Способ изготовления полупроводниковых тензорезисторов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советскии Социалнстицескии Республикосудврствоииый комитетСовета Министров СССРпо далви и вбретоиийи открытий УДК531.781,2 (088.8 ммер, В, А, Елисеев, В. С и Б, В. Карелин тнико 72) Авторы изобретен ронежски политехнический инстит(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ Изобретение отностекнике, а именно кназначено для измереличин. мерительной етрии, и пеканическик и олупр ючающийс требуемо зотрансчему выособом можно пол виде прямолинейн нельзя наклеиват радиусом кривиэ ния является полу аданной криволиней дн этим сптолько вкоторые чать кристаллы стержней,кнв поверкнос Белс малым иэобрете ны.чениеной ф тензорезисторов змы. Известен способ изготовления водниковых тензорезисторов, зак в том, что выращивают кристалл длины посредством химическкк г портнык реакций и присоединяют воды из металла,Достигается она тем, что при изготовлении,тензорезистора используют пуансон ,и матрицу определенного профиля, между которыми помешают,ккристалл, нагревают ик в инертной среде до температуры,при которой упругие деформации кристалла переходят в пластические, и охлаждают кристалл, зажатый между матрицей и пуансоном, соскоростью, обеспечивающей релаксацию внутренник напряжений в кристалле,После выращивания кристалла требуемой,длины посредством газотранспортных реак 5 ций его помешают между пуансоном и матрицей, выполненными из термостойкого ма,териала, например графита.Профиль пуансона должен соответствовать криволинейному профилю той поверхО ности, на которой .предполагается наклейка тенэореэистора, в профиль матрицы дол.- жен представлять собой эквидистантную поверхность, отстоящую от поверхности пуансона на велипину, рван,ю толц 1 ине криб ствлла. Затем кристалл вместе с матрицейи пуансоном нагревают в инертной среде дотемпературы,пои которой упругие деформа,ции кристалла, деформированного пуансоном,переходят в пластические, При этоМ подО,действием усилий, приложенных к пуансону,,например, под действием веса пуансона, образуется криволинейная форма тензореэистора. Изготовленный кристалл охлаждаютвместе с матриней и пуансоном со скороб стью, обеспечивающей релаксацию внутрен504076 Составитель. Н, ТимошенкоТехред М, Ликович Корректор 3. Фанта Редактор В. ДибобесЗаказ 62 Подписное Тираж 864 ЦНИИПИ Государственного комитета совета Министров СССР по делам изобретений и открытий113035,Москва, Ж, Раушская набд, 4/5Филиал ППП Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 101 ннх напряжений в кристалле, например при остывании вместе с печью.После выполнения этих операций к полупроводниковому кристаллу присоединяют выводы из металла. формула изобретения Способ изготовления полупроводниковых; тензорезисторов, заключающийся в том, что выращивают кристалл требуемой длины посредством химических газотранспортных реакций и присоединяют к нему выводы изметалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью получения заданной криволинейной формы тензорезисторов, используютйуансон и матрицу определенного профиля,между которыми помещают кристалл, нагревают их в инертной среде до температуры,при которойупругие деформации кристаллапереходят в пластические, и охлаждают кристалл, зажатый между матрицей и пуансоном, со скоростью, обеспечивающей релаксацию внутренних напряжений в кристалле.
СмотретьЗаявка
2064416, 26.09.1974
ВОРОНЕЖСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
АММЕР СТАНИСЛАВ АЛЕКСЕЕВИЧ, ЕЛИСЕЕВ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПОСТНИКОВ ВАЛЕНТИН СЕМЕНОВИЧ, КАРЕЛИН БОРИС ВАДИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 7/16
Метки: полупроводниковых, тензорезисторов
Опубликовано: 25.02.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-504076-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-tenzorezistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых тензорезисторов</a>
Способ определения величины зазора в штампах между матрицей и пуансоном
Номер патента: 1763863
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Бабаскин, Похмельных
МПК: G01B 5/14
Метки: величины, зазора, матрицей, между, пуансоном, штампах
...по листовой заготовке; на фиг.2 - схема расположения прорезей относительно инструментов штампа; на фиг,З - вид А на фиг,2; на фиг,4 - сечение Б - Б на фиг.З; на фиг.5 - 8 варианты выполнения прорезей в заготовке; на фиг.9 - комбинированный вариант выполнения прорезей в заготовке; на фиг,10 - перфорированная заготовка, вид сверху; на фиг.11 - следы контуров пуансона и матрицы на конической поверхности прорези; на фиг,12 и 13 случаи использования перфорированных заготовок для различных контуров матрицы и пуансона,Устройство для реализации настоящего способа состоит из основания 1, предметного стола 2 с приводами для перемещения заготовки, стойки 3 и подвижного в вертикальном направлении объектива 4, В качестве устройства может...
Устройство для определения силы трения между пластически деформируемым материалом и инструментом
Номер патента: 1310695
Опубликовано: 15.05.1987
Авторы: Володин, Володина, Муров, Попов, Смирнов
МПК: G01N 19/02
Метки: деформируемым, инструментом, материалом, между, пластически, силы, трения
...С,Черни Заказ 1883/39 Тираж 777 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д.4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4 1 13Изобретение относится к областиобработки металлов давлением, в частности к определению трения межцупластически деформируемым материалом и инструментом,Цель изобретения - повышение точности определения силы трения междудеформируемым материалом и инструментом,На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство содержит основание 1,основную обойму 2 с конической полостью 3, выполненной из двух частей (не показано) и предназначеннойдля размещения испытуемого образца4, крепежные узлы 5 и 6, регистрирующие элементы 7 и...
Способ определения величины зазора в штампах между матрицей и пуансоном
Номер патента: 1441155
Опубликовано: 30.11.1988
Автор: Савичев
МПК: G01B 5/00
Метки: величины, зазора, матрицей, между, пуансоном, штампах
...расстояние между и внутренним контурами надреке 2. 3 ил.1441155 Составитель В. СавельевРедактор А. Огар Техред И. Верес Корректор Л. ПатайЗаказ 610940 Тираж 680 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к измерительной технике.Цель изобретения - повышение точности.На фиг. 1 показана схема осуществления способа; на фиг. 2 - вид А на фиг. 1; на фиг. 3 - узел 1 на фиг. 2,Способ определения величины зазора в штампах между матрицей и пуансоном осуществляют следующим образом.На матрицу 1 помещают прозрачную пленку 2 и при перемещении пуансона 310 надрезают ее на 1/3...
Способ получения кристаллов селенида цинка
Номер патента: 1558041
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Метки: кристаллов, селенида, цинка
...25 цинка и магния и селенидами примесныхэлементов. Затем температуру в печи снижа)от со скоростью 10-30 в час до температуры плавления хлоридов калия 770 С и печь отключают. В пересыщенном растворе 30 образуется очень много центров кристаллизации и кристаллы растут в виде. пластин-чешуек толщиной примерно 0,1-3 мм в поперечнике. При такой кристаллизации достигается очистка селенида цинка от при мясных элементов как за счет обменныхреакций между хлоридами цинка и магния и сепенидами примесных элементов, так и за счет различных коэффициентов распределения примеси в растворе-расплаве, а размеры ,40 кристаллов не имеют решающего значения.Удельная поверхность монокристаллического селенида цинка снижается; а насыпной удельный вес...
Способ измерения рассогласования между углами поворота, один из которых задан кодом
Номер патента: 1285595
Опубликовано: 23.01.1987
Авторы: Виноградов, Гунченков, Иванов, Логинов, Пречисский, Терещенко, Юзвинкевич
МПК: H03M 1/00
Метки: задан, кодом, которых, между, один, поворота, рассогласования, углами
...обмотки, устанавливается напряжение переменного тока, амплитуда которого пропорциональна синусу угла с 6, а на выходе косинусной - косинусу, Напряжение с выхода синусной обмотки СКВТ 1, поданное на вход 15 блока 2 синхронизации и продетектированное амплитудным детектором 26, поступает на инвертирующий вход амплитудного 10 15 20 25 30 35 40 45 компаратора 29, а напряжение с выхода косинусной обмотки через первыйдетектор 25 подается на прямой вход компаратора 29. Если амплитуда напряжения с выхода синусной обмотки больше амплитуды с выхода косинусной, то на инверсном выходе компаратора 29 устанавливается потенциал логической ециницы, а на прямом - нуля, открывается ключ 28 и закрывается ключ 27 и на выходе 17 блока 2 синхронизации...
Предыдущий патент: Устройство для определения влияния давления на выходной сигнал тензорезистора
Следующий патент: Устройство для измерения перемещений объекта
Случайный патент: Способ подготовки сорбента