Спосб ориентации полупроводниковых пластин

)635536 ОПИСАНИЕИЗОБР ЕТЕ Н И ЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеслубликБ ОРИЕНТАЦИИНИКОВЫХ ПЛАСТИН 2 Изобретение относится к полупроволниио)вой технологии и может применяться для ориентации полпрозолниковык пластин, преимущественно с эпитак чЯльным слоем, имеющим сетку дислокации, например, при фотолитографи:.1.Известен способ ориентации полупроводниковых пластин с эпитаксиальным слоем по отношению и фотошаблонам, используемым гри фотолитографии. Этот способ г)релусзЯтривает выполнение на пластинак базовых срезов, обозначающих положение крсталло 73 ф;1 ческ)к,плоско тей отнэс:.1- тельно оси слитка полупроволникового ма. териала (11.Недостатками;1 ззестно: о рпо:обд являются слож:-Ость использ емого цля выявлен)я положения кристаллографическик плоскостей рентгеновского оборудованя потер 5 и полуп)оз.жикового матер:)ала пр:1 выполнеии)1 бдзовы.; соезов.На:более олизок к изобретен ио способ орисг таци:1 полупроводниковых пластин, включающий )бл чецие ик поверхности, ндбл)олеиие кдптииы Отражения на экране с г) срек") естъем: Пере)(сще:не пласт; и ПО совмеще:)ия карти(1 ы Отражения с,пепскрестьсм шкалы (21.Недостаток:Звет В том, что Лля его прелварительцо вытравить ца Поверхности и ) яст:1 иы м лтол ения, сООтВетствм 10 п(ие кэ)1 стдл зогг)21)ичеоким пгОскст 51)1, ЭтО усложняет и:юцссс ориегТанин и приводит 5 и потерям пол;11 повоцникового матс.13513.Цель:)зоб.) сте 1 я -- упрощс:1;е и;оцссса Ориеитдц)1 11 уъ 1 еиьшецие иотср 1 пОлу и р с 3 ) л 11 и 0 3 ) 1 О м д т с ри 3 л я.Данная цель достигается тсм, что пр:1способе ориентации иолмпр 1)ВО;1 цк гвык п)ласти, преимущественно с эпитаксиальслоем. ие)1)п 1.1.1 сстк .Ислэк,)цЙ,В к л 101 д о щ е м 0 блч с:11)с:1. и О 1) :. Н 1) с т и, наол:Олс:11 в кд.)т 11 ы Отражеци 51 цд экране с перекэестьсм : пс 1 реСщенис пл детил ло совм еце 51:1 я 1,Яртины От яжоци 51 с псекрсстьез шкял 1.1, Обл 1 чсние п.)оизволят лазе)зны:)1 лмчоз 1, 00 рдзмюп(им В качестВе капа ииы Отражения нд эк,")днс 1)игм:)1 дифрак ци лдзсрно:о луча ца сетке лислокдций.Сегкд лслокдцЙ вози)кдстри э:тдкс:Яль:1)м россе сосллИс)лий к,)истдлг)ОВ нд 1;ОЛМПЭОВО:НИКОНЫ. ПО.;10 ЖКД.;, КОГО,)ЫЕ ООЛЯП 310 т 1 з 23,ичныъ 1 и пост 051 нными репе ток, например, при выращивании йаАВР цаС)ЯА или на 62 Р. При облучении лазер НЫ.1 ИСТОЧНИКО СВЕТЯ ВСЛЕДСТВИЕ ЛдфРЯК- ц)1.1 .Язе:10 го,)тчд пд этоЙ сетке:1 ислокапиЙ 30311 икаст л:111)рЯкпионное изобрджеиие 0 в фо.,е лвук псрпен.1 икулярно )псрекрс)ци635536 Способ ориентаци 11 полупроводнеиковь.хпластин, преимущественно с эпитаксиальным слоем, имеющим сетку, дислокаций, включающий облучение их поверхности, наблюдение картины отражения на экране 15 с пеэекэестьем и перемещение пластин досовмещения картины отражения с перекрестьем шкалы, о т л и ч а ю щ и й я тем, что, с целью упрощения процесса ориентации и уменьшения потерь полупроводнико ного материала, облучение производят лазерным лучом, осразующпм в качестве карчины отражения на экране фигуру дифракцип лазерного луча на,сетке ди:.чэкац:1 й. 2 э Источники инфор мапни.внимание при эк"пертизе:1. Моряков О. С. Устройство и наладкаОборудования полупроводникового про:1 зводства, Высшая и 1 кола, 1971, с. 5, 1 э,80 рис, 5.2, Оборудование для производства по.тупроводниковых диодов и триодов. Подред. Масленникова П. НЭнергия, 1970с,15,16,рис.1 - 2,1 - 3,г 1 ринятые во Соетгзнтедз Юдактор И. Грузова Техре,т С, А Цветко корректор нтипенк никин Заказ 844/1264 Изд750НПО Государственного комитета СССРМосква, Я.зо, Рг,нп Хгрьк фил. пред, Патент вающихся,по отношению одна и -ругой ли ИИЙ.На чертеже показан один из свозможных вариантов предложенного спзсэба.Полупроводниковая пласт:1 Н.1с эдитаксиальным слоем, имеющим сетку дцслокаций, установлена на столе 2 ман 11 пулятора. Выходящий из лазера 3 луч д посред. ством плоского зеркала 5 попадает на поверхность эпитаксиального слоя.Отраженный луч направляется посредством вогнутого зеркала 6 на эк 1 ан 7, на котором дифракционнОе изображеии сетки дислокац 11 й эпитаксиа.чьпого слоя. В зультате,вращения стола 2; пластинойвозникающее дифракциэнное,перекрестье совмещается с нагходяшимся на экоане 7 верекрестьем нитей. Перекрестье нитей на экране 7 пре.:зарительно юстируется относ;1 тельнэ фэтошаблона. Это дает возможность при созмещении дифракционной картины полупроводниковой пластины с этим перекресть м ориентировать пластину относит.,чьно 11 отошаблона,Используемый при ориентации лазерный луч не оказывает экспонирующего воздействия на типовые фоторезисты, что поэзо. ляет ориентировать полупроводникозь.е пластины, покрытые фоторезистом. Воз. можна также ориентация пластин с нзнесенньгмта на них пассивиру 1 ошим:1 слоыги. Данны 1 О 11 особ сое" печивает упрошен 11 е процесса ориентации полупроводниковых пластин и уменьшение пэтерь по.п проводникового материала, так как отпадает необходимость выполнения базовых сэезоз и трав,чен:гя пэверхност 11 пластин. Формула изобрете .ия Тираж 922 Подписное по делам изобретений и открытийекгя наб., д. 4,8