Устройство для определения момента окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 119) 51)5 С 01 Х 5/00 ГОС Д ПО ЗО ПРИ ГН К ы В 1(57) пол3 И н ол та т ех ров моме иост тр опрлениковь(21 (22 (46 (71 тут (72 О.В (53 (56 про АРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ БРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ 4464527/31-2522.07.8823.11.90, Бюл . Р 43Московский энергетический инсти Н,И,Михалев, А.Ф.Монахов,Петров, А.И.Попов и Г.П.Степанов543.2:532:73-3 (088.8)Курносов А.И, и др. Технологиязводства попупроводниковых прибои интегральных микросхем. - М.:ая школа, 19 79, с, 3 7.вторское свидетельство СССР64586, кл, С 01 М 5/00, 1983.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МО=А ОКОНЧАНИЯ ТРАВЛЕНИЯ НАРУШЕННОЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРИзобретение относится к полупроиковой технике и может быть исзовано в промышленных условиях,обретение относится к полупроковой технике и может быть исовано в промышленных условиях,же в лабораторной практике дляоля травления нарушенного послеической обработки слоя полудниковых структур и определенията его полного стравливания.ь изобретения - повышение точ-,определения момента окончанияения нарушенного слоя попупроковых структур,фиг, 1 показано устройство для.еления момента окончания травнарушенного слоя полупроводниструктур, на фиг. 2 - график а также в лабораторной практике для контроля травления нарушенного после механической обработки слоя полупроводниковых структур и определения момента его полного стравливания, Целью изобретения является повышение точности определения момента окончания травления нарушенного слоя. Устройство содержит весы, сосуд с травителем, штангу и элемент для закрепления полупроводниковой структуры. Один конец штанги установлен на коромысле весов, а другой соединен с сосудом для травителя. Устройство снабжено системой из двух неподвижных блоков. При этом у каждого из блоковФ,а к одному концу нити подвешен сосуд Ж с травителем, а к другому концу нити - элемент для закрепления полупро-, водниковой структуры. 2 ил зависимости скорости изменения массы полупроводниковой структуры от времени травления.Устройство содержит сосуд 1 для травителя и элемент 2 для закрепления полупроводниковой структуры 3, связанные между собой посредством двух блоков 4, нити которых одними концами 5 прикреплены к элементу 2, а другими концами 6 присоединены к сосуду 1. Сосуд 1 с травителем установлен на передающей штанге 7, соединенной с коромыслом 8 аналитических весов с автоматической регистрацией изменения величины разбаланса и скорости изменения разбаланса.10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 3 160Изменение массы и скорость изменения массы фиксируются на фотобумаге 9 (барабан) с помощью регистрирующей системы, состоящей из катушки 10 индуктивности, магнитов 11 и гальванометров 12 и 13.Устройство работает следующим образом..Сосуд 1 устанавливают на передаю щую штангу 7, нити двух блоков 4 закрепляют как показано на фиг. 1. Полупроводниковая структура 3 с нарушением в результате механической обработки приповерхностным слоем закрепляется на элементе 2. Далее сосуд заполняют травителем и производят балансировку весов с учетом массы сосуда с травитенем, массы элемента с закрепленной полупроводниковой структурой и действующей на них выталкивающей силы.При достижении балансировки весов производят их включение для регистрации суммарного эффекта от увеличения массы травителя за счет растворения в нем нарушенного слоя и от уменьшения массы и объема полупроводниковой структуры в процессе травления.Напряжение, возникающее при движении катушки 10 в поле магнита 11, определяет скорость травления нарушенного слоя. Изменения веса и скорость регистрируют с помощью гальванометров 12 и 13 и световых сигналов на фотобумаге 9, закрепленной на вращающемся барабане.Благодаря тому, что с помощью системы блоков устанавливается динамическая взаимосвязь между полупроводниковой структурой и сосудом с травителем, при погружении в травитель . элемента с закрепленной полупроводниковой структурой к разбалансу аналитических весов приводит как изменение массы травителя за счет перехода в него стравливаемого полупроводникового вещества, так и изменение массы и объема полупроводниковой структуры в процессе ее травления, что повышает точность определения момента окончания травления нарушенного слоя.Момент окончания травления именно нарушенного слоя полупроводниковых структур определяют по графикам зави 8486 4 симости массы и олупроводниковойструктуры и скорости изменений этоймассы от времени травления, которыерегистрируются с помощью гал ьва нометра 12 и световых сигналов на фоточувствительной бумаге 9, закрепленной на вращающемся в процессе травления барабане (фиг. 1), на которых в некоторый момент времени наблюдается излом, после которого график изменения массы полупроводника изменяет постоянный наклон к оси времени, а график скорости изменения массы принимает постоянное значение (фиг,2), характерное для монолитной монокристаллической структуры данного полупроводника. Момент времени, когда наблюдается излом на регистрируемых графиках, указывает на полное стравливание нарушенного слоя полупроводниковой структуры, а появление излома связано с различием в скорости стравливания нарушенного слоя и монолитной монокристаллической толщи полупроводниковой структуры.Использование устройства при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем позволяет исключить перетравливание полупроводниковых структур, что обеспечивает повышение процента выхода годных приборов. Устройство может быть использовано как для выборочного контроля, так и стопроцентного контроля полупроводниковых структур Формула и зобр ет ения Устройство для определения момента окончания травления нарушенного слоя полупроводниковых структур, содержащее весы, сосуд с травителем, штангу, один конец которой закреплен на коромысле весов, а другой соединен с сосудом для травителя, и элемент для закрепления полупроводниковой структуры, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения, оно снабжено системой из двух неподвижных блоков, у каждого из которых к одному концу нити подвешен сосуд с травителем, а к другому концу нити подвешен элемент для закрепления полупроводниковой структуры.1608486 Составитель С.ЗуевТехредМ.Ходанич Корректор С.Черни Редактор Е.Папп Заказ 3609 Тираж 485 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101