Способ травления полупроводниковых материалов

Номер патента: 621367

Авторы: Лутц, Михаель, Райнер, Хорст

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистическнх Республик(23) Приоритет - (32 (31) % РС 23 с/170509 (33 04.7 3 осударственныиовета Министропо делам изобри открытн митетСССРний нь32 5 З) УДК ббпр, 1. 053.(088.8) ю Дата опубликования описания 2207. 2) Авторы изобретения Иностранцы айнер Меллер, Хорст Штельце Михаель Кляйнерт, Лутц фабиаИностра ФЕБ ое предприятиелектроматГДР) 1) Заявитель 54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПМАТЕРИАЛ О ИКОВЫХ собам ем гао техническойму реэ уль та ту кспособ травленияравильной етрав- Юв из 5: бретения Рмул одникозообл иелью ения из кре к торе ющем полил лен воз-И ы газов тетородом.еждуора соз-ЗО ты и, принтизе:хал В.Строй бла- эдат 43) Опубликовано 30087 Изобретение относитс я к спо травления подложек под действи эообраэных травильных смесей.Наиболее близким псущности и достигаемоизобретению являетсястекла газообразной тсмесью 1 .Известный способ не обеспечива высокой интенсификации процесса т ления полупроводниковых материалокремния.Целью изобретения является интен сификация процесса травления полупровсдниковых материалов иэ кремнияДля достижения поставленной цели в известном способе травления полупроводниковых материалов обработку проводят в реакторе при давлении 1-10 торр в тлеющем разряде.В данном способе может быть исьзована чистая травильная смесьи разбавленная газом, например водородом или аргоном.В реактор, из которого уда дух, псщают через трубопровод образное травильное средство рафторметан, разбавленный вод Давление в реакторе 5 торр. М трубопрсводом и стенкой реакт дают высокое напряжение, создающее тлеющий разряд, дополнительно гетеродинирующий поле постоянного токаЭто поле ускоряет отрицательные ионы травильной смеси и позволяет осуществить концентрированную реакцию возбужденных ионов с материалом подложки, что значительно интенсифицирует процесс травления.Преимуществом способа является также воэможность использования малоили абсолютно некорроэионноактивных и неядовитых травильных веществ. Способ травления прлупровматериалов путем обработки гаразной травильной смесью, о тч а ю щ и й с.я тем, что, с цинтенсификации процесса травлполупроводниковых материаловния, обработку проводят в реапри давлении 1-10 торр в тлеразряде.Источники информациво внимание при экспер1. Бахтик С., Поспигораживание стекла. М.1970, с. 172.

Смотреть

Заявка

1989753, 14.01.1974

ФЕБ ЭЛЕКТРОМАТ

РАЙНЕР МЕЛЛЕР, ХОРСТ ШТЕЛЬЦЕР, МИХАЕЛЬ КЛЯЙНЕРТ, ЛУТЦ ФАБИАН

МПК / Метки

МПК: B01J 17/00

Метки: полупроводниковых, травления

Опубликовано: 30.08.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-621367-sposob-travleniya-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты