Способ создания микрорисунка на поверхности кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.
Заявка
4791212/25, 05.02.1990
Научно-производственное объединение "Интеграл"
Родин Г. Ф, Турцевич А. С, Базыленко М. В, Василевич В. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302
Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания
Опубликовано: 20.01.2008
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1701064-sposob-sozdaniya-mikrorisunka-na-poverkhnosti-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания микрорисунка на поверхности кремния</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла
Следующий патент: Способ изготовления структур мдп-интегральных микросхем
Случайный патент: Устройство для соединения