Архив за 2008 год

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1655252

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Малышев, Лесникова, Солодуха, Турцевич, Попов

МПК: H01L 21/265

Метки: многоуровневой, интегральных, микросхем, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Баянов, Буляк, Турцевич, Базыленко, Родин

МПК: H01L 21/312

Метки: слое, сплавов, алюминия, диэлектрика, микрорельефе, межслойного, создания, микрорисунка

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Способ изготовления многоуровневой разводки мдп ис

Загрузка...

Номер патента: 1491266

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Кисель, Турцевич, Смаль, Домбровский

МПК: H01L 21/28

Метки: мдп, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Сарычев, Довнар, Сасновский, Турцевич, Лесникова

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементных, интегральных, формирования, схем, соединений

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1667567

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Солонинко, Гранько, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: оплавления, диэлектрика, структура, степени, планаризующего

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс

Способ изготовления контактов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Довнар, Красницкий

МПК: H01L 21/265

Метки: схем, контактов, интегральных

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1563516

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Коваленко, Семенов, Ковалевский, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: интегральных, многоуровневой, схем, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Сарычев, Красницкий, Турцевич, Сасновский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, контактных, схем, столбиков, межсоединений

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1568798

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Турцевич, Красницкий

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, поликристаллического, пленок, осаждения

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение при пониженном давлении на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 10-20 нм из газовой фазы, содержащей моносилан, проведение отжига в азоте при температуре выращивания подслоя в течение 10-30 мин и доращивание кремния до заданной толщины при 600-650°C, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок поликристаллического кремния путем повышения стабильности кристаллической структуры подслоя кремния, подслой осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей моногерман, при парциальных давлениях моносилана и моногермана 12-40 и 1-3 Па соответственно при температуре 600-650°C.

Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

Загрузка...

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Калошкин, Колешко, Дулинец, Турцевич, Красницкий, Малышев, Белицкий

МПК: H01L 21/18

Метки: тонкопленочной, микросхема, металлизацией, интегральная

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Способ планаризации кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 1515964

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Войтович, Цыбульский, Ковалевский, Красницкий

МПК: H01L 21/324

Метки: структур, планаризации, кремниевых

Способ планаризации кремниевых структур, включающий нанесение на их поверхность пленки борофосфоросиликатного стекла и последующую термообработку при 800-950°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения планарности структур и снижения дефектности пленки борофосфоросиликатного стекла, термообработку проводят в парогазовой смеси водорода и алканола R-OH, где R - CH3 -(CnH2n), n = 0, 1, 2, 3, ..., при давлении 20-200 Па и концентрации алканола 0,5-10 мас.%.

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра

Загрузка...

Номер патента: 1824014

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Домбровский, Сарычев, Чигирь, Турцевич

МПК: H01L 21/66

Метки: толщины, помощью, осажденных, проводящих, слоев, селективно, профилометра

Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению: 0,1 h/H 0,8,где h -...

Межсоединение для сверхбольших интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1730989

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Родин, Турцевич, Лесникова, Демьянович, Дулинец

МПК: H01L 23/46

Метки: межсоединение, схем, интегральных, сверхбольших

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Колешко, Таратын, Солодуха, Турцевич, Казачонок, Красницкий

МПК: H01L 21/265

Метки: разводки, многоуровневой, интегральных, микросхем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Лесникова, Красницкий, Турцевич, Наливайко

МПК: H01L 21/316

Метки: поликристаллического, легированных, осаждения, пленок, кремния

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных схем из борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1780467

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Зайцев, Карпиевич, Кабаков, Турцевич, Козлов

МПК: H01L 21/76

Метки: интегральных, схем, межуровневой, борофосфоросиликатного, изоляции, формирования, стекла

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...

Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Сухопаров, Красницкий, Турцевич, Родин

МПК: H01L 21/28

Метки: микросхем, интегральных, межсоединений

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Загрузка...

Номер патента: 1739801

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Наливайко, Турцевич, Красницкий, Шкуть, Коваленко

МПК: H01L 21/285

Метки: контактно-барьерной, металлизации

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем...

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1694015

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Турцевич, Мамедов, Солодуха, Воронин, Малышев

МПК: H01L 21/265

Метки: многоуровневой, разводки, схем, интегральных

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла

Загрузка...

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Родин, Баянов, Базыленко, Турцевич

МПК: H01L 21/306

Метки: тугоплавкого, металла, структуре, микрорисунка, многослойной, полицидом

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Василевич, Родин, Турцевич, Базыленко

МПК: H01L 21/302

Метки: поверхности, создания, кремния, микрорисунка

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 1651697

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Смаль, Красницкий, Румак, Корешков, Мамедов, Турцевич

МПК: H01L 21/3105

Метки: структур, мдп-интегральных, микросхем

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния...

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1651698

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Вискуп, Кастрицкий, Шкуть, Турцевич, Петрашкевич, Красницкий

МПК: H01L 21/316

Метки: пленки, фосфоросиликатного, стекла, осаждения

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 350-450°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реакционную зону реактора смеси моносилана с фосфином и кислорода и наращивание пленки фосфоросиликатного стекла при давлении 26,6-46,6 Па и соотношениях ингредиентов фосфинмоносилан с фосфином 0,03-0,25, кислород-моносилан 0,8-4,0, при температуре нагрева реактора, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фосфоросиликатного стекла путем увеличения электрической прочности и снижения дефектности осаждаемых пленок, после наращивания пленки толщиной 0,1-0,3 мкм прекращают...

Способ изготовления элементов интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Цыбулько, Турцевич, Красницкий, Довнар, Кисель

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, элементов, схем

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...

Способ извлечения серебра из содержащего его материала

Загрузка...

Номер патента: 1185860

Опубликовано: 27.01.2008

Авторы: Флеров, Жуйков, Клер, Иткин, Шпирт

МПК: C22B 11/02

Метки: содержащего, извлечения, серебра

1. Способ извлечения серебра из содержащего его материала, включающий термообработку исходного материала в присутствии углерода с получением продукта, содержащего серебро, и выделение из него серебра, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности извлечения серебра из материала с высоким содержанием углерода, термообработку проводят в присутствии 30-75% углерода при температуре 1100-1350°С в окислительной атмосфере при коэффициенте расхода воздуха 1,0-1,5 с переводом серебра в тонкодисперсную пыль отходящих газов при выносе отходящих газов до содержания в них тонкодисперсной пыли в количестве 1,5-15 мас.% от величины зольности исходного материала, а перед выделением серебра...

Пищевой продукт из икры осетровых рыб

Загрузка...

Номер патента: 1824705

Опубликовано: 27.01.2008

Авторы: Ковда, Абдрахманова, Кальгина, Подушка, Брусованский

МПК: A23L 1/328

Метки: икры, пищевой, осетровых, продукт, рыб

Пищевой продукт из икры осетровых рыб, содержащий икру-зерно и соль, отличающийся тем, что, с целью снижения себестоимости и повышения качества продукта, в качестве икры-зерна он содержит овулировавшую икру.

Способ получения продуктов из самок осетровых рыб

Загрузка...

Номер патента: 1785090

Опубликовано: 27.01.2008

Авторы: Кальгина, Подушка, Ковда, Абдрахманова, Брусованский

МПК: A01K 61/00, A23L 1/328

Метки: осетровых, продуктов, рыб, самок

Способ получения продуктов из самок осетровых рыб, включающий отлов рыб, извлечение икры и забой на мясо, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности использования рыб за счет увеличения общего количества икры, перед извлечением икры у самок определяют стадию зрелости яичников, икру извлекают у самок рыб с V стадией зрелости прижизненно, самок рыб с более ранней стадией зрелости выдерживают в условиях, обеспечивающих дозревание яичников до V стадии зрелости, при этом икру извлекают неоднократно в течение жизни рыб, а забой на мясо проводят после затухания репродуктивной функции самки.

Способ получения теломеров тетрафторэтилена

Загрузка...

Номер патента: 665747

Опубликовано: 27.01.2008

Авторы: Баркалов, Ким, Гольданский, Невельская, Кирюхин

МПК: C08F 114/26, C08F 2/38

Метки: теломеров, тетрафторэтилена

Способ получения теломеров тетрафторэтилена радикальной полимеризацией его в присутствии телогенов, отличающийся тем, что, с целью получения растворимых конечных продуктов, в качестве телогенов используют алифатические кетоны или амиды карбоновых кислот.

Плоский индуктор для магнитно-импульсной обработки металлов

Загрузка...

Номер патента: 445240

Опубликовано: 20.02.2008

Авторы: Лысенко, Овчинников, Глущенков, Климов

МПК: B21D 26/14

Метки: металлов, индуктор, плоский, магнитно-импульсной

Плоский индуктор для магнитно-импульсной обработки металлов, содержащий размещенный в корпусе токопровод, выводы которого соединены с коммутирующим устройством, отличающийся тем, что, с целью возможности обработки деталей различной формы и размеров, токопровод выполнен из элементарных ячеек, набранных в плоскости и подключенных к коммутирующему устройству в соответствии с формой и размерами обрабатываемой детали, при этом между собой ячейки соединены так, что токи в смежных частях соседних ячеек имеют одинаковое направление.