Способ определения профиля легирования полупроводниковых материалов

Номер патента: 640216

Авторы: Гудков, Невский, Сушков

ZIP архив

Текст

Союз Советских ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОфИЛЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМАТЕРИАЛОВ зец н тного области контов и может определения, трации профиниковых матеапряження смещения и высокочассигнала.изобретения - упрощение аппарареа.тизацип измерений.тавленная цель достигается тем, что астотный сигнал модулируют низкой й и измеряют напряжение на испыобразце на частоте модуляции.ность описываемого способа состоит что при подаче тока высокой частозмеряемый образец (барьер Шоттр - и-переход) вследствие нелинейго емкости возникает сигнал1 сов а 1 Рсоз 2 м 1Явила 4 еедмУ Цел турнойПос высоко частото туемомСущ Известен способ определения профиля легирования путем измерения концен носителей тока, обратно пропорцион напряжению второй гармоники при и дении ВЧ-така через измвряемую не ную емкость диода 11.Недостатком этого способа является тот факт, что сигнал второй гармоники весьма мал, а паразитные сигналы (от генератор: основной гармоники и измерительной схемы) велики, требуется использовать сложные, фактически уникальные, схемы, что значительно усложняет измерения на установке. Стоимость установки большая, и ее эксплуатация сложна:,необходим высококвалифнцированный обслуживающий персонал, сложно, наладить серийное производство для использования установки в про. мышленности.Известен также способ 2профиля легирования полупматериалов Ба р - и-переходаШоттки путем подачи на ис трации альной рохож- линейО в том ты на кп пл ности где С=еяда-Ущая. Прп включенванного меандром- 1,0 Кгц, в измерися низкочастопныйкоторый легко уси,и подается:на,реги посто ая составля А соя И Лlопределения роводниковых х и барьерах следуемый обеьда-Мое унрощя тому, ч ние схемы достигао отношение частот Существен ЗО ется благодаИзобретение относится к роля свойств полупроводны быть использовано как для так и для непрерывной регис ля легирования в полупровод риалах на р - п-,переходах. единением заяаки-ии така ВЧ, модулиронизкой частоты О=0,5 - тельной цепи появляет. сигнал У частотой Й, чивается, детектируется стрирующее устройство640216 Формула изобретения Составитель В. Немцев Техред С. Антипенко Редактор И. Грузова Корректор С. файн Заказ 1136/40 Изд,353 Тираж 1070 Подписное НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Тип, Харьк. фил. пред. Патент в описываемом способе достаточно велико (10 з - 104) и,ик фильтрация в выходном усгройстве до требуемой величины не представляет собой сложностиИзготовление и настройка усилителя низкой частоты с большим коэффициентом усиления значительно проще, чем у резонансного усилителя высокой частоты. Способ определения профиля легирования полупроводниковык материалов на р - а-перекодак и барьерак Шотъки путем подачи на исследуемый образец напряжения смещения и высокочастотного сигнала, отличающийся тем, что, с целью упрощения аппаратурной реализации измерений, высокочастотный сигнал модулиру ют низкой частотой и измеряют напряжение на испытуемом образце на частоте модуляции. Источники информации, принятые воГ 0 внимание при экспертизе: 1, Патент США 3518545, кл. 6 01 К31/26, опублик, 1970.2. Авторское свидетельство СССР 15240853, кл. 6 01 К 31/26, 1969.

Смотреть

Заявка

2320242, 04.02.1976

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5594

СУШКОВ ВАЛЕРИЙ ПЕТРОВИЧ, НЕВСКИЙ МАРТИН ВАСИЛЬЕВИЧ, ГУДКОВ ИГОРЬ ДМИТРИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводниковых, профиля

Опубликовано: 30.12.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-640216-sposob-opredeleniya-profilya-legirovaniya-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения профиля легирования полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты