Способ пайки полупроводниковых приборов

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Сеюз Советскнк Соцналнстнческнк Республик(61) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено 16 Ю 577 (21) 248576/25-2с йрисоединением заявки Рй(23) Приоритет -Н 01 1 21/70 В 23 К 1/12 Государственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийн открытий(45) Дата опубликования описания 10.1178 А.А.Россошинскнй, В.И.Кислицын, А.Г.Мусин, Л.А.Петров,Ю.Б,Утробин,А.И.Шамыгин и Н.В.Афанасов(22) Авторы изобретения Ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени: институт электросварки им.Е.О.Патона АН УССР(54) СПОСОБ ПАЙКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в электронной промышленности,Известен способ пайки полупроводниковых прибороб, включающий укладку выводов приборов припоя и полупроводниковых . кристаллов в приспособление, сжатие соединяемых деталей и пропускание электрического тока через соединяемые детали и полупроводниковый крисстал в прямом направлении относительно р-тт-перехо.да полупроводникового кристалла и снятие давления 11 . Недостатком данного способа является необходимость укладки полупроводникового кристалла в приспособление в строго ориентированном направлении. Ориентирование полупроводниковых кристаллов диодов ухудшает качество. приборов из-за дополнительных перемещений и другого ряда манипуляций, связанных с ориентированием. Некоторые типы диодов являются симметричными относительно полупроводникового кристалла, что дает возможность отказаться от операции ори.ентирования. Целью изобретения является пайканеориентированных кристаллов диодовДля достижения поставленной целиток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды,при этом полярность напряжения изменяют относительно р-и-переходакристалла диода.Дпя пайки неориентированных,кристаллов диодов. каждый диод в нриспо соблении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно (Р-п-перехода полупроводниковогокристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое сни"жение производительности при этомкомпенсируется ликвидацией операцииориентирования,П р и м е р. Б кассету, укладываютвырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженнымиокунанием в припой ПОСконтактными йлощадками. На контактные площадки укладывают полупроводниковыекристаллы диодов (кремний КЭФ"40,легированный бором, диаметр 1,8 мм,толщина 300 мкм, верхний слой металлизации -золототолщиной 3-5 мкм).:Сверху укладывают вторые выводы при632010 Составитель Ф.КонопелькоТехред Н.Бабурка Корректор Л.Василина Редактор Н.Вирко Заказ 6360/53 Тираж 918 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, ж, Раушская наб., д,4/5 Филиал ППП Патентф, г.ужгород, ул.Проектная,4 боров. Детали в кассете сжимают многоэлектродной головкой. Давление на каждой сборке достигает 1-1,5 кгс/мм . Через все диоды поочередно пропускают многоимпульсный разряд конденсаторного источника питания. Коммутация осуществляется тиристорами, управляемыми по заданной программе. Амплитудное значение тока нагрева составляет 290-300 А, время протекания многоимпульсного разряда через каждую сбору деталей 1,2 мс, время зарядки секционированной батареи конденсаторов 40 мс.Формула изобретенияСпособ пайки полупроводниковых приборов, при котором производят укладку выводов, припоя и полупровод никовых кристаллов в приспособление, прикладывают давление, пропускают через выводы и р-п-переход полупроводникового кристалла импульсы тока в прямом направлении (относительно 8 р-п-перехода), а затем снимают давление, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью пайки неориентированных кристаллов диодов, ток через паяемый прибор пропускают, прикладывая напря жение дважды, при этом меняют полярность напряжения относительно р-и- перехода кристалла диода.Источники информации, принятыево внимание при экспертизе:15 1, Авторское свидетельство СССР9 539483, кл. Н 01 Ь 21/70, 1974.