Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем

Номер патента: 865053

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/335

Метки: интегральных, мдп-транзисторов

...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...

Номер патента: 1022112

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Кривицкий, Мезенцев

МПК: G05B 11/40

Метки: закона, интегральной, составляющей, формирования

...единицы 50 дискретности Ь. Это исключает воэможность выбора Ь исхоая яз условия обеспечения требуемой статической точности регулирования, что может приводить к ееснижению, 55Белью изобретения .является повышениеточности регулирования. Поставленная цель достигается тем,что в устройство аля формирования интегральной составляющей закона регулирования, соде ржашее цифро-аналоговыйпреобразователь, генератор частоты задающего сигнала и датчик частоты сигналаобратной связи, введены блок синхронизадии и соединенные последовательно счетчик импульсов, первый регистр памяти,первый сумматор, второй регистр памяти,второй сумматор и третий регистр памяти, выход которого подключен к второму входу второго сумматора и к входуцифро аналогового...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 1711269

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: изоляции, интегральных, межслойной, микросхем, производстве, формирования

...не достигается та температура вязкотекучего состояния стекла, при котором время задер жки при оплавлении достигает минимального значения - 0,5 с.Увеличение процентного содержанияборфтористоводородной кислоты больше 35 мас.% в растворе так же, как и увеличе ние скорости потока водорода через объемиспарителя свыше 200 дм /ч, приводит к иззбыточному количеству ионов фтора и бора в газовой среде, способному вызвать кристаллизацию ФСС и разделение фаз. Такое5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 явление нарушает структурное совершенство слоев ФСС, так как в них появляются кристаллические включения, поры, трещины, разнотолщинность, что отрицательно сказывается на величине напряжения электрического пробоя и токов утечки.Увеличение плотности...

Номер патента: 719398

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Лепилин, Самыгина, Столичнов, Феофанова, Черняк

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, мдп, схем

...второй и третьей фотолитографических операциях травления в среднем в два раза ниже, чемна первой, Помимо сказанного, лучшие результаты на первом травлении 10обусловлены возможностью визуального контроля травления по уменьшениюдиаметра пятна, соответствующегоневытравленной области пластины,При исчезновении пятна травление 15прекращают, вынимая пластину изтравителя, Яа следующих операцияхэта возможность отсутствует, таккак на пластине уже имеется рисунокпервого травления.Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовленияи увеличение выхода годных интегральных схем.Поставленная цель достигается 25тем, что все окна в проводящем слоеполикристаллического кремния. вскрывают одновременно в одной операциифотолитографического...