Способ получения слоев двуокиси кремния

Номер патента: 676100

Авторы: Васильева, Дроздов

Описание

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

Заявка

2472230/25, 04.04.1977

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Дроздов В. Н, Васильева Л. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, слоев

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-676100-sposob-polucheniya-sloev-dvuokisi-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев двуокиси кремния</a>

Похожие патенты