B01J 17/00 — B01J 17/00

Номер патента: 463467

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Коневский, Кузнецов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...и поэтому при перекосня может привариваться к наружном ласти получения спользовано для аленимет изобретент чается от изстержня, соеческого регуига, жестко ром, опираю 5 Устройство для отжига кристаллов, включающее два контейнера, установленных в полости нагревателя коаксиальцо друг другу, реперцый к 1 зпсталл, служащий датчиком температуры, и стержень, соединенный с систе мой автоматического регулирования температуры отжига, перемещающийся при оплавлении реперного кристалла, отличающееся тем, что, с целью исключения приваривания стержня к внешнему контейнеру и повышения 5 вследствие этого надежности работы устройства, стержень жестко скреплен с внутренним контейнером, дно которого опирается ца реперный кристалл. ристалл...

Номер патента: 466904

Опубликовано: 15.04.1975

Авторы: Артышевский, Затуловский, Чайкин

МПК: B01J 17/00

Метки: нагрева, токопроводящих

Номер патента: 470306

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Емил, Олдрих, Честмир, Ян, Ярослав

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллов, поверхностей, придания, формы

...инструментами и травильными растворами.Цель изобретения - уменьшить потери монокристалла и повысить производительность.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что монокристалл подвергают воздействию инструмента, температура которого равна или выше той температуры, при которой кристалл сублимирует.П р и м е р. Монокристалл хлорида ртути НдС 12 с температурой сублимации 400 С ориентируют на деревянной подложке перпендикулярно к оптической оси кристалла и укладывают в угломерный столик режущего инструмента. На другом конце инструмента создается нагрузка примерно в 36 г. Режущим инструментом служит нить сопротивления длиною в 150 мм и диаметром 0,15 мм, расщепленные концы которой укрепляются в крейцкопфе, совершающем 58...

Номер патента: 472682

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Бертулис, Станкевичус, Толутис

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллитов, роста, скорости

...линии Л - Л (фиг. 1) производят кратковременный локальный нагрев выше температуры начала рекристаллизации (280 в 2 С), Луч создают пушкой электронов высоких энергий электронографа (типа ЭГЛ) при 0=80 кв. Диаметр луча 80 - 100 мкм.Приготовленную подложку с материалом одним концом крепят в специальном держателе - нагревателе, обеспечивающем жесткое крепление подложки по отношению к двум радиационным нагревателям, Приспособление для крепления одновременно используют для отвода тепла. Свободный конец подложки нагревают одним стержневым радиационным нагревателем, расположенным на высоте 10 - 12 мм от подложки параллельно полоскам материала. Другим радиационным нагревателем большой площади, расположенным параллельно подложке на высоте 12 -...

Номер патента: 473513

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Макарова, Рагозин

МПК: B01J 17/00

Метки: вольфрама, монокристаллов, полировки, травления

...Л/см зоб(зстс 133 с ОтиосцГС 5 к Обгаси Воливки И ТРЗВЛЕИИ 51 МОИОКРИСТЗ;1;1013 ВОЛЬфРЗМ 1 И МО)КСТ ИРИМСИ 51 ЬС 51 В МЕТЛЛОВСДЕИ 311Извсстшя сиосоо электролитисскго трйВ- лсиия крисгалль вольфрама и растворе фс фОРИОЕЦСЛ 010 ИЗТРИЯ Ц СЦОС(И) 13 Ы 5 В(1 СИИ 51 ДИСЛ О К а Ц 13 й В К 13 М И СС 3(О М 1 Р 3 Г И тел (, СД( Р )К йщем К 01-1, КГе(СХ) 61 и воду.11 сдостаткймц известны.; сиосоооВ 3,3 рВ.ки и 1 РВВлсци 5 МОиОк 1 ист 11;101) ВО 1 ь(1)Р 3 0 ЯВ:51 ОТСЯ ЗЦЗИС;1 ЬИЬС ЗЗТРЗ) Ы ВРЕ.(СИИ Ий ВолиОВку 1 восле;УОПсе рй 351 сиис, исОб.(О;имост 1 иримсцсии 5 рази 11 х )й(.3 ВО)ОВ и рсжмо 3. Крмс того, травлсиис дислокаций ГДСТ ИС И ВСС . ИГОСОСТ 51 Х, 3 ТЗК)1(С Зй ГР 310. 1;Э ИО ВЛИ 51 ИИС ГРЗЦИЦ 0(1 КОВ И РЗЦИЦ СМОЗСРСИ.Цс;ь изобрстс 31351 -...

Номер патента: 475172

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко

МПК: B01J 17/00

Метки: барийстронциевого, монокристаллов, ниобата, отжига

...пос15 бо контраста полосы роотсутствуют. я до отжига отжига имел сл та. После отжи различимы, либ ателя преломлен ле отжига 5 10 -дмет изобретени ов бариищий нагрев, ухе, отлиулучшения нагрева ве- С, выдержкус последую - 100 град/ Спос 0 стронци выдерж чающ одноро дут до 5 провод щим ох(61 ополнительное к авт. с Изобретение относится к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого нио бата ВаБг ЛЬз 00, которые применяются в модуляторах и дефлекторах света.Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400 С, выдержку при этой температуре в течение 10 - 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьшению интенсивности окраски для окрашенных...

Номер патента: 479486

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Грачев, Ильченко, Романченко, Снегирев, Филипчук

МПК: B01J 17/00

Метки: кривизны, кристаллизации, формы, фронта

...казанной толщины.Угол расхождения луча 20 для частот 45и 75 Мтц составляет: 6 и: 4 соответ ственно,Редактор Т. Шарганова Корректор Т, Гревцова Заказ 2817/2 Изд. Мо 956 Тираж 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Для упрощения анализа для каждого угла расхождения луча отбирают только те амплитуды отраженных импульсов, которые соответствуют одному и тому же значению эталонной амплитуды.Соотношение А,/Аз между амплитудами импульса луча с меньшим (А,) и большим (Аг) углом расхождения для фронта, выпуклого в сторону расплава, и франта, выпуклого в сторону монокристалла, при длине кристалла к=100 мм и радиусе кривизны г=...

Номер патента: 484891

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Ванюков, Жуховицкий, Нечаев, Офицеров, Пустов, Сыромятникова, Якунькин

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллических, образцов, термообработки

...н ждение проводят химическ ,приповерхностного слоя то .в бидистилляте азотной ки жимое примесей в исходно грев - охлаоерастворение лшиной 10 мкм т как и лоты. С м кадми очного с,%: И 5 10; 2 п 2 ботки кадмия йо пре содержание этих при химико-спектральног эн10длагае месей тавляет, ве После обр мому способ а пределамилы ой осле т лажде рмообия ведут со скоростью 10 - 10 град/сек2 2Возникшую приповерхностную сегрега аю примесей периодически удаляют, на 05 г 10р 2. Полик 410алюми-ф эа, вес.7 оПрим щ 1алль С целью понижения оста ржания примесей с положит уией связи с вакансиями, п работки образцов процесс о лаждению от Т м 20 Ъ 2194601 Составитель Гангардя Техред М, Левицкая Корректор И. Гокснч. Редактор О. Кузнецова,Заказ 1048 Подписное...

Номер патента: 485760

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Гурин, Кискачи, Корсукова, Кузьма, Терентьева

МПК: B01J 17/00

Метки: боре, раствора, твердого, цинка

...бора с соее Звес. %, выдержку 600 С в течение 3 -в оор расплацельюанисмствляю о,ржстцс Известен способ получения твердого раствора цинка в боре, заключающийся в выдержке стержней зонноплавленного бора в расплаве цинка при 907"С в течение 10 - 120 мин.Цель изобретения - получение стержней бора с содерканием цинка не более 3 вес. % .Для этого выдержку кристаллического бора в расплаве цинка осуществляют при 500 - 600"С в течение 3 - 24 час.П р и м е р 1, В кварцевую ампулу помегцают 50 г гранулированного цинка (99,99 вес. % ) и стержень зонноплавленного бора р - ромбоэдрической модификации (длиной 16 и диаметром 3 мм; чистота: 10 -г/см металлических примесей; периоды кристаллической ре 15ошетки: а 10,93 и с 23,74 А). Ампулу откачивают до...

Номер патента: 495082

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Новожилова, Самойлович, Хаджи, Цинобер, Цыганов, Шапошников

МПК: B01J 17/00

Метки: аметиста, изменения, окраски

...до 400 С пп света в течение длительного дв) х 1;с)в,температуррзф) олетовчсппс двухзом образцдымчатогоО 1) 1 51 и Р а кспвпости ии воздейстО времени. Формула изобретения чества крисб использмдлиной волст 1 на 1- С с посгнитногочто, с ва крисизлчсС 51 ТЕМ, ЛМ 1 Е 11 ИС Изобрете)ше относится к способу пзмспени 51 Окраски аметиста, которьй испОльз етс 51 в 1 г)вслирной промышленности.Известен способ изменения окраски аметистаа нагреванием до 200 в 5 С с последую)цим воздействием электромагнитного пзлу Е1 И 51 .Недостатком известного способа являетс 5 появление при ионизирующем облучении дымчатого оттенка фиолетовой окраски, значительно снижающей ювелирное качество кристаллов.Для повышения ювелирного каталлов по предлагаемому спосоют...

Номер патента: 498958

Опубликовано: 15.01.1976

Автор: Иванова

МПК: B01J 17/00

Метки: магния, фторбората

...фторбората мапп 1 я, которые могут быть использованы для армирования керамики.Известны способы получения монокристаллов различных неорганических соединений из паровой фазы на твердой под 31 ожке благодаря кристаллическому росту гри термической обработке исходных материалов.В системе МдГ 2 - В,О, известно поликристаллическое соединение МдЗВОЗГЗ - фторборат магния.Однако способ получения мопокрпсталлов МязВОЗРЗ В ВидО усОВ псизВсстсп,С целью получения мопокристаллов МдЗВОЗГЗ в виде усов проводят процесс термообработки в окислитсльпой атмосфере прп 1000 в 11 С в течение 3 - 20 ч со скоростью нагрева 20 - 100 град/ч па подложке из керамики на основе МдГз. ю подставку из керамиго магния (МдГ,) насыиной пе менее 1 мм, со И КИС...

Номер патента: 502651

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Алавердян, Белабаев, Саркисов, Фарштендикер

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, лития, метаниобата, термообработки

...электрическом поле и охлаждение, о т л и ч а ю щ и й ся тем, что, с целью улучшения динамическиххарактеристик модуляторов, выдержку кристаллов проводят при 225 в 2 С в течение 10 - 30 мин при напряженности электрического поля 1960 в 20 В/см.25 2. Способ по п. 1, отличающийся тем,что подъем температуры проводят со скоростью 150 - 200 град/ч.3. Способ по п. 1, ючто снижение темпе ос.30 ботки проводят со с 5 отл ич а ратуры п кор остью щиися тем, че термообра - 100 град/ч,Изобретение относится к способу термообработки кристаллов метаниобата лития, широко применяемых в квантовой электронике.Известен способ термообработки кристаллов метаниобата лития, включающий нагрев, выдержку в постоянном электрическом поле и охлаждение. Однако...

Номер патента: 518226

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Дарвойд, Лисицкий, Медведев, Постникова

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...направленной кристаллизацией расппаца. Про зрачные части слитка разрезают н.н ппасти ны, шлифуют, полируют, и измеряют:,икро,твердость и спектральную прозрачность; ко,ротковолновый край собственного погпощения 0,37 - 0,39 мкм, микротвердость 3,1,4 кг/ммУ.11 римерв примере 1 изЗаказ 1758/261 Тираж 864, ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открыти.113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4,зщей 0,5",ь,хлорида бария, хлорид таплия - остальное,Полученный материал имеет коротковолновый крей собственного поглощения 0 37 Ф 0,33 мкм и микротвердость 23,5 кг/мм . П р и м е р 3, Материал получают как в примере 1, из исходной шихты, содержащей 1%...

Номер патента: 521921

Опубликовано: 25.07.1976

Автор: Еланская

МПК: B01J 17/00

Метки: антимонида, индия, травитель

...ляет Травление длил цы промывали вод выявлялись в виде вершиной. атемисл ми л к о онусообразных я и быть рмула и етени инТравитель для антимо ший соляную кислоту и п личаюшийся те,выявления дислокаций по 111), (110 (100,нительно содержит молоч следующем соотношении к Соляная кислота Пергидроль я Молочная кислотасо ем с 0 - 250 0 - 150 0 - 400 лупроводниковых материалов,Известен травитель, выявляюшийкации в монокристаллах антив состав которого входят азая и уксусная кислоты,Однако известный травитель выядислокационные ямки травления толодной или двух кристаллографическикостях,Известен также травитель, состоиз соляной кислоты и пергидроля.Однако этот травитель не может1использован для травления антимони дня.Целью изобретения...

Номер патента: 525465

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Гене, Дудник

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, монокристаллический, ферроэластичный

...маТИКОЛ), ТаК КаК ВЦЕШепряжецием его можноОриРнтациоццого сОст го и са ества, обладающего в мн пр скими свой ре. Это достигкристаллы Рв,спонтанной кр О ири к Олцац ОЙ телГы Обладают большимеОллениел и разбитьс этим под действием а 1 адия ЧО пр .редиентов, ве омены, в связ го тела и может быт равлеия лучом Онти нератора (ОК) с ио мента, в качестве ко материалы, обладающ свойствами,Известны ферроэл ческий материал, сод и пятиокись фосфора сравнительно низкие фициенты, что ограни ройств управления,Известно вешестРв. Ре О Е 2)содеи Р О, - 1 7 5 вес,форроэластичным мотериалом (ферроэлам механическимперевести из одногония в дру ое, Одцалратуре эти крстал 1начальным двулучеп ется путем введения в м08, вырацепных методо стаппизашц 1, и...

Номер патента: 466693

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко, Морозов

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, многокристаллический, сегнетоэлектрический

...пироиента при комнатме ие его темп сим в состав материала предлоокись кальция и компонентыюших соотношениях, мол.%;2,5-17,5 бре ормулнокристалли и жено вводить брать в следу ВаО й сегнетоэлект ски матери я и нио а основ лов бария,стронци с я25 элект ия, ос целькозффи юшииния пиро 47, 25 чт а еског и комнатИзвестен монокристаллический материал состава 5 т, Ва МЪ О (где Х = = 0,25 - 0,75),Разработанный монокристаллическийматериал позволяет уменьшить зависимость пироэлектрического коэффициентаот температуры и повысить его значениепри комнатной температуре.П р и м е р . Шихту, состоящую из23,66 г ВаСОз (15 мол.% ВаО),29,545 СО (25 мол.% 50) 8,0 г СаСО(10 мол.% СаО) 106,37 г йд 0(50 мол.%) 10 помещают в платиновый или иридиевыйтигель и...

Номер патента: 539599

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Беруль, Лазарев, Триппель

МПК: B01J 17/00

Метки: соединений, тройных

...в инфракрасной и телевизионной технике в качестве фоточувствительных материалов.Известен способ получения тройных соединений АВЗв и АВ 15 е 2, где А - 1 ча, К, Сз, путем взаимодействия карбоната щелочного металла АвСОз и В 1 вЬз(ВЯез)Однако тройные соединения с11 ВЖев этим способом получить нНаиболее близок к изобретениюлучения соединений АЬЬСе,где А - щелочной металл, С - халькоген, путем сплавления в запаянной ампуле сурьмы с щелочным металлом при 550 - 660 С 3 - 4 ч с последующим введением халькогена и недостающего количества сурьмы.Недостаток этого способа - большая,длительность процесса, требующая непрерывной работы оборудования.С целью сокращения времени процесса медленно натревают исходные элементы, расположенные строго послойно,...

Номер патента: 548311

Опубликовано: 28.02.1977

Авторы: Говорков, Смирнов

МПК: B01J 17/00

Метки: корунда

...помещают в реакционную камеру ц нагревают до 1700 С прц непрерывном откачивании продуктов реакции.20 Выдерживают прц данной температуре в течение 6 час и охлаждают до комнатной температуры. В результате химического взаимодействия между кристаллом ц порошкообразным карбидом бора происходит растворение руби на, контактирующего с реагентом. Под действием силы тяжести контейнер опускается на глубину растворенного материала, экранируя обработанные участки поверхности, ортогонально расположенные к плоскости заготовки,548311 20 Формула изобретения Составитель Н, Гангардт Техред Л, Гладкова Корректор Л, Брахнина Редактор Т. Пилипенко Заказ 355/10 Изд. Мв 222 Тираж 899 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам...

Номер патента: 549167

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Винник, Федоров, Филиппов, Шильников

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллических, ориентации, сфер, ферромагнитных

...образом. Образец помещают в постоянное однородное магнитное поле. Он, приобретая механический момент, поворачивается так, что ось легкого намагничивания 20 совпадает с направлением поля. Искомойплоскостью будет плоскость, перпендикулярная направлению магнитного поля. Недостатком известного способа является невысокая точность ориентировки. Главным фактором, 25 препятствующим выставлению образца в искомом положения, является сила трения, компенсирующая механический момент, приобре. таемый сферой во внешнем магнитном поле.Величина механического момента опреде- -30 ляется выражениемМ=Р К з 1 па,Формула изобретения Составитель В. ПополитовТехред Л. Кочемирова Корректор И, Симкина Редактор Л. Лепилина Заказ 273/965 Изд.478 Тираж 899 Подписное...

Номер патента: 566621

Опубликовано: 30.07.1977

Авторы: Кашаев, Кокарев, Никольская, Самойлович

МПК: B01J 17/00

Метки: камней, поделочных

...2 ч. Затем изделие охлаждают в камере до 15 комнатной температуры в течение 7 - 8 ч.Окраска указанных полос изменяется до темно-синего, почти черного и ярко-оранжевого цветов соответственно (первоначально почти бесцветный основной фон приобретает отте нок от нежно-розового до темно-вишневого).Пепельница в результате обработки приобретает яркость окраски и декоративность, не потеряв своей полировки и ювелирного вида.П р и м е р 2. Подсвечник из дмитровского 25 кремня с рассеянными в основной массе точечными включениями гематита с характерным полосчатым рисунком после сушки и нагревания при описанных в примере 1 параметрах приобретает нежно-лиловый цвет основ ной массы при одновременном усилении контку Авторыизобретения Ь. И, Кашаев, Г го...

Номер патента: 589015

Опубликовано: 25.01.1978

Авторы: Кокойкин, Мельников, Суворов

МПК: B01J 17/00

Метки: монокристаллов, нитевидных, шихта

...шихты загружают в реакционное пространство электрической печи сопротивления. Загружают в следуюшей последовательности: графит, илгнеэнт, сульфид алюминия. Реакционное пространство золируют корундовым акоаном. Теаеуратуру в печи подни мают до 145 ОС нтвыдерживают не менее 2 час.589015 формула изобретения Составитель С, Кокойкин Редактор Л, Гребенникова Техред Н. Андрейчук Корректор Н. ЯцемирсЗаказ 296/7 Тираж ЙФ Подписное ОНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, ЖРаушская набд, 4/5Фипиап ППП Патент г. Ужгород, уп. Проектная, 4 П р и м е р 1. В реакционное пространство электрической печи загружают 70 г графита, 25 г металлургического магнезита и 5 г супьфида алюминия,...

Номер патента: 591210

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: B01J 17/00

Метки: кристаллов, отжига

...кристаллов или элементов из них) и термохимическому взаимодействию с материалом кон тейнера (молибденом)При пористости менее 60% потери при отжиге увеличиваются. При нулевой пориотости, условиям которой соответствует футеровкв из монокриствлла сапфира, напыпе 10 ние исключается, но происходит испарение кристалла.Улучшение качества обеспечивает пориотость 60-70%, Дальнейшее повышение пориотости не влияет нв испарение отжимаемых 15 изделий и материала контейнера,На чертеже показано предлагаемое устройство. Устройство состоит иэ контейнераи системы получения сигнала о достижении 20предплввильной температуры,Контейнер 1 установлен внутри контейнера 2 на реперном кристалле 3, Реперныйкристалл расположен вертикально в лодочке4. Нв крышке 5...

Номер патента: 594628

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Багдасаров, Гречушников, Карпов

МПК: B01J 17/00

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, матриела, монокристаллический, основе, ювелирный

...пределах от 1 1 К до 1 вес.Ъ в зависимости от содержания окиси титана в расплаве от 110 т до 3 вес,В.На чертеже даны спектры пропускаыий образцов иттрий-алюминиевого граната толщиной 5 мм при различной кон- центрацииЪО;з расплаве: кривая 1 0,01 вес.Ъ ТтО., кривая 2 - 05 вес.% ЪОз и кривая 3 - 3,0 вес.Ф РтО,П р и м е р, Выращивание кристалла ведут методомвертикальной направленной кристаллизации в печи с температурным градиентом 6 град/см, в атмосфере инертного газа при скорости выращивания 1,0 мм/ч.Полученные кристаллы имеют окраску, зависящую от содержания Тт 0 в расплаве, результаты приведы в таблице.азца толщи- и естествен ещ 0001 2,9 невый оттенок 7,064 42, Э 26 або-коричневый ичневы Зб евый устоняется от Кроме тог висимости...

Номер патента: 565432

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Александров, Осико, Татаринцев, Удовенчик

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, монокртисталлический, оптический

...из холодного ненты берут в %: зобр етения ормул ристаллический материал циркония или гафния, сорующую добавку, о т л ито, с целью повышенияит в качестве стабилизиОптический манок на основе двуокиси держащий стабилиз чающийся тем, ч твердости, он содер 5 Изобретение относит я к области получения оптических материалов иа основе тугоплавких окислов.Известный оптический монокристаллический материал на основе двуокиси циркония или гафния, содержащий в качестве стабилизирующей добавки окись иттрия, имеег микротвердость соответственно 16630 ми/м и 16550 ми/м 1.С целью повышения твердости предлагаемый материал содержит в качесгве стабилизирующси дооавки окись иттербия при следующем соотношении компонентов, мол. %:Двуокись цирконияили...

Номер патента: 621367

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Лутц, Михаель, Райнер, Хорст

МПК: B01J 17/00

Метки: полупроводниковых, травления

...близким псущности и достигаемоизобретению являетсястекла газообразной тсмесью 1 .Известный способ не обеспечива высокой интенсификации процесса т ления полупроводниковых материалокремния.Целью изобретения является интен сификация процесса травления полупровсдниковых материалов иэ кремнияДля достижения поставленной цели в известном способе травления полупроводниковых материалов обработку проводят в реакторе при давлении 1-10 торр в тлеющем разряде.В данном способе может быть исьзована чистая травильная смесьи разбавленная газом, например водородом или аргоном.В реактор, из которого уда дух, псщают через трубопровод образное травильное средство рафторметан, разбавленный вод Давление в реакторе 5 торр. М трубопрсводом и стенкой...

Номер патента: 593345

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Гончаров, Достходжаев, Емцев, Мащовец, Рывкин

МПК: B01J 17/00

Метки: германия, материал, основе, полупроводниковый

...Министров СССРпо делам изобретений и открытий:113035, Москва, Ж, Рвущская набд, 4/5 филиал ППП "Пвтентф, г, Ужгород, ул, Проектная. 4 Вьращивание осушествляют по способуЧохральскосо, в атмосфере спектральночистого гелия со скоростью 1,5 мм/мин,Тигель вращают со скоростью 10 об/мин.,а затравку - 70 об/мин, Измерение алекФрических параметров поквзьввет, чтополученный монокристалл германия имеетэлектронный тип проводимости, с концентрацией доноров 1,110 7 ат, 7. Химико-спектральный анализ показывает Оналичие в данном монокристалле германия примеси бария в концентрации(2-4) 10вт, %, Плотность дислокаций в полученном материале составляет(3-6) 10см , малоугловые грвницьзне обнаружень,Далее из полученного монокристаллагермания были...

Номер патента: 662137

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Алиджанов, Мехтиев, Рустамов, Сафаров, Халилов

МПК: B01J 17/00

Метки: материал, фоточувствительный

...материал на основе сплавов СЙЯи РЬЯ для работы в инфракрасной области спектра при комнатной темпе-ратуре 2), Однако составы, работающие в области 1,6-1,8 мкм, не быМиполучены.еЦель изобретения - обеспеработы материала в области 1С этой целью предложено ивать материал, который имеетЯп Эпх,- Яе, где х,04-0,дня синтеза указанного сплава вкачестве исходных компонентов ис-,пользуют 2 п, Яп и Яе в соответст"вующих пропорциях. Синтез осуществляют в эвакуированных кварцевых ампулах с остаточным давлением порядка 10 4 мм рт. ст. в атмосфере аргоона при 950 С с последующим охлаждениИз синтезированных поликристаллических образцов по методу Бриджменавыращивают монокрйсталлы. Выращенныемонокрсталлические образцы однородны и параметры их...

Номер патента: 475094

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: B01J 17/00

Метки: легирования, стекла, халькогенидного

...чего прикладываются импульсы электрического напряжения, амплитуда которых равна ипи больще напряжения переключения исходного халькогенидного стекла, при этом длитель- ность импульсов напряжения устанавливают меньще времени образования проводящих кристаллических каналов в исходном халькогенидном стекле. В качестве пегистекло,ериапа -гируюг индий. рафитовую подленидного стекла Пример, Наг наносят слой хапьког Легируюшим электродом ро. Между пегирующим халькогенидным стеклом импульсы электрического плитуда которых равна ил ния переключения исход выби ают электродом прикладыва пап ряжетп больще напют я, ам ряжени го хальк долж- вание м легированитрее, чем обрВ местах к и ного стекла но происходить быс проводящих каналов...