Способ определения типа симметрии поверхностной сверхрешетки полупроводниковых пластин и устройство для его осуществления

(51) С 01 В 11/30 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ИЗОБРЕТЕДЕТЕЛЬСТВУ А ВТОРСКОМУ Гф 37рственный унникона(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА СИММЕТ РИИ ПОВЕРХНОСТНОЙ СВЕРХРЕ 111 ЕТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ .(57) Изобретение касается исследования полупроводниковых материалов, в частности исследования физических свойств поверхности, и манжет быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев, Целью изобретения является повышение производительности опрецеления за счет интегрального определения симметрии поверхности в про(56) АвторскоеФ 1298542, кл,слои анизотропного жидкого диэлектрика. Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя. Прозрачный электрод 7, жестко закрепленныйна поворотной части 3, приводят вконтакт со слоем диэлектрика, наесенного на пластину 11. Обе части 2 и 3держателя скрепляют с помощью накидныхпружинных стопоров 6, входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс электрическогополя, поворачивают молекулы слоя анизотропного диэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на уголот 0 до 90 . С помощью шариковых подпружиненных фиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота фикси-руют. Освещают устройство от источника 1 света, длина волны которого принадлежит области собственного поглощения полупроводниковой пластины 11.С помощью блока 1 О регистрации измеряют величину фото-ЭДС, возникающую впластине 11, при каждом зафиксированном угле поворота электрода 7. 2 с.и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.Изобретение относится к областиисследования полупроводниковых материалов, в частности исследования физических свойств поверхности, и может быть использовано при выращивании эпитаксиальных слоев,целью изобретения является повышение производительности определенияза счет интегрального определениясимметрии поверхности в процессе однократного цикла измерений.На фиг. 1 представлена схема устройства для определения типа симметрии поверхностной сверхрешетки; на 15фиг,2 - разрез А-А на фиг.1.Устройство содержит источник 1 света, держатель пластин, состоящий из.неподвижной 2 и поворотной 3 частей,Неподвижная часть 2 включает электрод 4, шесть шариковых подпружиненныхфиксаторов 5 и накидные пружинные стопоры б. Поворотная часть 3 включаетпрозрачный электрод 7, выполненныйв виде пленки двуокиси олова, нанесенной на стекло. На внутренней стороне поворотной части 3 с шагом в 1нанесены сферические углубления 8, ана внешней ее стороне расположен кольцевой паз 9, использующийся для фик Осации всей конструкции. Фотоэлектрический сигнал измеряется с помощьюблока 10 регистрации. Исследуемаяполупроводниковая пластина 11 со слоем анизотропного жидкого диэлектрикавместе с электродами 4 и 7 выполняетроль фотодатчика.Способ осуществляется с помощью устройства следующим образом,На пластину 11 полупроводника наносят слой анизотропного жидкого диэлектрика, Затем пластину 11 со слоем диэлектрика устанавливают на электроде 4 неподвижной части 2 держателя.Прозрачный электрод 7, жестко закрепленный на повторной части 3, приводят в контакт со слоем диэлектрика,нанесенного на пластину 11, Обе части 2 и 3 держателя скрепляют с помощью накидных пружйнных стопоров 6,входящих в кольцевой паз 9. Прикладывая к электродам 4 и 7 П-импульс.: электрического поля, поворачиваютмолекулы слоя анизотропнаго жидкогодиэлектрика. Затем поворачивают прозрачный электрод 7 на угол 0 - 90",С помощью шариковых подпружиненныхфиксаторов 5 и сферических углублений 8 угол поворота Фиксируют, Осве,щают устройство от источника 1 света длина волны которого гринадлежит об;ласти собственногопоглощения полупроводниковой пластины 11, Г помощью блока 10 регистрации измеряют величину фото-ЗДС, возникающую в пластине 11, при каждом зафиксированном угле поворота электрода 7, строят зависимость величины фото-ЭДС от угла поворота. По числу максимумов этой зависимости определяют количество осей легкогоориентирования, вдоль которых укладываются молекулы жидкого кристалла,и соответственно тип симпйтрпи поверхностей сверхрешетки, характеризуемыйэтими осями симметрии,ф о р м у л а изобретения1. Способ определения типа симметрии поверхностей сверхрешетки полупроводниковых пластин, заключающийся в том, что освещают полупроводниковую пластину пучком излучения, регистрируют фотоэлектрический сигнал,анализируют его и определяют тип симметрии поверхностной сверхрешетки,отличающийся тем, что, сцелью повышения производительностиопределения, наносят на поверхностьполупроводниковой пластины слой анизотропного жидкого диэлектрика, поворачивают его относительно оси, перпендикулярной поверхности иссле 1 емой пластины, на угол О - 90освещение исследуемой поверхностипластины производят излучением из области собственного поглощения этойпластины, измеряют величину фотоЭДС, возникающей в исследуемой полупроводниковой пластине, строят зависимость величины фото-ЗДС от углаповорота слоя анизотропного жидкогодиэлектрика, а тип симметрии определяют по числу максимумов этой зависимости,2, Способ по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что поворот молекулслоя анизотропного жидкого диэлектрпка осуществляют путем приложения Пимпульса электрического поля напряженностью (2-9) 10 В/см.3. Устройство для определения тппа симметрии поверхности сверхрешетки полупроводниковых пластин, содержащее источник излучения, держатель пластин, имеющий поворотную н непо;.- вижную части, Фотодатчик, датчик ре -ос тавитель Л. Лоб зов аехред Л,Олийнык Корректор С.Черни едактор 0.10 рковецка аказ 3039 Тираж 495 НИИПИ Государственного комитета по изобрете 113035, Москва, Ж, Раушскдписн и ГКНТ СССР ям и открыт наб., д. 4 т гарина, 10 1 роизводственно-издательский комбинат Патент", г.ужгород, у 5 15975366гистрации угл поворота держателя и жателя пластин, и шариковых подпрурегистрирующий блок, о т л и ч а ю - жиненных фиксаторов, расположенных щ е е с я тем, что держатель плас" на неподвижной части держателя.тин выполнен из двух электродов, 5 4, Устройство но п.З, о т л и - один из которых выполнен прозрачным ч а ю щ е е с я тем, что неподвижи жестко закреплен на поворотной час- ная часть держателя пластин снабжети держателя пластин, датчик регист- на накидными пружинными стопорами рации угла поворота выполнен в виде с шариковыми фиксаторами, входящими совокупности сферических углублений, 10 в кольцевой паз, выполненный на по- нанесенных на поворотную часть дер- воротной части держателя пластин,