Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика

Номер патента: 1662361

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Марица

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: рисунка, формирования

...плазме также позволяет избежать контакта сверхпроводящей пленки с органическими растворителями или другими жидкими реактивами, приводящего к ухудшению сверхпроводящих 45 свойств используемого материала. Реализация способа возможна с использованием как позитивного, так и негативного реэистов.П р и м е р 1, На подложку из ЯгТ 10 с площадью поверхности 5 см2 с помощью триодного распыления наносят слой 1 ВаСи 507 =-толщиной 0,3 мкм и подвергают его обработ-, ке в кислороде при температуре 850 С. Полученный слой является высокотем 55 пературным оксидным сверхпроводящим слоем с критической температурой л 93 К. Затем наносят слой оксида алюминия А 10 з толщиной 0,3 мкм методомвысокочастотного ионного распыпения.После этого методом...

Номер патента: 1340500

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Зайдлин, Манжа, Фишель

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и в исходной подложке канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение двуокиси кремния, удаление двуокиси кремния с изолирующих областей и частично с канавок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышения выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках, осаждение двуокиси...

Номер патента: 1138721

Опубликовано: 07.02.1985

Автор: Дмитриев

МПК: G01N 25/02

Метки: высоких, давлений, определении, превращений, создания, твердых, температур, фазовых

...удельной нагрузке на частицу0,1-2 г силы обеспечивает созданиедавлений в диапазоне мегабар, варьируемых в пределах этого диапазонапосредством изменения размеров, формы и материала частиц.Использование тонкодисперсногопорошка в качестве среды для передачи давления обеспечивает возможностьсоздания высоких давлений в сочетании со сдвиговыми напряжениями.При относительном перемещении тонкодисперсного алмазного порошка поповерхности материала со скоростью10-100 м/с одновременно с высокимидавлениями вследствие трения достигаются высокие температуры. Для этого чаиболее эффективны заданные траектории кривых второго порядка и фигурЛисажу.П р и м е р, Создаются высокиедавления на поверхности материала наоснове о-окиси алюминия с...

Номер патента: 146973

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Волохонский

МПК: G01L 7/02, G06G 7/48

Метки: взволнованной, воды, воздуха, волн, давления, моделирования, поверхности, путем, свободной, тангенциального, трения, шероховатости

...ошибки, связанной с искривлением движения воздушного потока. Каждая модель плоской волны имеет своими границами вершины и ложбины, что облегчает соединение их друг с другом.Воздушный поток создается при вращении крыльчатки 2, число оборотов которой определяется из условия моделирования заданной скорости ветра относительно модели плоской волны с наличием переносной скорости. Давление у поверхности моделей волн измеряется дифференциальными манометрами, На фиг, 1 показаны выводы 4 и б только двух манометров.На поверхности моделей плоских волн наложена гибкая лента б (см. фиг, 2), которая совершает продольные колебания и удерживается роликами 7 и 8. Лента 6 изготовляется из резины минимальной толщины, благодаря чему она может...

Номер патента: 270080

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Водаков

МПК: H01L 21/306

Метки: высокотемпературном, защиты, карбида, кремния, поверхности, травлении

...Метод вакуумного напыления позволяет получать слои любой толщи 15 ны и на большом числе монокристаллов заодин технологический цикл. Кроме того, используя маски, можно непосредственно принапылении получать слои нужной конфигурации.20 Если необходимо получить очень точный рисунок с резкоочерченными краями (с микронной точностью), его вытравляют фотолитографическим способом. Наиболее прочно скрепленные с поверхностью и плотные слои алю 25 миния (толщиной 1 р и выше) получают привакууме не уже 10 - 4 тор и температуре кристаллов карбида кремния 5700 - 6100 С, причем алюминий в виде гусариков подвешиваютна вольфрамовой спирали, нагреваемой при270080 Предмет изобретения 15 Составитель М, Сорокина текоед Т. Мп;:онова Редактор Б, федотов...