фенил-меркаптотетразол, триэтаноламин и в качестве дубителя предлагаемое соединение (К = Н, СН), Дубитель вводятв количестве 0,5-1,5 г/кг эмульсииО и в...

Номер патента: 1599124

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гетманенко, Лазарев, Савченко, Тимченко, Шевченко

МПК: B05C 5/02

Метки: нанесения, светочувствительных, слоев

...2, и светочувствительные слои наносятся на подложку экструзионной головкой 6. При прохождении склейки через зону нанесения необ 1599124ходим отвод экструзионной головки 6 от поливного валика 2. Так как утолщение подложки в месте склейки не может пройти через рабочий зазор порядка 300 мкм между опорным валиком 2 и головкой 6. После прохождения склейки головку 6 необходимо снова подвести к валику 2, причем для быстрого схватывания наносимой жидкости с подложкой головка 6 сначала подводится на расстояние порядка 100 - 150 мкм, а затем отводится на рабочее расстояние. В положении отведенной головки 6 от опорного валика 2 устройство изображено на фиг. 2. Приводная ползушка 5 находится в крайнем правом положении, а промежуточная ползушка 7...

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1599732

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Гоганов, Гуткевич, Имамов, Ломов, Новиков

МПК: G01N 23/20

Метки: искажений, монокристалла, приповерхностных, слоев, совершенного, структурных

...0,5-50 нм.Способ осуществляется следующимобразом.Для исследуемого кристалла выбирается семейство дифракционных плоскостей, составляющих с поверхностьюкристалла угол ) ( 9 ь, Поскольку интенсивность ПБП тем выше, чем меньшеугол отклонения от точного угла Брэгга, то следует выбирать (8 -(О) ".о Бг-. 1 - 3, а для повышения локальности необходимо, чтобы значение (6 ьр+ Ц)обыло близко к 90 . Для стандартныхполупроводниковых кристаллов, используемых в промьппленности, удобно выбирать следующие отражения: при ориентации поверхности 1111 - отражение (311) и излучение М, Со, Ре,а при ориентации 100) - отражение(311), (400) и излучение Сц. При использовании стандартныхисточников излучения монохроматизация падающего пучка не...

Номер патента: 1604870

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Балюк, Ковалев, Крыжановский, Лозовский, Овчаренко, Юрьев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10...

Номер патента: 1607887

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Бакалов, Волков, Гущин, Куничан, Попов, Потемкин

МПК: B01D 37/04, G05D 27/00

Метки: дисперсных, жидкости, подачей, промывки, промывной, процессах, слоев, экстрагирующей, экстракции

...имеют длину 1. и амплитуду ЛН,р. Толщина слоя постоянно определяется датчиком 3. Для достаточно четкого слеженияза толщиной слоя, как показывают эксперименты, разрешение 1 датчика контроля толгцины слоя должцо быть менее 0,2 1Текущие изменения толщины слоя, опрелеляемые датчиком 3 с помощью блока 4 5 управления и регулируемого клапана 5, вызывают изменения расхода экстрагента (промывной жилкости)подаваемой через ороситель 2, причем закой изменения расхода в зависимости от толщины слоя при заданнои скорости движения устанавливаетсяю10 на основе экспериментальных данных по ко личеству удержанного извлекаемого из слоя компонента в зависимости от толщины слоя.Лля обеспечения эффективного регулирования постоянная времени контура управления...

Номер патента: 1609856

Опубликовано: 30.11.1990

Автор: Зайченко

МПК: E02D 1/00

Метки: верхних, деформаций, слоев, сред, уплотняемых

...чтобы верхняя поверхность крьппки 3 совпадала с поверхностью уплотняемой среды, Расстояние между наружными поверхностями крьппки 3 и основания 4,т.е. толщину измеряемого слоя уплотняемой среды регулируют путем выдвиФжения цилиндра 2. После установки , устройства в уплотняемую среду пор,шень 6 опускают до упора в основание вручную и проводят первичные измерения расстояния от базовой поверхности в крышке 3 до торцов поршня б и стержня 5. Затем закрывают отверстие в крышке пробкой 8 и прикладывают уплотняющую нагрузку, благодаря которой происходит деформация уплотняемой среды. Цилиндры 1 и 2 .перемещаются один относительно другого, соответственно, происходит и относительное перемещение поршня б и внутреннего цилиндра 2. Взаимное положение...

Номер патента: 1610239

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Аграновский, Брандорф

МПК: G01B 7/06

Метки: слоев, толщины

...22 в состояние, при котором на его выходе появляется уровень лоГической единицы, Поэтому элемент 25 равнозначности выполняет функцию повторителя. В процессе дальнейшего движения эллипсоид 5, магнитный момент М которого направлен, например, слева направо, входит в участок первой трубки 2, размещенный в объекте 1 контроля, и по мере приближения к преобразователю 4 на его выходе появляетсянапряжение О 4, зависимость от времени которого изображена на фиг,2, Это напряжение поступает на вход блока 27 дифференцирования, На его выходе зависимость выходного сигнала О 27 имеет вид, показанный на фиг.2. Нули О 27 соответствуют экстремумам О 4, При этом положение регистрируемых экстремумов практически не изменяется при воздействии внешних полей за...

Номер патента: 1610425

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Афанасьев, Бабенко, Погодин, Румянцев

МПК: G01N 27/90

Метки: глубины, металлических, поверхностно-обработанных, слоев

...обработки образца, уменьшают рабочую частоту преобразователя и синхронно по показаниям индикатора прибора, регистрируют,диаметром 0,8-1,2 мм. По полученным- -фрезультатам строили тарировочныеграфики для каждоо контролируемогоматериала, из которых в дальнейшемопределяли глубину упрочненного слоя,Повторяемость результатов во всейпартии образцов, обработанных на од"ном режиме, свидетельствует о высо кой точности определения глубины поверхностно-упрочненного слоя предла 1гаемым методом.Проводя аналогичные операций наповерхности контролируемого изделия, 15 определяли с помощью полученных тарировочньгх графиков глубину поверхностно-обработанных слоев. вносимые параметры вихретоковогоприбора, связанные с б , усредненной в активном слое,...

Номер патента: 1613995

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Зубов, Кошелев, Тверской, Ткачев, Фролова

МПК: G03G 5/06, G03G 5/07

Метки: качестве, кислоты, метакриловой, основе, полиэтоксипропилкарбазола, сенсибилизаторов, слоев, сополимеры, электрофотографических, эфиров

...45 5 16139 Анализ ИК" и УФ-спектров (пример 1) показал присутствие в сополимерах хромофоров динитрофлуоренона. Степень ацилирования составляет 6 моп.й, М =32000, с=77, та=17, п=16 моп.Ж.П р и м е р 7 ( К) . Из 2,50 г .ДНФК получают хлорангидрид по примеру 1. Раствор полученного хлорангидрида в 25 мп ДМАА прикапывают к раствору 0,60 г сополимера ГЭМА (90 мол.й) и ДМА в 20 мл ДМАА и 0,43 мп пиридина. Реакцию и обработку полученного полимера проводят по примеру . В результате получают 2,70 г полимера. Анали, ИК- и Уф-спектров (пример 1) показап присутствие в сополимере хромофоров динитрофлуоренона. Степень ацилирования составляет 79 мол.Е; М=5000, 1=10, ш=11, п=79 мол. . 20Исходные полиметакрилаты получены сополимеризацией...

Номер патента: 1619149

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Орлов, Полудницын

МПК: G01N 27/83

Метки: глубины, локально-упрочненных, поверхностных, слоев, ферромагнитных

...выходом блока стробирования.Устройство работает следующим образом,Источник 1 переменного тока, работающий в режиме поддержания постоянного магнитного потока (О = сопя), создает ток 1(т) 12 который, протекая по первичной обмотке индукционного преобразователя 2, перемагничивает контролируемый участок иэделия (не показано). Во вторичной обмотке индукционного преобразователя 2 индуцируется ЭДС от шумов Баркгаузена е(т) 13,5 10 15 20 25 30 35 которая несет в себе информацию о двух потоках магнитного шума: от неупрочненной основы изделия и с поверхности упрочненного слоя, поле старта последних смещено в область полей с более высокой напряженностью. ЭДС е(т) поступает на вход блока 9 измерения.Рассмотрим принцип формирования строб-импульсов...

Номер патента: 1622490

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Володин, Набатов, Яльцев

МПК: E01C 23/07

Метки: дорожных, одежд, слоев, уплотнения

...веер дополнительных световых лучей 16, расположенных в плосткости, параллельной опорной, Перед уплотнением слоя основные фотоприемники 9 и 10 совмещают с опорной световой плоскостью 14, при этом дополнительные фотоприемники 12 и 13 попадают в плоскость дополнительных лучей 16. В процессе уплотнения слоя за счет его осадки происходят вертикальные смещения копирующих роликов 3 и 4, и фотоприемники 9 и 10 выходят иэ опорной световой плоскости 14. В этом случае информационно-обрабатывающая аппаратура подает команду на подъемные механизмы 7 и 8, которые вертикальным перемещением штанг 5 и 6 возвращают фотоприемники 9 и 10 в опорную световую плоскость 14, с дополнительные фотоприемники 11 и 12 - в плоскость дополнительных световых лучей...

Номер патента: 609428

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Драгунов, Киверштейн, Локшин

МПК: B29D 30/30

Метки: барабан, корда, наложения, слоев

...5 с прижимными роликами 6 иножом 7 с электрообогревом, заднююстойку 8 с направляющим лотком 9 иподвижно установленным столом 10 сприжимной планкой 11. Вдоль кромкиподвижного стола 10 расположены вакуум-присосы 12, На станине 2 установлена Г-образная стойка 13 с пневмоцилиндром 14 и приводным роликом 15для барабана 1,На передней стойке 5 каретки 4смонтированы направляющие 16, между 15которыми установлен с возможностьюперемещения ограничительный ролик 17,смонтированный на рамке 18, взаимодействующей с прижимной планкой 1.Рамка 18 установлена с возможностью 20поворота относительно прижимной планки 11.Устройство работает следующим образом.Перед началом работы непрерывная 25лента 19 корда через направляющий ло- .ток 9 закрепляется под...

Номер патента: 1625913

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Барыбин, Бусел, Евреинов, Ковалев, Федоров

МПК: E01C 23/03

Метки: дорожных, защитных, нанесения, покрытий, слоев

...покрытию (направление движения указано на фиг.1). Во время 40 движения базового средства 1 органическое вяжущее, нагретое до рабочей температуры нагревательными элементами 5, из емкости 4 насосом 13 по материалопроводу 7 подается к газонасы щающему активирующему приспособлению 8, Одновременно к последнему от баллона 2 через вентиль 3 по газопроводу 5 подают азот, который через штуцер 19 поступает в полость между трубой 16, стаканом 18 из прессованного порошка и заглушками 17, Органическое вяжущее, выходящее из трубопровода 7 попадает во внутреннюю полость ста 9кана 18 через пористые стенки котоВ5 рого проникает азот, вызывая гаэонасыщение и предварительную активацию органического вяжущего, Вяжущее, насьшенное гаэообразньгч азотом,...

Номер патента: 1640220

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колесниченко, Кукоз, Лозовский, Тузовская

МПК: C30B 19/06, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: легированных, летучей, примесью, слоев

...равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А....

Номер патента: 1640620

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Лобанов, Марков, Павлов

МПК: G01N 25/56

Метки: влажности, конструкций, поверхностных, слоев, строительных

...2 Нс, Он = 20 с.Для выполнения измерений, например на вертикальной стенке устройство приставляют к контролируемой зоне и прижимают к стенке распоркой (не показана). Устройство подключают через коробку 15 к сети, подсоединяют вторичный прибор термометров(не показан) и, контролируя температуру бетона, поддерживают нагревустановленное время или до прекращения поступления пара в водосборную полость 11, что можно хорошо видеть через окно 8 по прекращению стекания капель воды. По окончании нагревания устройство снимают, переворачивают вертикально патроном конденсатора 7 вверх и по шкале через окно 8 измеряют количество собранного конденсата.Время прогрева до прекращения выделения пара зависит от пористости материала. Для крупнопористых...

Номер патента: 1584649

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Туриянский

МПК: H01L 21/268

Метки: имплантированных, кремния, отжига, слоев

...пласти. ны с толщиной 400 мкм р 10 Ом.П р и м е р .4. То же,. что,в при" меах 1-3, но в качестве источника 10 изучения для проведения антнпланариоо отжига на длине волны М0,9 мкм ийользуют лазер на кристалле ЫР (с Р-ентрами)., накачиваемый рубиновым лайнером наносекундного диапазона. 15,П р и м е р 5. То же, что в при-, мерах 1-4, но в качестве источника излучения для проведения антипланариого отжига на длине волны М 1,2 мкм исттользук 1 т на кристалле ИР (с Р"цент"20 рами , накачиваемой лазером УАСМ+Предлагаемое изобретение позволяет значительно повысить эффективность отжига имплантированных слоев кремния при облучении полупроводниковойпластины импульсом света наносекундного диапазона с антипланарной стороны, Отжиг может быть...