Устройство для контроля полупроводниковых р-п-переходов

Номер патента: 1490655

Автор: Турченков

ZIP архив

Текст

(54 ПРО УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОДНИКОВЫХ р-и- ) Изобретение о ьно-изме ительн.1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИДДТЕЛЬСТ(57тносится к контрол Р ой технике и предназначено для ускоренного контроля полупроводниковых р-и-переходов. Цел изобретения - повышение быстродействия - достигается тем, что за счет новой организации устройства из структурной схемы исключены такие инерционные звенья, как фильтры нижних частот. Устройство содержит клем мы 1 и 2 для подключения выводов исследуемого р-п-перехода, компаратора 3 и 4, транзисторы 5 и 6, диоды 7 и 8, элемент равнозначности 9, генератор 10 разнополярных импульсов, источники напряжения 11 и 12, резисторы 13-18 и регистратор 19. На подключенный произвольным образом к клеммам 1 , 2 р-и-переход подается непрерывная последовательность разно. полярных импульсов с генератора 10, Если р-и-переход исправен, то на выходной шине будет сформирована непрерывная последовательность положительных импульсов. При любом виде неисправности р-п-перехода напряжение на выходной шине будет близко к нулю, 1 э.п. А-лы, 2 ил.КрегимрдшоруИзобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для ускоренного контроля полупроводниковых р-и переходов наприФ5 мер диодов. Целью изобретения является повышение быстродействия устройства путем исключения таких инерционньм звеньев, 10 как Фильтры нижних частот,На Фиг,1 показана структурная схема устройства для контроля полупроводниковых р-и-переходов; на Фиг.2 - элемент равнозначности, пример выпал нения25 устройство содержит клеммы 1 и 2 для подключения выводов исследуемого р-п-перехода, компараторы 3 и 4, 20 транзисторы 5 и 6, диоды 7 и 8, элемент 9 равнозначности, генератор 10 разнополярных импульсов, источники 11 и 12 напряжения, резисторы 13-18и регистратор 19.Выход генератора 10 разнополярных импульсов через первый резистор 13 подключен к первой клемме 1 для подключения выводов исследуемого р-п-перехода, вторая клемма 2 для подключе ния которого соединена с общей шиной устройства. Первая клемма 1 для подключения выводов исследуемого р-п-перехода соединена с анодом первого 7 и катодом второго 8 диодов, через второй резистор 14 - с инвертирующим входом первого компаратора 3 и через третий резистор 15 - с инвертирующим входом второго компаратора 4, Выход первого источника 11 напряжения 40 через четвертый резистор 16 соединен с инвертирующим входом первого компаратора 3. Выход второго источника 12 напряжения через пятый резистор 17 подключен к инвертирующему входу вто рого компаратора 4Неинвертирующие входы первого 3 и второго 4 компараторов подключены к общей, шине устройства. Выходы первого 3 и второго 4 компараторов подключены соответствен но к входам элемента 9 равнозначности, выход которого через шестой резистор 18 соединен с входом регистратора 19 и коллекторами первого 5 и второго б транзисторов. База первого 5 и эмиттер второго 6 транзисторов подключены к общей шине устройства, эмит. тер первого транзистора 5 соединен с базой второго транзистора 6, катодом первого 7 и анодом второго 8 диодов.Элемент 9 равнозначности содержит-р-и-р-транзистор 20, и-р-и-транзистор 21, первый 22 и второй 23 диоды,четыре резистора 24-27 и источник 28напряжения.Устройство работает следующим образом.Если исследуемый р-и-переход неподключен к клеммам 1 и 2, то напряжение на выходной шине близко к нулю вследствие того, что при отрицательном напряжении генератора 10транзистор 5 насьпцается таком с выхо.да генератора 10 через резистор 13и диод 8, а при поло.ительном напряжении транзистор 6 насьпцается токомс выхода генератора 10, через резистор 13 и диод 7.При подключении к клеммам 1 и 2полупроводникового р-и-перехода возможны следующие случаи:обрыв полупроводникового перехода,короткое замыкание между электродами,полупроводниковый переход исправен,В первом случае между клеммами1 и 2 большое напряжение, транзисторы 5 и 6 поочередно насьпцаются ипоэтому на выходной шине выходноенапряжение близко к нулю.При коротком замыкании междуэлектродами р-и-перехода на инвертирующем входе компаратора 3 имеет место положительное напряжение, равноепадению напряжения на резисторе 14от тока, протекающего от источника 11 напряжения через резистор 16,а на инвертирующем входе компаратора 4 имеет местоотрицательное на"пряжение, равное падению.напряжения на резисторе 15 от тока, протекающего от источника 12 через резистор 17, в связи с чем на выходе компаратора 3 напряжение равно нулю,а на выходе компаратора 4 - " 1",При указанных входньм сигналах на выходе элемента 9 равнозначности напряжение равно нулю, выходное напряжение на выходной шине также равно нулю, что указывает на неисправностьисследуемого полупроводниковогор-п-перехода,1Если полупроводниковый р-и-переход исправен, то в состоянии прямого смещения на нем имеет место паде14906 40 ние напряжения, большее падений напряжения на резисторах 14 и 15, но меньшее суммы падений напряжения на проводящем диоде (7 или 8) и открытомбаза-эмиттерном переходе транзистора (5 или 6). При этом на инвертирующих входах компараторов в один полупериод генератора 1 О напряжения, например, положительные, а в другой 10полупериод генератора 10 - отрицательные,В связи с этим на выходах компараторов 3 и 4 одновременно Формируетсялибо потенциал, близкий к нулю ("О"), 15либо потенциал "1",В том случае, когда на входах элемента 9 равнозначности имеются одинаковые значения входных сигналов. ("О" или "1"), на выходе элемента 9 равнозначности Формируется потенциал "1". Если же на одном входе сигнал соответствует "О", а на другом входе - " 1", то на выходе элемента 9 равно значиости напряжение "О".Таким образом, при исправном полупроводниковом р-и-переходе на выходной шине имеется непрерывная последовательность импульсов положительной полярности, так как через каждый полу- период, когда полупроводниковый р-п-переход оказывается смещенным в обратном направлении, соответствующий транзистор 5 или 6 оказывается насы 35 щенным. При неисправностях полупроводникового р-и-перехода типа обрыв или короткое замыкание импульсы на выходной шине отсутствуют. Формула изобретения 1. Устройство для контроля полупроводниковых р-п-переходов, содержа" щее генератор разнополярных импульсов, выход которого через первый резистор подключен к первой клемме для подключения исследуемого р-и-пере 50 хода, вторая клемма для подключения которого соединена с общей шинойустройства, первый и второй компараторы, первый и второй источники напря 556жения и регистратор, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повыше ния быстродействия, оно снабжено элементом равнозначности, двумя транзисторами, двумя диодами и пятью резисторами, при этом первая клемма для подключения исследуемого р-и-перехода соединена соответственно с анодом первого и катодом второго диодов, через второй резистор - с инвертирующим входом первого компаратора и через третий резистор - с инвертирующим входом второго компаратора, выход первого источника напряжения через четвертый резистор соединен с инвертирующим входом первого компаратора, выход второго источника напряжения через пятый резистор подключен к инвертирующему входу второго компаратора, неинвертирующие входы первого и второго компараторов соединены с общей шиной устройства, выходы первого и второго компараторов соединены соответственно с входами элемента равнозначности, выход которого через шестой резистор подключен к входу регистратора и коллекторам первого и второго транзисторов, база первого из которых и эмиттер втэрого соединены с общей шиной устройства, эмиттер первого транзистора соединен с базой второго транзистора, катодом первого и анодом второго диодов.2, Устройство по п.1, о тл и ч аю щ е е с я тем, что элемент равнозначности выполнен в виде р-п-ртранзистора, база которого через первый резистор соединена с первым входом элемента равнозначности и анодом первого диода, катод которого соединен с эмиттером р-и-р-транзистора и катодом второго диода, анод которого соединен с вторым входом элемента равнозначности и через второй резистор с базой р-п-р-транзистора, коллектор которого через третий резистор подключен к базе п-р-и-транзисто ра, эмиттер которого подключен к общей шине устройства, а коллектор сое" динен с выходом элемента равнозначности и через четвертый резистор с выходом источника напряжения.1490655 гг Редактор А.Лежнина 11 роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул. Гагарина, 101 Заказ 3752/54 ВНИИПИ Государственного 113035, Составитель С.ФоменкоТехред Л.Олийнык Корректор С.йекмарТираж 713 Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

4176103, 08.01.1987

В. И. Турченков

ТУРЧЕНКОВ ВЛАДИМИР ИЛЬИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, р-п-переходов

Опубликовано: 30.06.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/4-1490655-ustrojjstvo-dlya-kontrolya-poluprovodnikovykh-r-p-perekhodov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для контроля полупроводниковых р-п-переходов</a>

Похожие патенты