Способ получения слоев двуокиси кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2472230/25, 04.04.1977
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Дроздов В. Н, Васильева Л. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/20
Метки: двуокиси, кремния, слоев
Опубликовано: 20.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-676100-sposob-polucheniya-sloev-dvuokisi-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев двуокиси кремния</a>
Предыдущий патент: Устройство для тревожной сигнализации
Следующий патент: Припой для пайки меди и ее сплавов
Случайный патент: Вычислительный логарифмический прибор