Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1824014
Авторы: Домбровский, Сарычев, Турцевич, Чигирь
Описание
Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра, включающий формирование на кремниевой подложке диэлектрического покрытия, вскрытие в нем окон, определение высоты рельефа в окнах с помощью иглы профилометра, определение толщины проводящего слоя после его осаждения как разницы высоты рельефа в окнах до и после осаждения проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, диэлектрическое покрытие на подложке формируют толщиной, удовлетворяющей соотношению:
0,1 h/H
0,8,
где h - толщина проводящего слоя, H - толщина диэлектрического покрытия, а окна в нем вскрывают в виде прямоугольника, площадь и меньшая сторона которого удовлетворяют соотношению:
4r2 S
100 мкм2,
2r а,
где S - площадь прямоугольника, r - радиус иглы профилометра, применяемого для контроля высоты ступенек рельефа, а - меньшая сторона прямоугольника.
Заявка
4836153/25, 08.06.1990
Научно-производственное объединение "Интеграл"
Чигирь Г. Г, Турцевич А. С, Сарычев О. Э, Домбровский В. Т
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: осажденных, помощью, проводящих, профилометра, селективно, слоев, толщины
Опубликовано: 20.01.2008
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1824014-sposob-izmereniya-tolshhiny-selektivno-osazhdennykh-provodyashhikh-sloev-s-pomoshhyu-profilometra.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения толщины селективно осажденных проводящих слоев с помощью профилометра</a>
Предыдущий патент: Способ планаризации кремниевых структур
Следующий патент: Межсоединение для сверхбольших интегральных схем
Случайный патент: Способ изготовления кварцевой керамики