Устройство для маркировки полупроводниковых приборов

Номер патента: 152031

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Прохоров, Шеховцов

МПК: H01L 29/06

Метки: германиевый, полупроводниковый, прибор

...до первоначального значсния, а изменяется в соответствии с изменением величины заряда неосновых носители, Обусловленым рекомбинацией в объеме и на пздводящих контактах. Только после полной ре комбинации заряда неосновных носителей проводимость первой базы; примет свое первоначальное значение, Поэтому импульс на сопротивлении 4 фиг. 2) (1, включенном последовательно со второй базой 5, станет длиннее входного. Наибольшим будет удлинение импульсоз, длительность которых меньше времени жизни неосновных носителей меньше времени пролета носителей в первой базе 3.В случае изготовлеия удлипителя нз ВысокоомОГО матер 112 ла выходной импульс в результате большого падения входного импульса и накопления заряда неосновных носителей...

Номер патента: 383125

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гуткин, Дмитриев, Наследов

МПК: H01L 31/0224

Метки: полупроводниковый, прибор, фоточувствительный

...определяется обоими выпрямляющими контактами, поскольку коэффициент поглощения мал, и излучение проникает во всю толщу полупроводника, Так как электрические поля запорных слоев в таком поверхностно-барьерном диоде направлены противоположно, то фототоки (или фотоэ. д. с.), обусловленные обоими запорными слоями, вычитаются. В области основной полосы поглощения, где коэффициент оптического поглощения К=104 - 106 см -и эффективная глубина проникновения излучения 1/К= = 10 4 - 10 6 см,фоточувствительность определяется лишь выпрямляющим контактом у освещаемой стороны. Для осуществления электронного переключения предлагаемого прибора на режим избирательной чувствительности при ЕЕи ЛЕ=А со сменой знака фотосигнала достаточно приложить к...

Номер патента: 782640

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Богун, Карпова, Корнилов, Привезенцев

МПК: H01L 29/82

Метки: магниточувствительный, полупроводниковый, прибор

...противоположной грани болеедиффузионной длины дырок.Прибор выполнен следующим образом,В качестве полупроводника использованмонокристалл кремния, содержащего цинкв концентрации К= 1 104 см -и и фосфор в концентрации Мр -- 1,5 10-4 смРазмеры параллелепипеда составляюткоторые находятся на расстоянии 0,12 см,0,12 Х 0,08 х 0,06 см, В казачестве контактов,использован алюминий, напыленный наторцы параллелепипеда, Для полученияразной шероховатости одна грань параллелепипеда, перпендикулярная контактами параллельная линии действия мангитного поля, шлифовалась абразивным порошком с размером зерна порядка 10 мкм,а другая, ей противоположная, подвергалась химико-механической полировке. Онинаходятся на расстоянии 0,06 см,Прибор работает следующим...

Номер патента: 1118242

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Вальд-Перлов, Сибирцев

МПК: H01L 23/367

Метки: многоэлементный, полупроводниковый, свч-прибор

МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ-ПРИБОР, состоящий из по крайней мере трех одинаковых диодных структур на основе широкозонного материала, преимущественно арсенида галлия, непосредственно контактирующих по плоскости перехода с металлическим теплоотводом и соединенных межэлементными соединениями, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных и повышения надежности работы прибора, диодные структуры расположены в углублениях в теле теплоотвода в форме цилиндра или усеченного конуса, боковые поверхности диодных структур непосредственно контактируют с теплоотводом, переходы изолированы по периферии от теплоотвода полуизолирующими слоями из того же широкозонного материала, а поверхность теплоотвода покрыта слоем...

Номер патента: 1793819

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кононенко, Осипов

МПК: H01S 3/18

Метки: лазерный, полупроводниковый, прибор

...1 с р-п-переходом, оптический резонатор, образованный зеркалами 2 и 3,катушку индуктивности 4, включенную последовательно с полупроводниковой пластиной 1, импульсный соленоид 5, в которыйпомещена катушка 4.Прибор работает следующим образом,Когда соленоид 5 генерируется импульсмагнитного поля, в катушке 4 наводитсякристалла клеем БФ. При помощи держателя из оргстекла инжекционный лазер помещают в рабочую полость соленоида30 биттеровского типа. Параметры соленоида;наружный диаметр 25 мм, внутренний диаметр 6 мм, длина 25 мм, число витков 1,емкость батареи конденсаторов 100 мкФ,напряжение на конденсаторах - до 3 кВ,длительность импульса магнитного поля 40мкс, магнитная индукция в центре рабочейполости до 12,5 Т,В магнитном...