Способ формирования слоев пористого кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

G = i/1,5 + 30,
где G - освещенность, люкс;
i - плотность тока электролитического анодирования, мА/см2.
Заявка
4253099/25, 06.04.1987
Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина
Изидинов С. О, Блохина А. П, Исмайлова Л. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: кремния, пористого, слоев, формирования
Опубликовано: 10.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1459542-sposob-formirovaniya-sloev-poristogo-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ формирования слоев пористого кремния</a>
Предыдущий патент: Ролик зоны вторичного охлаждения машины непрерывного литья заготовок
Следующий патент: Импульсный вакуумный затвор
Случайный патент: Устройство для измерения градиента индукции магнитного поля