Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию
ai=(1+k)·a i-1, aмакс b,
b=h/tg мин,
где k - коэффициент пропорциональности, определяемый 0,05 k
0,2;
ai - расстояние между i-й и (i+1)-й дорожками;
ai-1 - расстояние между i-й и (i-1)-й дорожками;
h - высота микрорельефа;
мин - минимальный угол оплавления, подлежащий контролю;
aмакс - расстояние между последней и предпоследней дорожками.
Заявка
4497413/25, 24.10.1988
Турцевич А. С, Солонинко А. А, Чигирь Г. Г, Гранько В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура
Опубликовано: 20.01.2008
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1667567-struktura-dlya-kontrolya-stepeni-oplavleniya-planarizuyushhego-diehlektrika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика</a>
Предыдущий патент: Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем
Следующий патент: Способ изготовления контактов интегральных схем
Случайный патент: Контейнер-стеллаж для штучных изделий