Способ контроля внутренних напряжений в полупроводниковых кристаллах

Номер патента: 1087779

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Карпов, Квасов, Корешков, Лабунов, Полонин, Прохоренко

МПК: G01H 13/00

Метки: механических, напряжений, пластине, полупроводниковой

...циклов, измеряют амплитуду Е деформации поверхностного слоя и ширину динамической петли гистерезиса и рассчитывают механичес- кие напряжения по формуле гНедостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная неодородностью определения величины механических напряжений, зависящей от жест-кости заделки контролируемого образца,Наиболее близким к изобретению является способ контроля механических 5 напряжений в полупроводниковой пластине,заюпочаюп 1 ийся в том, что возбуждаютизгибные колебания полупроводниковойпластины и измеряют первую и вторуюрезонансные частоты, по которым вы- О числяют искомые параметры Г 3,1.Недостатком способа является низкаяточность контроля, обусловленная зависимостью результатов контроля от жесткости...

Номер патента: 426207

Опубликовано: 30.04.1974

Авторы: Тислер, Унт

МПК: G01R 31/26

Метки: вентилях, падения, полупроводниковых

...обмот ка 9 которого подключена через ненасыщающийся дроссель 10 к источнику 11 стабилизированного тока. Испытуемый вентиль 5 соединен с амплитудным вольтметром 12.Устройство работает следующим образом.10 В исходном состоянии конденсатор 1 заряжен через резистор 3 до напряжения источника 4. Сердечник дросселя 8 насыщен благодаря протеканию тока в подмагничивающей обмотке 9 от источника стабилизированного 15 тока. При отпирании тиристора 2 конденсаторразряжается через обмотку 7 дросселя насыщения и первичную обмотку трансформатора 6 тока.Дроссель насыщения включен в схему та ким образом, что намагничивающая сила разрядного тока конденсатора противоположна намагничивающей силе, возникающей под действием источника 11 тока,...

Номер патента: 470044

Опубликовано: 05.05.1975

Автор: Турченков

МПК: H02M 1/08

Метки: генерирования, напряжений, полупроводниковых, приборов, управляющих

...Вторая обкладка конденсатора 12соединена с нагрузочным эмиттером, в качестве которого, например, можно использоватьпервичную обмотку импульсного трансформа 20 тора или управляющий переход тиристора.Блок команд имеет по своим выходам четыре состояния, в соответствии с которыми имеетчетыре состояния устройства для генерирования напряжения.25 При больших сопротивлениях между выходами 2 и 3 (показанные электроцныс ключиразомкнуты) на выходе импульсов пет, а коцденсатор 12 заряжен до пикового значениянапряжения источников 8 или 9,470044 бои Составитель Ю. БаеваТехред Т, Миронова ебедев Редактор В. Фельдман оррек ПодписноеСР Тираж 782комитета Совета Министровбретений и открытийРаушская наб., д. 4/5 Изд.690 осударственного по делам изо Москва,...

Номер патента: 119934

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Казарновский, Феофанов

МПК: G01R 31/14

Метки: внутренних, диэлектриках, короны, напряжении, постоянном, разрядов, регистрации, способа, частичных, этого

...при изменении сопротивления изоляции различных образцов можно использовать одно и то же сопротивление 5. Переменное напряжение выбирается с расчетом получения достаточного сигнала на выходе усилителя 8.Если в образце не происходит частичных разрядов, то зависимость сигнала на выходе от величины испытательного напряжения постоянного тока (в испытательном диапазоне) имеет вид горизонтальной пряК 2 119934 мой. С появлением короны или частичных разрядов сигнал .а выходе начинает возрастать почти линейно с ростом испытательного напряжения. Это объясняется увеличением части постоянного напряжения, приходящегося на сегнетоконденсатор, что связано с ионизацией газа во включениях, а следовательно, с уменьшением эквивалентного сопротив. ления...

Номер патента: 894624

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Гусак, Зацепин, Чернышев

МПК: G01R 33/12

Метки: внутреннего, напряженности, образца, поля, размагничивающего, ферромагнитного

...третьей гармоники, вольтметр 10.Способ осуществляется следующимобразом.Переменное синусоидальное полевозбуждения перемагничивает верхнйй слой ферромагнетика, в который оно проникает, по начальному симметрич" ному циклу перемагничивания 1 (фиг Из общего выходного сигнала измери.тельной катушки 7 выделяется третья гармоника и при помощи вольтметра10 ( фиг.3) измеряется ее амплитуда (точка 11, фиг.2). Затеи подмагничивакпцее поле плавно увеличивается,при этом перемагничивание верхнего слоя образца осуществляется последовательно по частным циклам 2,3 (п), л (фиг.1), кривая 1 (фиг.2) показывает характер изменения при этом амплитуды третьей гармоники, который наблюдается у большинства ферромагнитных материалов. Последостижения...