Голынная

Номер патента: 624180

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Голынная, Приходько, Соболев, Хоменко

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, характеристик

...прибора.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность опре- ,деляют по разности двух значений фото.-ЭДС при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не ни624180 2 4 г же чем в 10 раз превыаающей мсхцность облучения при измерениях.Способ осуществляется следующим образом.После изготовления р .- Н -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при освещенности Б 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вбли." зи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е ф (10+15). Е 1 на время, которое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение фото-ЭДС при освещенности Е 1 поверхности прибора. Величина...