Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
1897585/25, 26.03.1973
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Сидоров Ю. Г, Дворецкий С. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/36
Метки: выращивании, газовой, диэлектриков, зоне, кислорода, кислородсодержащих, летучих, полупроводников, реакционной, слоев, соединений, фазы, эпитаксиальных
Опубликовано: 27.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-524492-sposob-ochistki-gazovojj-fazy-ot-kisloroda-i-letuchikh-kislorodsoderzhashhikh-soedinenijj-v-reakcionnojj-zone-pri-vyrashhivanii-ehpitaksialnykh-sloev-poluprovodnikov-i-diehlektriko.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки газовой фазы от кислорода и летучих кислородсодержащих соединений в реакционной зоне при выращивании эпитаксиальных слоев полупроводников и диэлектриков</a>
Предыдущий патент: Катализатор для синтеза хлористого метила
Следующий патент: Устройство для обрезки труб
Случайный патент: Способ получения 5, 5-дихлор-2, 2-диоксидифе. нил-метана