Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 492 1)4 Н 01 1, 21/О ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН кий ечено 54) УСТРОЙСТВО ОЛУПРОВОЛНИКОВ ИМПУЛЬСНОЙ СТРУКТУР РАБОТКИ 57) Изобретение лектронике и мо микро- льзова тноситсят быть ис аз меры тчатоышают го электродакакдиаметр обрабатьгее, чем 1,3 раза,тает следующим ьзова равило,аемых плУстрой днико тинво схем. ение образом. Устанавл ние между пластиной постоянноеенияполя вается требуемо тчатым электрод подается от ис асстоя 1 и апряжение на сетчатый рн схема устроиств Устройство с электрод 1. Имп льс на блучения поступает ературы через оммутатор 6, ко-, лучатель 7 к исИзлучение нагрепловое излучение датчик 9. Латчиксоответствукщее онности, вырабаржит с тыи Уот задатчика 4 темп переключатель 5 в к торый подключает из точнику 8 питания. вает пластину 2, те которой попадает на 9 через время 0,1 с его тепловой инерци астину постоя элек ный од 1,точ ник Выс ок о Вол ь го напряже эадатчиктель 5, кточник 8к 9 темпшк 11 дюель 12,и темпера ммутатор итания и уры, переизлучателучателя,илитель 1 О,облучения,еру 13,ключа 7, ис датчи туры, у зала держ тельнос абочую к ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И (ЛНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Патент США У 4 151008,кл, Н 01 1. 21/26, 1982.Зарубежная электронная т1983, М 1, с. 26,Изобретение относится к миэлектронике и может быть испно при изготовлении полупроввых приборов и интегральныхЦель изобретения - уменьшразбг а параметров путем снижнеоднородности температурногпо пластине,На чертеже приведена стру но при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем.11 ель изобретения - уменьшение разброса параметров за счет снижения неоднородности температурного поля попластине, В рабочую камеру введеныдва электрода от высоковольтногопостоянного источника питания, Одиниз электродов представляет собойсетку из тугоплавкого материалаперемещающуюся между излучателямии полупроводниковой пластиной перпендикулярно ее поверхности, Второйэлектрод присоединен к держателямпластины. Размеры ячеек сетчатогоэлектрода определяются из соотношения а = Ь/2,5, где а - размер ячейки, Ь - расстояние от электрода допластины. 1 ил.тывает аналоговый сигнал, пропорциональный температуре пластины, Сигнал усиливается в 10 - 10 раэ в усилизтеле 10, преобразуется и поступает на вход задатчика 4 температуры, в5 котором происходит сравнение текущего и заданного значения температуры. При совпадении укаэанных значений задатчик вырабатывает импульс прекращения 0 облучения пластины и коммутирующее устройство отключает излучатель от источника питания.Например, для проведения операции, стабилизации заряда в подзатворном окисле на кремниевой пластине на электрод подается отрицательный потенциал 150 В.Электрод устанавливают на расстоянии 5 мм от пластины и проводят импульсный нагрев пластины в атмосфере аргонао ,излучением галогенных ламп при 1050 С в течение 6 с, Под действием электри-ческого поля подвижные ионы щелоч,ных металлов (калия, натрия) и протонов мигрируют к поверхности Окисной р 5 пленки и там нейтрализуются слоем фосфоросиликатного стекла, наносимого на поверхность окисной пленки,.Применение электрического поля при импульсной обработке позволяет управлять физико-химическими процессами.как на поверхности, так и в объеме полупроводника.Воэможности известных устройств исчерпываются термоотжигом ионно-легированных слоев и контактов к ним, тогда как предлагаемое устройство, кроме указанного применения, может быть использовано для ускорения процессов диффузии, уменьшения плотности линейных и точечных дефектов, снижения дефектов иа поверхности полупроводника, получения качественных эпитаксиальных и диэлектрических слоев.Формула изобретенияУстройство импульсной обработкиполупроводниковых структур, включающее источник питания излучателя, эадатчик длительности облучения, задатчик температуры пластин, коммутирующее устройство, переключатель,датчик температуры, усилитель, рабочую камеру с излучателями и держате 1 лем полупроводниковых пластин, о т -л и ч а ю щ е е с я тем, что,с целью уменьшения разброса параметров путем снижения неоднородноститемпературного поля по пластине, ра-.бочая камера снабжена двумя электродами, соединевными с высоковольтнымистОчником питания постоянного напряжения, причем один из них выполненв виде сетки из тугоплавкого металлас возможностью перемещения между излучателями и полупроводниковой пластиной перпендикулярно ее поверхности,а другой соединен с держателем пластины, при этом размеры ячеек сетчатого электрода определяются из соотношенияа = Ь/2,5где а - размер ячейки;Ь - расстояние от электрода допластины.1492398 Составитель С,Манякин Техред Л.Олийнык Корректор О.Кравцова Редактор С.Патрушева Заказ 3885/53 Тираж 695 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина; 101