Устройство для контроля полупроводниковых приборов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
11 490 О 48 Союз Советских Социалистииеских Реслублик) 1. Кл. С) 01 г 31)2 осудврствениый комитет Совета Министров ССС т)о делам изобретений(71) Заявител 54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВИзобретение относится к области контроля свойств полупроводниковы.( приборов.Известно устройство для контроля параметров тиристоров, содержащее регулируе- х 1 Ь 1 Й источник цяпряи(ения, някдпительныи кдцдепсе Ор, .ид)ктивпдсть клех м 11;л 51 сцытусмого п,)иборя, дрдссель и источник импульсов управления.Известное устройство обладает недостатком - невысокой точностью измерений, т. к. необходимо точно поддерживать значение амплитуды прямого тока через испытуемый приоор, для чего необходима стабилизация выходного напряжения источника импульсов прямого тока. Так как испытуемые приборы имеют различцое сопротивление (статическое) то кроме стаоилцзации выкодцого напряжения последовательно с испытуемым прибором необходимо включать балластное сопротивление, величина которого цс мссе чем в 10 раз болыпс статического сопротивгспрпбдра, чтд в свдд рсдь требует весьма значительного увеличения мощности источника импульсов прямого тока и соответственно увеличения габаритов всего устройства.Целью настоящего изобретения является повышение точности измерений.Для этого в яноднуо цепь испытуемого прибора включен диод в обратной полярносп, параллельно которому полкСЛСДДВЯ 1 СЛЬНО 00 СДИЦЕЦНЫЕ ИСТОЧ1 д Гдка и дросссль.11 я чертеже приведена схем 1 Описывяс"10 к) сстрдйства. Оц сд;тдпт из истоника 1 пап;)5 же 1151 1 сдсд:1 Спид 0 п)рял;СГьпд с них 1 111:)И ГОЛ:О 0 К)ПДС)СЯОР;1, ПдГГС:10 ВЯГЕЛЬП) С КДОРЫ.1, ВКЛЮЕ 11 ППДКтцни)ГГЬ Э, вк:1 ючсццыи в одраПО.1 напр евлсппп (дтоситсльпо истс шика 1 напряжения) диод 4, параллельно ко01 ох Подкл 0 чен я цспОчкя з последовательно соединеннык источника 5 прямого тока, дио;1 Я 4 и дросселя 6, испыт)с)оо пр;боря 7 и шуцтя 8, я также сточпКЯ 0 (генератора) импульсов управлсц и я, ь(од кот д рдго сосдп Nец сдответст ве иид с управляюипм .;срехддом: Катодом ис Г ( мои 0 тирис горя и осцил 10 ряф 1 О, ".,)д 1Орд Сдсдипсп с шуцтом 8..тддОтвд 1);1 б;)1 ч)ст слсддпцих дбр 1 здм.ри вклюспи 1 си)зкп конденсатор за 5 ж тся дт пстд:Пика 1 до напряжения, Сд)ТВСТСТВ ДП( 0 К 11 СС1 СПЬТ 1 СХ 100 П)И 0)р 1 7. Одцдврсмс;цо чс)ез дроссель 6;1 диодпроходи) Гдстдянпый тдк дт:Сточпикя 5. Вел:чня постоянного тока устанаьливастся р;вцой треоусмой амплитуде импульса тока через;спыттемьш прибор. В момент подпи и 1 пспь Г со 1 й прпдор 7 ихильса ирявлсний ОГ истои;Ка 9 цепь гусмь 1 прис)ор/ОК (11,) 11) )1 Я О) ) ,.,Т О /)., С, : ) .5Яи)л 5 кеие)1 1 и 101 ДсисЯГОРС 211 Д) ктиВПОсти 1511) Ястй10 токЯ ) у.с Г и )ИС.ОДИТЬ ДО ГС. П 00, 1 ОЕЯ ГО. ,) , КЯ.1111) ПЦЕИ) ПС СТЯ ЕТ ) ЯВ Ы У ВЛ 1 1: ИС 1 ОС.ОЛ.10.го токя леое;1 )иод 1. 1 остолииь:" "10; и г):.1)113) ЛДЯ КО:1; С. СЯТ 01) Я 2С,)С; Д:1,):1,1, С" ТПГ)ОТИВОИОГОЖ ИОС И ЯИ) и ВГ СИ С 1 . У )ИТОК .Е) С, Д.,)., ОУ,С ) 5 ЯВИ . . 1;, ИИ),Я 1 011 11 ,и с 1. и г .. ) : . и ) , 1 ),л),.,с :иГОП ) Й;,СТ И И)И",ОЬ Д Гол И,/),В "" Е )11 ) "и )5))
СмотретьЗаявка
1992608, 04.02.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7992
ШЕВЦОВ ВИКТОР ДМИТРИЕВИЧ, ВОРОБЬЕВ ЛЕОНИД ФЕДОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводниковых, приборов
Опубликовано: 30.10.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-490048-ustrojjstvo-dlya-kontrolya-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для контроля полупроводниковых приборов</a>
Предыдущий патент: Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов
Следующий патент: Устройство для контроля граничной частоты передачи тока транзистора
Случайный патент: Устройство управления линией для непрерывного изготовления обшивок панелей с перфорацией и поперечными, периодически повторяющимися гофрами