Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков

Номер патента: 524492

Авторы: Дворецкий, Сидоров

Описание

Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков, отличающийся тем, что, с целью выращивания полупроводников и диэлектриков в атмосфере с содержанием кислорода и летучих кислородсодержащих соединений меньше 1 ppm, очистку производят в реакционной зоне в процессе выращивания путем введения в газовую фазу реакционной зоны контролируемого количества элемента, не являющегося электрически активной примесью и образующего прочные соединения с кислородом, например алюминия, при выращивании полупроводников типа A3B5.

Заявка

1897585/25, 26.03.1973

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Сидоров Ю. Г, Дворецкий С. А

МПК / Метки

МПК: H01L 21/36

Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных

Опубликовано: 27.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-524492-sposob-ochistki-gazovojj-fazy-ot-kisloroda-i-letuchikh-kislorodsoderzhashhikh-soedinenijj-v-reakcionnojj-zone-pri-vyrashhivanii-ehpitaksialnykh-sloev-poluprovodnikov-i-diehlektriko.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков</a>

Похожие патенты