Якшибаев

Номер патента: 1469327

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Альмухаметов, Розенберг, Якшибаев

МПК: G01N 17/00

Метки: давления, действием, интенсивности, керамических, максимальной, поверхностного, полупроводниковых, разрушения, разряда

...первой вая 2) от давления на основе оксида хрСпособ реализует образом,На поверхность испытуемых образцов воздействуют электрическим разрядом при различных давлениях, определяют длительность первой стадии поверхност- ного разряда и частоту следования импульсов второй стадии разряда, произведение этих величин используют вкачестве параметра, характеризующего действие разряда на материал, строят зависимость изменения этого параметра от давления и по этой зависимости определяют давление при максимальной5 интенсивности разрушения.П р и м е р. Требуется определить величину давления максимальной интенсивности разрушения ПКМ на основе ок-, 1 О сида хрома, Испытания проводят на емкостной разряцной установке (фиг.1) Исследуемый образец...

Номер патента: 1359727

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Альмухаметов, Розенберг, Сагдаткиреева, Якшибаев

МПК: G01N 27/00

Метки: давления, керамических, максимальной, полупроводниковых, скорости, электроэрозии

...6 и 7 и плотно прижимается к ним. Для проведения исследования в атмосфере газа под давлениемячейка с образцом помещается в камеру(не показана).Зависимость скорости электроэрозии ПКМ от давления газа имеет аномальный вид. На фиг.2 а приведена такая зависимость для ПКМ на основе оксида хрома: 94% Сг О + 1% 2 гО + 5 . МН. Как видно гри Р = РР3,3 кгс/см зависимость Ч(Р) имеет резкий максимум, Для ПКМ одинакового состава Р может иметь различную величину. Та ое поведение Р обусловлено тем, что компоненты исходной шихты при смешивании могут распределяться неравномерно. Это приводит к некоторому различию физических свойств для разных образцов, кроме того, при спекании прессованных изделий условия спекания для отдельных образцов могут в...

Номер патента: 1293568

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Есина, Якшибаев

МПК: G01N 13/00

Метки: коэффициента, самодиффузии

...схема устройст/ва для реализации способа; на фиг2 - зависимость параболической константы окалинообраэования от разностипотенциалов,Способ осуществляют следующимобразом,Исследования проводили на образцесульфида меди при 300 350 и400 С, Схема экспериментальнойустановки для осуществления предлагаемого способа представлена нафиг 1, Исследуемый образец 1 представляет собой таблетку диаметром15 мм, к которой пришлифована сверху кварцевая трубка 2 диаметром10 мм и снизу медная таблетка 3 диаметром 10 мм. Внутри кварцевой трубки находится сера 4, Разность потенциалов Б на границе раздела металл - окалина измеряют с помощьюсложного потенциального зонда 5,состоящего из меди и ионного фильтра,обладающего униполярной проводимостью 35по...

Номер патента: 1187060

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Мухамадеева, Якшибаев

МПК: G01N 27/46

Метки: коэффициента, нестехиометрических, самодиффузии, соединениях

...к метрологии процессов диффузионного переноса в нестехиометрических соединениях и может быть использовано для определения коэффициента самодиффузии и 5 его зависимости от состава, в частности в нестехиометрических соединениях.Целью изобретения является повышение точности определения коэффициента 10 самодиффузии в нестехиометрических соединениях.На чертеже изображено устройство для реализации предлагаемого способа.Исследуемый образец 1, в который 15 впрессованы платиновые электроды 2 4, ионный фильтр 5 и металл 6, представляет собой хорошо притертые таблетки. К образцу сверху подводится кварцевая трубка 7, внутри которой 20 находится жидкий неметалл 8. Источник 9 тока подключен с помощью электрода 10 и 4 к ионному фильтру 5. Вся...