Патенты с меткой «р-п-переходов»

Способ создания р-п-переходов в сложных полупроводниках

Загрузка...

Номер патента: 550061

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Гаврилов, Качурин, Придачин, Смирнов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниках, р-п-переходов, сложных, создания

...глубиной залегания р-п-перехода. Так, р-баАв предварительно облучают ионами Ав энергией 100 кэВ дозой 10 о см.2Сущность способа заключается в том, что предварительно, до контакта с диффуэантом, сложный полупроводник бомбардируют ионами одного из компонентов, входящих в соединение, после чего полупроводник отжигают в присутствии диффуэанта, мигрирующего по вакансиям в предрешетке другого компонента.Температура отжига при этом значительно снижается, Это объясняется тем, что возникают дополнительные вакансии, связанные с избытком одного из компонентов соединения.55 О 061-Формула изобретения Составитель А. ЧернявскийРедактор Е. Месропова Техред М, Петко Корректор В. Синицкая Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам...

Устройство для контроля полупроводниковых р-п-переходов

Загрузка...

Номер патента: 1490655

Опубликовано: 30.06.1989

Автор: Турченков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, р-п-переходов

...ипоэтому на выходной шине выходноенапряжение близко к нулю.При коротком замыкании междуэлектродами р-и-перехода на инвертирующем входе компаратора 3 имеет место положительное напряжение, равноепадению напряжения на резисторе 14от тока, протекающего от источника 11 напряжения через резистор 16,а на инвертирующем входе компаратора 4 имеет местоотрицательное на"пряжение, равное падению.напряжения на резисторе 15 от тока, протекающего от источника 12 через резистор 17, в связи с чем на выходе компаратора 3 напряжение равно нулю,а на выходе компаратора 4 - " 1",При указанных входньм сигналах на выходе элемента 9 равнозначности напряжение равно нулю, выходное напряжение на выходной шине также равно нулю, что указывает на...