Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика

Номер патента: 1667567

Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь

ZIP архив

Описание

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию

ai=(1+k)·a i-1, aмакс b,

b=h/tg мин,

где k - коэффициент пропорциональности, определяемый 0,05 k 0,2;

ai - расстояние между i-й и (i+1)-й дорожками;

ai-1 - расстояние между i-й и (i-1)-й дорожками;

h - высота микрорельефа;

мин - минимальный угол оплавления, подлежащий контролю;

aмакс - расстояние между последней и предпоследней дорожками.

Заявка

4497413/25, 24.10.1988

Турцевич А. С, Солонинко А. А, Чигирь Г. Г, Гранько В. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура

Опубликовано: 20.01.2008

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1667567-struktura-dlya-kontrolya-stepeni-oplavleniya-planarizuyushhego-diehlektrika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика</a>

Похожие патенты