Шамыгин

Способ управления процессом тепловойобработки

Загрузка...

Номер патента: 841861

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Добровольский, Кислицын, Мусин, Павлюк, Утробин, Федосеев, Шамыгин

МПК: B23K 11/24

Метки: процессом, тепловойобработки

...изменения знака производной может быть выделен: из общего сигнала и использован для регулирования тока нагрева (напряженияисточника тока нагрева) .Уровни сигнала при измерениипрямого падения напряжения на полупроводниковом кристалле составляютдесятки и сотни миллнвольт (на тричетыре порядка больше, чем в аналогах), Такой сигнал легче выделить,а это повышает помехоустойчивость "схемы и надежность регулирования,процесса, упрощается регистрирующееоборудование,На фиг, 1 представлена блок-схема, реализующая предлагаемый способуправления процессом электроконтактной пайки полупроводниковых диодов;на фиг 2, - эпюры напряжений в контрольных точках,Нагреваемая сборка (полупроводниковый кристалл с припаиваемыми металлическими выводами)...

Способ пайки полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 632010

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Афанасов, Кислицын, Мусин, Петров, Россошинский, Утробин, Шамыгин

МПК: H01L 21/77

Метки: пайки, полупроводниковых, приборов

...целиток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды,при этом полярность напряжения изменяют относительно р-и-переходакристалла диода.Дпя пайки неориентированных,кристаллов диодов. каждый диод в нриспо соблении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно (Р-п-перехода полупроводниковогокристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое сни"жение производительности при этомкомпенсируется ликвидацией операцииориентирования,П р и м е р. Б кассету, укладываютвырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженнымиокунанием в припой ПОСконтактными йлощадками. На контактные площадки укладывают полупроводниковыекристаллы диодов...