C23C 14/28 — с использованием волновой энергии или облучения частицами

Номер патента: 475670

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Андреев, Владимиров, Расторгуев

МПК: C23C 14/28, H01F 10/00, H01F 41/14 ...

Метки: изменения, магнитных, пленок, стабилизации, тонких, характеристик

...писания Об.10.) Авторы изобретения асторгуев и Н. К, Владими(54) СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТОН СТАБИЛ ИЗАЦИХ МАГНИТНЫХ 2 Известные способы по характеристик тонких ма нологически сложны, дл не обладают воспроизвод тов. шает дисперсию оси легкого намагничиванна 12 - 157 О,ышения магнитных нитных пленок техтельны по циклу и имостью результаедмет изобрете бил маг ески щи ни не ия и ста тонких ролитич лич аю т облуче тученияом способе упического процблучения тонкии в течение 0,530 С, чем призотропии на 8 Союз Советских Социалистических РеспубликВ описываемрение технолоприменением оновыми лучампературе 10 -нию поля ани рощение и ускосса достигнуто х пленок рентге.- 2 час при темодит к увеличе - 10/о и уменьСпособ изменен ных...

Номер патента: 646578

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Козленков

МПК: C23C 14/28

Метки: генератора, квантового, оптического, пленок, помощи, тонких

...ос"етаточного газа, от рабочего вакуумаЗ 0 в камере и степени взаимодействияподложки с молекулами остаточногосгаза) испаряют мишень 13 излучениемлазера 2, работающего в режиме упорядоченных пульсаций, который приводятв действие с помощью блока синхронизации 23. Пленки легируют во время,напыления при помощи лазера 3, излучением которого воздействуют на мишень 14. Конденсируемое на подложку15 вещество подогревают излучениемлазера 4, работающего в этом же режиме. Осажденную пленку через 1 м.секпосле окончания напыления отжигаютизлучением лазера 5, работающего врежиме модулированной добротности.Полученная тонкая эпитаксиальнаяпленка может служить затравкой длянаращивания толстых монокристаллических пленок; С этой целью описан 50 ный процесс...

Номер патента: 717926

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов

МПК: C23C 14/28

Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур

...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...

Номер патента: 1814665

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Багмут, Николайчук

МПК: C23C 14/28

Метки: аморфных, металлических, пленок

...эффекта (получение и стабилизация аморфной фазы) в изобретении,заключается в том, что испарение и конденсация осуществляются в среде малоактивного по отношению к распыляемомуметаллу газа.Предварительно в испарительной камере создают высокий вакуум (давление 10-5Па), что исключает загрязнение рабочей газовой среды нежелательными примесямивоздуха, Далее в испарительную камеру напускают газ до давления Р=90 - 130 Па. Газ не должен образовывать химсоединения с распыляемым металлом. Выбор газовой среды определяется способностью металла к хемосорбции. Классификация металлов по их способности к хемосорбции приведена в таблице,Согласно таблице при напылении Со для получения аморфной пленки такие газы, как 02; Й 2, Нг не подходят,...

Номер патента: 1658656

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Рубан, Свиридович, Точицкий

МПК: C23C 14/28

Метки: высокотемпературных, металлооксидных, пленок, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий испарение мишени из наносимого материала в атмосфере кислорода импульсным лазерным излучением, осаждение его на нагретую подложку и охлаждение подложки в два этапа в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и повышения технологичности процесса, испарение материала осуществляют при плотности мощности лазерного излучения 107 - 108 Вт/см2, частоте следования импульсов не более 15 Гц и давлении кислорода (0,13-13)Па, температуру подложки в процессе осаждения поддерживают в диапазоне (853-1023)К, охлаждение подложки на первом этапе проводят со скоростью не более 35 К/мин до температуры...

Номер патента: 738425

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Лузин, Мендрин, Соколова, Худяков

МПК: C23C 14/28

Метки: кристаллического

1. Способ получения кристаллического материала, включающий напыление ионов материала на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры плавления материала и повышения диффузионной подвижности атомов, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эФ.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.

Номер патента: 681982

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Лузин, Мендрин, Соколова, Худяков

МПК: C23C 14/28, C23C 14/58

Метки: аморфного, твердого, тела

1. Способ получения аморфного твердого тела, включающий напыление металла на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени аморфизации выше рентгеноаморфного состояния, уменьшения зон когерентного рассеяния, увеличения толщины аморфных изделий, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эВ до достижения концентрации атомов гелия 1 - 15 ат.%, после чего изделие нагревают до температуры плавления полученного изделия и охлаждают до комнатной температуры, причем нагрев и охлаждение проводят со скоростью 102 - 106 град/сек.2. Способ по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1156401

Опубликовано: 10.04.2005

Авторы: Данилов, Либуркин, Хотилин

МПК: C23C 14/28

Метки: испаритель, подачи

1. Устройство для подачи материала в испаритель, содержащее водоохлаждаемый тигель и механизм продольного перемещения штабика из испаряемого материала в тигле, выполненный в виде водоохлаждаемого штока, кинематически связанного с приводом продольного перемещения, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства за счет исключения примораживания поверхности расплава материала к стенкам тигля, оно снабжено приводом радиального качания штабика в тигле, который снабжен поводком, установленным на штоке. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что привод качания выполнен в виде кривошипно-кулисного механизма с кулисой в виде продольной направляющей с пазом, в...

Номер патента: 1536856

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Артоболевская, Евстропов, Качанов, Тазенков

МПК: C23C 14/28

Метки: вакууме, нанесения, слоев, фотопроводниковых

Устройство для нанесения фотопроводниковых слоев в вакууме, содержащее вакуумную камеру, испарители, подложкодержатель и натекатель воздуха, отличающееся тем, что, с целью повышения качества селеновых слоев, оно содержит ионизатор, оптически непрозрачный экран и активатор кислорода, электрически соединенный со стенками вакуумной камеры, включающий замкнутую полость, внутри которой расположены ионизатор и натекатель, стенки полости снабжены отверстиями, причем отношение суммарной площади всех отверстий к суммарной площади внутренней поверхности полости составляет 0,01-0,001, а экран расположен между активатором и рабочей поверхностью подложкодержателя.

Номер патента: 1628561

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Астапчик, Хатько

МПК: C23C 14/28

Метки: нитридных, покрытий, формирования

Способ формирования нитридных покрытий, включающий воздействие импульсного лазерного излучения на поверхность подложки в азотсодержащей среде при длительности лазерного импульса 10 -3-10-6 с и плотности мощности лазерного излучения 2·106 - 1010 Вт/см2, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа, в качестве азотсодержащей среды используют слой жидкости азота, сформированного на поверхности подложки, причем толщину слоя жидкого азота выбирают в интервале (2-5)D, где D - диаметр лазерного пятна на поверхности, равной 0,5-1,5 мм.