Тхорик

Номер патента: 1624354

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Гордиенко, Городжа, Емец, Стрилько, Тхорик, Шварц

МПК: G01R 27/02

Метки: полупроводниковых, распределения, структур, электропроводности

...из от края пласти ны к центру соответственно. Теоретическая кривая на фиг,2 соответствует отношениям Яг =- 0261-0,3 и ЯЗ- РФ=0,4 дляТ" 30045 К, а теоретическая кривая на фиг.3 - Яг = 0,4 и Яз - 0,4 для Т 77 К.Экспериментальные значения напряжения О 1 на потенциальных зондах и значения функции 1(р) = полученные для 50Ойразличных температур Т.При сопоставлении теоретической кривой с экспериментальными значениями смещение ЛЬ = 1(р )-и, где О 1О 1 55РКЕ 1- потенциал на внешнем слое образца;р в - сопротивление на квадрат внешнего слоя, равно Ь Ь-0,25 и Ь Ь-0,3 для Тметра структуры (точки А и В), неподвижный потенциальный зонд располагают на конце перпендикулярного диаметра (точка С), подвижный потенциальный зонд последовательно перемещается...

Номер патента: 1116305

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Горбачук, Сакидон, Тхорик, Шварц

МПК: G01B 7/16

Метки: полупроводниковый, тензорезистор

...сильнолегированного германия 23.Однако известный датчик не обеспечивает требуемой точности измерений в условиях низких температур в связи с возникновением внутренних температурных напряжений по аналогичным причинам.35Целью изобретения является повышение точности и расширение рабочего диапазона температур тензорезисторадо 4,2 К,40Цель достигается тем, что в полупроводниковом тензорезисторе, содер- . жащем изоляционную подложку и тенэо- чувствительный слой из снльнолегиро 05 2ванного германия, изоляционная подложка выполнена иэ.полуизолирующегоарсенида галлия, а тензочувствитель.ный слой - из пластически деформированной монокристаллической пленки.Полупроводниковый тензореэисторсодержит изоляционную подложку изполуизолирующего арсенида...

Номер патента: 932282

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Горбачук, Митин, Тхорик, Шварц

МПК: G01K 7/16

Метки: деформирующего, температуры, усилия

...при воздейсвии температуры и деформирующегон4 то)й -ковффнниенв, ровный отио 1 то),шению величины сопротивления датчика в продольном направлении К (То) к вегз личине сопротивления датчика в поперечном направлении Я (ТО) при температуре окружающей среды (Т ) в отсутствии деформирующего усилия;в твИв и , - оононвннв коеффнннентовЛ. Ир пьеэосопротивления датчика в двух взаимно перпендикулярных направлениях;Пи (Т) - коэффициент пьезосопротив- гфления датчика в направлении его ориентации при искомой температуре, определяемый по температурной зависимостикоэффициента в продольном направлении,На фиг. 1 и 2 приведены граауировочные кривые полупроводникового датчика.Полупроводниковый (германиевый датчик имеет вид параллелепипеда размерами 8 Н 1...

Номер патента: 887945

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Кичигин, Миронов, Митин, Тхорик, Чистяков, Шварц

МПК: G01K 7/22

Метки: терморезистор

...монокристаллического полупроводника. Предпочтительно пара- метр кристаллической решетки полупроводника выбирать близким к параметру кристаллической решетки германия.Терморезистор работает следующим образом.ЯИзменение температуры приводит к изменению .сопротивления пластическифдеформиЬванной пленки германия. Воз87945 3 8 никающие при пластической деформации линейные и точечные дефекты в объеме пленки обеспечивают появление проводимости по примесям в области низких температур. Эти же дефекты при более высоких температурах обеспечивают проводимость по валентной зоне (пленка германия р-типа), Сильная температурная зависимость проводимости по примесям к валентной зоне обеспечивает высокую термочувствительность преддагаемого термореэистора в...