Способ создания микрорисунка на поверхности кремния

Номер патента: 1701064

Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич

ZIP архив

Описание

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Заявка

4791212/25, 05.02.1990

Научно-производственное объединение "Интеграл"

Родин Г. Ф, Турцевич А. С, Базыленко М. В, Василевич В. П

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания

Опубликовано: 20.01.2008

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1701064-sposob-sozdaniya-mikrorisunka-na-poverkhnosti-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания микрорисунка на поверхности кремния</a>

Похожие патенты