Патенты с меткой «микрорисунка»

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/306

Метки: металла, микрорисунка, многослойной, полицидом, структуре, тугоплавкого

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.