Способ определения давления максимальной интенсивности разрушения полупроводниковых керамических материалов под действием поверхностного разряда
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1469327
Авторы: Альмухаметов, Розенберг, Якшибаев
Текст
(56) Потал ряд в сжат напряжения разряд в д Наука, .198 ицин Ю,Ф. Имп ом газе при м х. - В кн.: И иэлектриках.5, с.55-83. гавольтныхпульсный восибирск: ДАВЛЕНИЯ ТИ РАЗРУШЕРАМИЧЕ СКИХ М ПОВЕРХНОСТтносится к технике зажигания, в части ания, в которых ение низковольтного хности полупроводских материалов осцилло грамм г. 4 - зависи ания импульсов а(кривая 1) и стадии(кривоздуха для ПКМ ма. следующим ения является сределения.ставлена схематвления предлфиг.2 - завиектроэрозии Тг К = 1.Г (криваяа Р дл ста агаесимост (кри" 2) ичинь воздухсида х а ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАКСИМАНЪНОЙ ИНТЕНСИВНО НИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ К МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕ НОГО РАЗРЯДА Изобретение оемкостных системсти систем важииспользуется явлразряда на повениковых керамич(ПКМ),Целью изобрещение времени оНа фиг.1 преновки для осущемого способа; нинтенсивности звая 1) и вел: от давленияПКМ на основе ок(57) Изобретение относится к техникеемкостных систем зажигания, в которыхиспользуется явление низковольтногоразряда на поверхности полупроводниковых керамических материалов.Цель изобретения - сокращение времениопределения. Способ заключается втом, что на поверхность испытуемыхобразцов воздействуют электрическимразрядом при различных давлениях,определяют длительность первой стадии поверхностного разряда и частотуследования импульсов второй стадииразряда, произведения этих величиниспользуют в качестве параметра,характеризующего действие разряда наматериал, строят зависимость этогопараметра от давления и по этой зависимости определяют давление примаксимальной интенсивности разрушения фиг. 3 - схематическ разрядного тока; на мость частоты следо второй стадии разря длительности первой вая 2) от давления на основе оксида хрСпособ реализует образом,На поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхност- ного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведение этих величин используют вкачестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость изменения этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной5 интенсивности разрушения.П р и м е р. Требуется определить величину давления максимальной интенсивности разрушения ПКМ на основе ок-, 1 О сида хрома, Испытания проводят на емкостной разряцной установке (фиг.1) Исследуемый образец 1 помещают в ячейку между двумя концентрическими электродами 2 и 3 и плотно прижимают к ним. Исследования в атмосфере газа под давлением проводят в специальной камере, имеющей окно для регистрации разряда с помощью фоторезистора. Импульсы напряжения с фоторезистора 2 О ,усиливаются транзисторным каскадом и подаются на вход частотомера, Давле ние в камере измеряют с помощью манометра. Определяют длительность первой стадии поверхностного разряда и час тоту следования импульсов второй стадии (фиг,З), Строят зависимость длительности первой стадии и частоты следования импульсов второй стадии от давления (фиг.4). Далее строят ЗО зависимость параметра К:И от давления Р (фиг.2) и определяют давление максимальной интенсивности разрушения ПКМ, которое равно Р = 5 кгс/см.Формула изобретенияСпособ определения давления максимальной интенсивности разрушения полупроводниковых керамических материалов под действием поверхностного разряда, по которому воздействуют на поверхность испытуемых образцов электрическим разрядом при различных давлениях, определяют параметр, характеризующий действие разряда на материап, строят зависимость изменения этого параметра от давления и.по этой зависимости определяют давление при максимальной интенсивности разрушения, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения времени определения, определяют длительность пер- вой стадии поверхностного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, а произведение этих величин используют в качестве параметра, характеризукщего действие разряда на материал.1469327 Р Фс/с Составитель Г.Але Техред М.ХоданичРедактор Т,Пар 4 енова орректор В,Гири Заказ 1347/4 одписно открьггиям при ГКНТ ССС д. 4/5 сударственног 113035
СмотретьЗаявка
4314130, 27.07.1987
БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. 40-ЛЕТИЯ ОКТЯБРЯ
АЛЬМУХАМЕТОВ РАФАИЛ ФАЗЫЛЬЯНОВИЧ, ЯКШИБАЕВ РОБЕРТ АСГАТОВИЧ, РОЗЕНБЕРГ СЕМЕН АРОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 17/00
Метки: давления, действием, интенсивности, керамических, максимальной, поверхностного, полупроводниковых, разрушения, разряда
Опубликовано: 30.03.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1469327-sposob-opredeleniya-davleniya-maksimalnojj-intensivnosti-razrusheniya-poluprovodnikovykh-keramicheskikh-materialov-pod-dejjstviem-poverkhnostnogo-razryada.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения давления максимальной интенсивности разрушения полупроводниковых керамических материалов под действием поверхностного разряда</a>
Предыдущий патент: Образец для испытания защитных покрытий
Следующий патент: Машина трения для испытания образцов материалов
Случайный патент: Посудомоечная машина