Состав для временной защиты полупроводниковых пластин

Номер патента: 441152

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Демихов, Кучеров

МПК: B28D 5/02

Метки: полупроводниковых, резки

...на 15 диске пленки охлаждающей жидкости.Под действием центробежных сил отрезанные пластины отбрасываются на вращающийся диск, минуя приемное устройство. Это приводит к раскалыванию пластин и, следова тельно, снижает процент выхода годных изделий.Цель изобретения - исключенческих повреждений отрезанныхсбрасывании их в улавливатель. 25Для этого устройство снабжено кольцеобразным захватом, выполненным из неметаллического материала, например текстолита, и установленным на суппорте поперечной подачи, 30 На фиг. 1 схематично показавное устройство; на фиг. 2 - тонии при окончании резки.Устройство включает приемное устройство 1 для отрезания пластин, вращающуюся головку 2, в которой закреплен режущий диск 3, суппорт 4, к которому прикреплен...

Номер патента: 450260

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Бандик, Безсалов, Данковский, Доброхотов, Дулин, Медведев, Муравчик

МПК: H01L 7/68

Метки: полупроводниковых, резки

...зажимным приспособлением шарнирно подвешен на свободном конце первого рычага. 25На чертеже показано описываемое уст шарнирно связан рычаг 5 механизма подачи. Поворот рычага 5 осуществляется вокруг оси 6 при помощи ручки 7 эксцентрикового кулачка 8, сидящей на оси 9. Рычаг 10 установлен на оси 11 рычага 5 и соединен с ним гидро- регулятором 12. На нижнем конце рычага 10 закреплено зажимное приспособление для стержня 13.Устройство работает следующим образом.Стержень 13 фиксируется в зажимном приспособлении рычага 10, За счет поворота ручки 7 кулачка 8 вокруг оси 9 рычаг 10 со стержнем 13 выводится из положения вертикального равновесия и под действием соб. ственного веса начинает поворачиваться вокруг оси 11, осуществляя подачу стержня...

Номер патента: 1657386

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Ерошин, Каширина, Петров, Приходько, Сацукевич, Сердюк, Торба

МПК: B28D 5/00

Метки: полупроводниковых, резки

...срыва пластин или загрязнения отрезного барабана, требующих останова устройства после завершения цикла резки для очистки или балансироаки барабана. В ПУ 40, 42, 44 и 45 устанавливают максимально допустимые значения параметров процесса, превышение которых требует коррекции режимов или правки отрезного круга, Так, в ПУ 40 устанавливают значения максимально допустимой деформации режущей кромки отрезного круга, в ПУ 42 - максимально допустимое усилие резания, в ПУ 44 - максимально допустимую вибрацию и в ПУ 45- максимально допустимую неплоскостность пластин, В ПУ 46 и 47 устанавливают максимально и минимально допустимые значения толщины пластины. В ПУ 48 и 49 устанавливают допустимые границы изменения скорости вращения отрезного круга, а в...

Номер патента: 1689089

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Данилюк, Копыл, Слынько, Хандожко

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, резки, струнной

...со средним размером зерна 15 мкм,Подача кристалла на струну осуществляется с помощью электродвигателя с регулируемой частотой вращения, Сопротивление цепи, содержащее сопро нвление 9, сопротивление самоо кристалла от зоны до контакта 4, и сопротивления между струной и кристаллом в зоне резания В(т) измеряют с помощью схемы, приведенной на фиг, 1, В начале реза измеряют Вопт, Цилиндрический слиток ФЗО мм с удельным сопротивлением р = 2,8 Ом см, закрепленный ,на подвижном столике, до подачи абразивной суспенэии приводят в соприкосновение со струной, после чего приводят в движене нить и после подачи абразивной суспензии следят за изменением В В начальный момент В(т) = 2 кОм = Яо, Изменение В(т) со временем изображено на фиг. 4,...

Номер патента: 364047

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Громов, Лобиков, Салон, Стрсменов, Шутилин

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, подготовки, сборке

...после разделения кремниевой пластины3, имеет вид, изображенный на фиг, 3. Каждый кристалл 9, содержащий структуру одноймикросхемы, приклеен к спутнику 1 тонкимпрямоугольным слоем 10 глифталиевого лака.Спутник 1 имеет канавки 11 глубиной0,1 - 0,2 люлс, расположенные с шагом, равньвшагу структур кремниевой пластины, в видекоординатной сетки и образуемые прп резкекремниевой пластины 3 проволочками или специально подготовленные заранее. Спутник 1вместе с приклеенными и разделенными крисгаллами 9 отмывают от продуктов разделешгясинтетическим стиральным порошком в теплойводе и сушат. Защитный слой 4 глпфталневоголака снимают ацетоном. Затем спутник 1 скристаллами 9 устанавливают на установкуавтоматического зондового контроля (фпг. 4).На...