Зондовая установка для контроля полупроводниковых структур

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соаетскик Социапмстнцескмк Республик(53) М 01 1 7168 нием заявки присо Гасударственные камнтет Фаевта Мнннстреа СССР аа делам нэабретеннй н етнрытнй) Приоритет -юллетень 39ания ,1 6. 01. 7 ковано 25.10. 7 43) Опуб ОЗ) УДК621,382 (08(45) Дата опубликования о А. Д. Аксенов, Н. В. Блохин, Ю, П, Клюев, В. В. Павлов липпов, А. А. Чернявский и В. И. Шабельнико 72) Авторы изобретени Н, Фи 1) Заявите 4) ЗОНДОВАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫ СТРУКТУРйлощадками полупр на пластине и уме одниковых шить раэб структуос уси тр д перемещения. Они исполуной промышленности дляличных микроэлектронныхОднако существующие,зя использовать для контных структур с размерамплощадок в несколько микоординат наведения зонд ются в электроноизводства рарнборов.становки нельоля транзисти контактныхрон, Отклонен онтактнь ощадки и рвзбря приводят к сю металлизировощадок транзиссок и прчколов,Цель чзобретентактированяя зо ос усилий контактир диту зондов и поврнного слоя контрик ежде ных рных структу ид ия - повысить точн ндов с контактным ст Изобретение относится к области по проводникового машиностроения и, в ч ности, к установкам зондового контроля транзисторных структур на пластине.Известчы зондовые установки для коноля электрических парметров транзисторных структур на пластине, которые соержат систему контактирования с зондами, оптическую систему, стол для закрепления пластины с механизмом шагового контактирования.Это достигается тем, ч".о горизонтальные оси качания контактирующих зондоврасположены в плоскости контактированиы.На фиг, 1 изображена схема предлагаемой зондовой установки; на фиг, 2, а,б,- схема образования погрешности попадания 10 зонда на контактную плошадку для установок с качающимися зондами; на фиг. 3 а,б - схема образовании дефекта на контактной площадке из-за сдвига зонда для установок с пружинно-балочным креплением 15 зондов.На схемах принять. следующие обоэнлчения: Э,Б,К - условное подключениеэмиттера, базы и коллектора проверяемойструктуры к испытательной схьме на схе ме условнО не показаны лектроиэоляпиязондоь и предметного стола и привод установки);- длина зонда; Я - фокальная плОскОсть,расстояние От Осикачания зонда до плоскостч Я ; а Й - глу- М . бина резкости оптнческой системы;3тт, /( / тт Ь,ГтюСтрттЛа ттрогцбй Зотнда, д Гт з рейкцмя койтактной площадки; д 5,Ф,ДНЙ РИСКИ,Установка состоит из оптического уст- ООЯСТВД Д КОЦПусаПредМ 8 ТНСГОтС МВХИНИЖ 4 ОМ П 8 Ремещеиият ДВУХ ИЗМед рительиых ЗОНДОВ 4 с механизмами переМеиеции.Работа установки осущеслаиется сл"=дттт ттцти Образом,,т ЬОВВРЯеыатя ПЛИСТИНа 5 З 2 КР 8 ПЛЯЕ"СЯтРЕДъ,тЕтНОМ дРП 8 3 ВаттттУ 1 т,п.тт т ПРИМОМ И СрцтеитируеТСа МекаНИЗМСМ ПЕреМЕ- йтиения Стада ОДЯОВРЕМ 8 ННО ВВДетсп ВИЗУаЛЬИЫтт КОНТПОЛЪ ЕЗЧ 8 СТВа ТРанЗИСТОРИЫХСтрукур С ПОМОщьО ОПТИЧетскстт СИСТ 8 МЫЗ.т жЕСТЕО СВЯ=ЦНИОЙ С КОРПУСОМ 2. ИЗМ 8 РИТ 8 Лт И те .-,ОНД т 4; Фехаицэт 1 ттМтт П Рет 8 ттл 2 тНИ таводтятСЧ Ч ттттттач-:-а,ютт т"Оттчт;ттаттТС;Иа т, От 18 т Тттмелоч тттДт Потттт. РтттМОф тнттИУКТуры т,тИ ЕТОМтситие КОНТЗКТИПОВИНИИР 8 ГУЛтц)УетснттРРТИВСИесамтц т, Я нанес.иаИЗЗ "6 РИттеттт Элетт"Итте Ч"4 Х тт"-СЧтттттдотт- "ттН ДИСТО;:и, ",;. Стрт, - ,тур тоже. бт,т"Ь ттпт,.тетнеитю ттс,т тсттщетърттттотттт е утттт, тттбот", Пт" ттЛе тттеттттоюциттт;-С "ДЬ-. СД;т 1 тт;т-т,с;,низм иагового перемеше ид подводит в поЛе КонтрОЛИ СЛЕдуЮщую С "туктуруПредмет изо етенияЗондовая установка д. я контроля полупроводниковых структур, например транэио ТОРЧЫХ)т ИМЕЮЩИХ КОНтаКТНЫ 8 ПЛОЩВДКИ На пластине, содержащая ксрпус для закрепления узлов и механиэмо. оптическую систему, жестко закрепленну иа корпусе и име- ЮЩУЖ ВЕРТИКаЛЬНуЮ Митт;:Отподс"ПОЙКУт СИСТ 8 му контактирования с качающимися на горн- ЗОНТагЪНЫХ ОСЯХ УРаВНС;теЩИВаЮЩИМИСЯ ИЭМЕ рительчымн Зондами, и,.еюиими механизмы ГОРРЗОНТаЛЬНттГО ПВР 8 М .48 НИЯ В ДВУХ ВЗИИМф но перчендиулирйых и .правлениях, предметъ. иыи стол для закреплчия полупроводниковой ПЧИСТИИЫт ИМ 8 ЮШИИ М ХВИИЗМ ГорнзонтаЛЬф перемещения в двух ззаимно перпендикулярных направлениях, с т л и ч н ю щ а я с я теМ, ЧтО, С П 8 ЛЬтт ПОВЫЩЕНИЯ ТОЧНОСТИ КОНТИЕ "ИРОВаНИЯ Зсттц.Яв С ЕОНТЗКТНЫМИ ПЛО щадками полупроводниковых структур на пластине и уменьщения разброса усилий контактироваиият гтриэонтальные оси качания ИЗМИРИТ 8 ЛЬНЫЧ ЗОНДОВ РИСПОЛОЖВЧЫ и ПЛОСфт кости коитактирования.= СЖй Составитель А, Усков ехред М. Ликович. Корректор Бау едактор О. Стен каз 1152 Тираж 8 Подписное ЦНИИЛИ Гос 13 Москва, Ж, Раушскаи наб., д. 4/5 Ужгород, ул. Гагарина,1 С 1 илиал ППП "Патен енного комитета Совета Министров СС о делам изобретений и открытий