H01S 5/00 — Полупроводниковые лазеры

Номер патента: 349052

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дураев, Ильина, Родченкова

МПК: H01S 5/00

Метки: 349052

...металлизацип диэлектрических пластин, Способ заключается в следующем. Диэлектрические пластины, например сапфировые, промывают в хромовой смеси 2 - 3 мин при комнатной температуре, затем в дистиллированной воде при 100 С в течение 3 - 5 мин, после промывки пластины сушат в термостате около 10 мин при температуре 120 - 150 С, Высушенные пластины загружают в вакуумную камеру и очищают в поле тлеющего разряда в течение 10 - 15 мин при вакууме 1 10- - 1 10 - - мм рт. ст. Затем камера откачпвается до 1 10 -- 1 10 - т мм рт. ст., пластины нагревают до температуры 5 не выше 800 С и напыляют хром толщиной неболее 2 мк. Затем наносят пленку никеля, например, в электрохимпческой ванне, толщиной не более 2 мк и отжпгают ее в вакууме при...

Номер патента: 631033

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Гончаров, Грачев, Дедушенко

МПК: H01S 3/10, H01S 5/00

Метки: возбуждением, диаграммой, лазера, направленности, полупроводникового, электронным

...угол ф с нормальюк зеркалу 3, позицией 5 - возбуждаемая электронами область с центром О631033 Формула изобретения 10 15 2 О Составитель С. МухинТехред З.Фанта Корректор В. СиницкаяТираж 923 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035 Москва Жд Рашская наб. д. 45Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4 Редактор Т. КолодцеваЗаказ 4843/2 показан ленточный пучок электронов.На чертеже приведен случай, когдаось ленточного пучка располагаетсяпо нормали к зеркалу 3 и под угломА=T к зеркалу 2,Устройство работает следующимобразом. В положении электронного пучка и возбуждаемой области, показанном на чертеже, диаграмма направленности при накачке выше порога генерации устанавливается по нормали к...

Номер патента: 749333

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Быковский, Смирнов

МПК: H01S 5/00, H01S 5/32

Метки: интегральная, линий, матрица, оптических, полупроводниковыхлазеров, связи4

...матрицу лазеров с любой многоканальной системой связи, что также невозможно в известной матрице, Применение ч- подобных лазерных источников упростит н- системы многоканальных оптических линий связи, повысит эффективность ввода лазерного излучения в оптические ют планарные и волоконные световоды.Формула изобретения каналовсодержащей полупроводциковылазеры ца основе гетероэпитаксиальцо 1структуры, сформированной на единойцол.упроцодциковой подложке, гетероэпитаксиальцая структура представляесобойчередующиеся полупроводниковыетолщиной 0,3-2 мкм и полуизолирующиетолщицой от 3-4 мкм до 150-300 мкмслои, причем концентрация носителейН -типа в полупроводниковых слояхразлична, а активные области в нихперпендикулярны к плоскости...

Номер патента: 753329

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...мощности, с другой - дальнейшее увеличение частоты, как правило, вызывает деградаци 1 о инжекционных лазеров.Одной из причин, оказывающих существенное влияние на скорость старения инжекционных лазеров, является взаимодействие генерируемого излучения и инжекти-. руемых носителей заряда с дефектами и неоднородностями, расположенными в канале генерации и на его границах. Это вэаимодействие приводит к возникновению неоднородного поля температур и соответственно к локальному изменению ширины запрещенной зоны, что увеличивает поглощение генерируемого излучения и скорость роста дефектов. Инжекционные лазеры, у которых неоднородности более эффективно взаимодействуют с генерируемым излучением, имеют более низкую частоту /, при которой...

Номер патента: 786796

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Жуков, Макрицкий, Сосновский

МПК: H01S 5/00, H01S 5/30

Метки: инжекционных, лазеров, работы, ресурса

...принимается одинаковым и равным среднему значению ресурса, определенного для 1 - 5 оо образцов,Определение ресурса работы проводят по формуле: Целью изобретения является повышение надежности прогноза и упрощение способа,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе, включающем определение энергии активации Е, по результатам ускоренных испытаний нескольких образцов партии при фиксированных значениях температуры окружающей среды, измеряют мощность генерируемого излучения в момент включения постоянного тока и через время, за которое температура активной области достигает своего стационарного значения, для всех образцов партии, для выбранных образцов, имеющих одинаковую температуру перегрева .активной области, определяют...

Номер патента: 807962

Опубликовано: 30.06.1982

Авторы: Насибов, Обидин, Печенов, Попов, Фролов

МПК: H01S 5/00

Метки: лазер

...из полупроводника цли диэлектрикас двумя. параллельными плоскостями,образующими резонатор, генератор импульсов высокого напряжения с передним фронтом импульса 10- -. 10-" с установлен на пластине, преимущественно из сульфида кадмия, на гальваническом контакте, при этом плоскости пластины, образующие оптический резонатор,параллельны кристаллографическому направлению 10 - " и составляющему угол45 с главной осью симметрии кристалла.На чертеже представлена блок-схемалазера.Генератор 1 импульса высокого напряжения с . длительностью переднего фронта1 О- 10-", связан коаксиальным кабелем 2с головкой лазера 3, в которой в жидкомдиэлектрике 4 находится моцокристаллическая. пластина 5 из сульфида кадмия, имеющая гальванический контакт 6 с...

Номер патента: 982124

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Кононенко, Пак, Яшумов

МПК: H01S 5/00

Метки: инжекционных, лазеров, службы, срока

...экстраполяции скорости деградации на температуру, при которой эксплуатируют инжекционные лазеры, определяют срок службы Г 21Недостатком известного способа являеся необходимость проводить испытания при нескольких повьпценных температурах окружающей среды. При этом может произойти смена механизма деградации, изменяются характеристики слоев структуры 1 й инжекционного лазера, быстро ухудшается качество омических контактов, Все это ограничивает возможности известного способа и приводит к большим погрешностям в определении срока службы инжек- И ционных ,лазеров.Цель изобретения - повышение точности определения срока службы инжекционных лазеров при одновременном упрощении способа. .26Поставленная цель достигается тем, что согласно способу...

Номер патента: 921419

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Косичкин, Перов, Поляков, Широков

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: излучения, инжекционного, лазера, полупроводникового, частотой

...тока накачки. в тот же момент, но и от предыстории его из -менения.Имеется, однако, ряд закономерностей, которые позволяют, целенаправленно выбирать закон изменениятока для достижения необходимогоизменения процесса сканирования.Эти закономерности иллюстрируютсячертежами, где на фиг. 1 изображена прямоугольная форма импульса тока накачки, на фиг, 2 - изменениетемпературы активной области лазера при подаче на него прямоугольногоимпульса тока накачки на фиг. 3 -изменение тока накачки по линейномузакону, на фиг. 4 - .изменение температуры активной области лазерапри изменении тока накачки по линейному закону, на фиг. 5 - экспоненциальная форма импульса тока накачки на фиг. 6 - изменение темпера 35туры активной области лазера при изменении...

Номер патента: 1072722

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коваленко, Паниткин, Тарасов

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: импульсов, лазера, полупроводникового, световых, формирования

...источник накачки 1, перничный поток возбуждающего излучения 2, экран 3 из материала,непрозрачного для излучения;.отверстия 4 в экране, полупроводниковый кристалл 5 с резонаторомвозбуждаемые области б в кристалле; световой импульс 7,Устройство работает следующим образом.Источник накачки 1 создает поток возбуждающего излучения 2,который после прохождения через экран 3 делится на несколько пучков излучения, одновременно накачиэающих отдельные возбуждаемые области н кристалле, В результате про"исходит генерация коротких световыхимпульсов, которая происходит засчет изменения направления генера"ции света в возбуждаемых областях.Предлагаемый способ может бытьреализован следующим образом.П р и м е р 1. Кристалл ОаАЯ,.толщина 0,8 мм, диаметр 20...

Номер патента: 1179875

Опубликовано: 23.09.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01S 5/00

Метки: инжекционный, лазер

...расположены сплошные токовые контакты б., 25В объеме верхней пассивной 5 и активной 2 областей расположены зоны 7 с высоким удельным сопротивлением.Инжекционный лазер работает следующим образом. При пропускании тока через контакты 6 носители распространяются в основном между зонами 7с высоким удельным сопротивлением.Далее носители тока инжектируютсячерез р-п-переход 4 в активную область 3, где преимущественно излучательно рекомбинируют. В результате,протекания инжекционного тока в активной области между зонами 7 с высоким удельным сопротивлением показатель преломления активной области 3 снижается . С учетом того, чтокоэффициент преломления зон с высоким сопротивлением больше, чем коэффициент преломления материала активной области,...

Номер патента: 670049

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Анзин, Глушков, Еремец, Ицкевич, Косичкин, Надеждинский, Толмачев, Широков

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: генераторов, изменения, квантовых, полупроводниковых, частоты

...Оптический диапазон от 25 мк до видимого света обеспечивается сменными окнами из сапфира и кремния. В качестве жидкости используются,на - пример, керосино-масляные и пентаномасляные смеси. Рабочий вариант камеры имел длину 150 мм и внешний диаметр 32 мм.Предлагаемое устройство работает следующим образом.В корпус 2 вставляется поршень 3 и через подпятник 4 Фиксируется в начальном положении силовым винтом (гайкой) 5. Рабочий канал 1 заполняется смесью, передающей давление.На оптическом окне 9 монтируется полупроводниковый квантовый генератор 8. Обтюратор 7 укрепляется в корпусе 2. Вращением силового винта (гайки) поршень приводится в положение, соответствующее нужному давлению. Давление может создаваться также и с помощью внешнего...

Номер патента: 1530104

Опубликовано: 15.12.1989

Автор: Тамаш

МПК: H01S 5/00

Метки: диода, лазерного, температуры

...2 тока и с блоком Й упрдвлеция. Управляющий вход блока считывдця и здпомицация череблок 6 )ддержки нодключец к логическомублоку 7, кгзторьп может быть выполненцд осцове обычш;)х логических схем.Другой выход:)огического блока 7соединец с вторым управляющим входомисточцикд 2 тока. Входы логическогоблока 7 подключець к другим блокампечатцого устройства (е оказаы),1 дбочий ток лазера в зависимостиот тина лд ерцого диода составляет 50-200 мЛ. Г 1 ежду импульсами рабочего тока через лдзершгй диод пропускается постояцнь)и ток, величина которогоциже порт т)огоГгцовецное цапряжецие ца лазерномгиогс 1 подается терез повторитель3 дг)рн ьеция, выполценцый с. высокимвходным сопротивлением, ца блок 4счцть)вдцг)я и зднгэмицдция. Выполцеццый с вьц.оким...

Номер патента: 1355073

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Войло, Фиштейн, Шевченко

МПК: H01S 5/00

Метки: генератор, импульсов, оптических

...воэможность функционирования компараторов 8 и 9 верхнего и нижнего уровней фотосигнала. Компаратор 9 нижне -го уровня фотосигнала срабатывает придостижении мощности оптического сигнала уровня, соответствующего порогоному току, а компаратор верхнегоуровня фотосигнала - при достижениимоцности оптического сигнала уровня,соответствующего номинальному значению тока модуляции. Сигнаяы компараторов па шине данных 18 подаются нацифровое устройство управления 15,которое через регистры запоминанияданных 6, 17 и цифроаналоговые преобразователи задает ток смещения иток модуляции,Устройство управления 15 представляет собой контролер, который можетбыть построен на микропроцессоре.Снизить требования к быстродействию Фотодиода, фотоусилителя и...

Номер патента: 1614056

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Васильев, Голдобин

МПК: H01S 5/00, H01S 5/06

Метки: генерации, излучения, импульсов, лазере, полупроводниковом

...должно быть направлено наоборот, т.е. из поглощающей части в усиливающую). Ширина поглощающей области равна 40 мкм, зазор б между поглощающей и усиливающими частями равен 30 мкм, электрическое сопротивление утечки - 510 Ом. В усиливающие части (между электродами 4 и 5 и1614056 О.Кравцова Составитель О,Куреннаядактор А,Ревин Техред М.Моргентал . Корре 3)каз 3895 ВНИИПИ Го Тираж 395 Подписноеарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКН 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 электродом 6) подают импульсы тока величиной 2 А, к поглощающей части (между электродами 8 и 6) прикладывают постоянное отрицательное напряжение О от 1 В до 20 В. При данных...

Номер патента: 1686997

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Кучеров, Малхозов

МПК: H01S 5/00

Метки: лазер, полупроводниковый

...нс получа от энергии, достаточной для ионизации полупроводника с образованием вторичных электроцоо и дырок, и непосредственно инжсктируются о зону проводимости полупроводника р-типа и, цакоплиоаясь вблизи дна зоны проводимости, совместно с дырками полупроводника р-типа образуют активную область полупроводникового лазера. Благодаря сттижеттию напряжения ниже 3 Етт/е уменьшэтотся тепловые потери и возрастает УПД лазера. При этом напряжение между катодом и анодом це прсвыцтаст 3 Ец/е о том случае, если межзлектродное расстояние д выбирают из следующего соотношеният/ , 6 ЧГ "Я(1),пте 2где гп и е - лтэсса и заряд электрона, ) -плотность тока, протекающего через лазер,необходимого для генерации излучения.Формула (1) получается из хорошо...