Патенты с меткой «структуре»

Номер патента: 143739

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Гюи

МПК: D02G 1/02

Метки: нитей, объемных, различных, структуре, универсальная

...в укрепленном на станине машины держателя 19 и может поворачиваться на нем вокруг оси 20, которая параллельна осевым каналам вьюрков 10 - 11 и находится в центре линии, соединяющей оси вращения вьюрков.Лиск 9 и держатель 19 соединены парой стягивающих их ппужин 21, а на держателе установлены: взаимодействующий с рукояткой 18 подпружиненный запор 22 и упор 23, с помощью которых фиксируется одно из двух положений диска 9, при которых вьюрки 10 - 11 либо плотно прилегают с обеих сторон к приводному ремню 12 и вращаются, либо поворотом рукоятки 18 отводятся от ремня и перестают вращаться,Описанная машина позволяет осуществлять на ней различные схемы заправки нитей и придавать им различный характер объемности.В случае необходимости...

Номер патента: 277135

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Якобсон

МПК: H01S 1/06

Метки: атомов, пассивный, сверхтонкой, стандарт, структуре, частоты

...вещества, низкочастотного генератора и низкочастотного фазового модулятора. Другой вариант этон цепи может быть выполнен из блока формирования опорной частоты, равной разности частот рабочего переода стандарта и сверхвысокочастотного б-перехода основного состояния вещества, низкочастотного генератора, низкочастотного фазового модулятора и высокочастотного модулятора.На чертеже изображена блок-схема стандарта со стабилизацией магнитного поля, Возбуждаемые переходы Р 1 т р = +1, Р 2 тр = + 1, Е 1 тр = - 1, Е,т= - 1 являются переходами, часготы которых линейно зависят от напряженности магнитного поля.Сигнал задающего генератора 1 поступает на блок преобразования частоты 2 и на блок опорной частоты 3. Выходной сигнал блока 3...

Номер патента: 443902

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Кестнер, Креэн

МПК: C12D 13/10

Метки: гелей, иммобилизованных, полимеризационных, структуре, ферментов

...М, и: метиленбисакриламида в присутствии катализаторов радикальной полиме- йо ризации.С нако при таком способе наблюцается слабое связывание ферментов небольшого молекулярного веса, действующих на субстраты с 15 большим молекулярным весом, с гелем.Предложенный способ позволяет улучшить связывание ферментов с моле,цекулярным весом до 50000 с 20 полиакриламицным гелем.4 ля этого фермент предварительно обрабатывают растворами ангидрицов ненасыщенных кислот. Последние целесообразно вводить в такой 25 2концентрации, чтсбы соотношение количества аминогрупп фермента и ангицридных групп кислоты составляло :(20+40). Из ангидридов ненасыщенных кислот следует использовать ангидриды итаконовой и малеиновой кислот, а обработку ферментов этими...

Номер патента: 497588

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Зотов, Рабушко, Чуйков

МПК: G06F 15/173

Метки: исполнительных, радиальнокольцевой, структуре, узлов, числа

...блока, сравнения, выход которого подключен ко входу второго счетчика, выход коммутатора соединен со входом модели радиально-кольцевой структуры. 15Это дает возможность производить учет случайного характера работы самих исполнительных узлов и каналов связи для определения числа исполнительных узлов в радиально-кольцевой структуре. 20На чертеже представлена схема устройства, Опа состоит из генератора 1 импульсов, счетчика 2, построенного на триггерах (число триггеров равно числу исполнительных узлов), линии задержки 3 коммутатора 4, элементов 2 И 5,6, блока 7 формирования закона управлеdия, блока 8 сравнения, соединенных между собой в соответствии с топологией графа, отображающего радиально-кольцевую структуру, саму радиально-кольцевую...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 992091

Опубликовано: 30.01.1983

Автор: Чоладзе

МПК: B02C 19/16

Метки: измельчения, разнородных, структуре

...решетки 2, 15на которой расположены эластичныешары из пищевой резины 3. Бункер 1с ножевой решеткой 2 жестко укреплен на раме 4, которая опирается наупругие пружины 5. Вибрация раме 4сообщается виброприводом 6, соединенным через ременную передачу 7 сэлектроприводом 8. К раме 4 жесткоприкреплены желоба 9 и 10, а внутрибункера 1 с зазором к ножевой решетке 2 над ней закреплены сетчатыеперегородки 11.Ножевая решетка 2 собрана иэ тонких ножей 12 и 1 3, вставленных одинв другой на половину высоты и создающих квадратные ячейки 14 (фиг, 2и 3).Предлагаемое устройство для измельчения разнородных материалов работает следующим образом,Сухой чай через бункер 1 поступает на поверхность ножевой решетки 2,где находятся эластичные шары 3.Сухой чай,...

Номер патента: 1005146

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Аносов, Рабушко

МПК: G06F 15/173

Метки: исполнительных, радиально-кольцевой, системы, структуре, телемеханики, узлов, числа

...выходаммодели радиально-кольцевой структуры,55выходы соединены со вторыми входамивторых элементов И, выходы которыхподключены ко второму входу блокасравнения.,На фиг. 1 дана радиально-кольцевця 60структура в виде графа; на фиг. 2схема устройства; на фиг, 3 - модельего, которая может быть реализованас помощью триггеров вершин и реберс электронными кличами, 65 Устройство состоит иэ генератора 1 импульсов, ключей 2,3,счетчика 4, построенного на триггерах число триггеров равно числу исполнительных узлов ), элемента И 5, элемента б задержки, коммутатора 7,блоков 8 памяти, подключенных в соответствии с топологией графа, отображающего радиаль- но-кольцевую структуру, к самой радиально-кольцевой структуре или ее модели 9, элемента И 10, блока 11...

Номер патента: 1062512

Опубликовано: 23.12.1983

Автор: Ялов

МПК: G01B 7/16

Метки: напряжений, неоднородных, объектах, остаточных, структуре

...которого превышает длину зоны материала с измененной структурой, измеряют его сопротивление, изменяют напряженное состояние материала путем приложения внешней нагрузки, измеряют сопротивление тензорезистора, удаляют часть материала объекта и снова измеряют сопротивление тензорезистора, а по соотношению измеренных сопротивлений определяют остаточные напряжения 12).Однако и этот способ требует удаления из объекта большого количества материала, так как это количество связано прямой пропорциональной зависимостью с базой тензорезистора, в связи с чем способ обла,дает большой трудоемкостью. Целью изобретения является снижение трудоемкости за счет уменьшения количества удаляемого с объекта материала.Эта цель достигается тем, что согласйо...

Номер патента: 1108506

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Багинский, Горбань, Работкина, Яновский

МПК: G11C 11/42

Метки: записи, информации, стирания, структуре, электролюминесцентной

...при стирании- приложение к структуре электрического поля, при записи формирование электролюминесцирующих областей производят локальным нагреванием электролюминесцентной структуры,а при стирании к структуре прикладывают электрическое поле, противоположное полю, прикладываемому при записи, и одновременно нагревают электролюминесцентную структуру до температуры, не меньшей температуры локального нагрева структуры при записи информации.На чертеже показано устройство для осуществления указанного способа, разрез,Устройство представляет собой слоистую структуру, включающую ситалловую подложку 1, металлические электроды 2, поликристаллическую пленку электролюминофора 3, проводящую фазу (сульфид меди) 4.Суть способа заключается в том, что те...

Номер патента: 1131012

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Авкштоль, Грейвулис, Рыбицкий

МПК: H02P 7/46

Метки: асинхронно-вентильного, асинхронного, двигателя, каскада, скорости, структуре

...инвертора, увеличивают в целое число раз 55частоту замыкания управляемого ключа, а время его замыкания регулируют из условия постоянства вольт-се 12 2кундной площади импульса противоЗДС на каждом периоде коммутации.На фиг, 1 представлена блок-схемаустройства, реализукщего способ;на фиг, 2 - временные диаграммы противо-ЗДС инвертора и работы формирователей импульсов; на фиг. 3 - диаграмма изменения диапазона регулирования противо-ЭДС инвертора от частоты его включения,Устройство, реализующее способрегулирования скорости асинхронногодвигателя в структуре асинхронно-.вентильного каскада, содержит асинхронный двигатель 1 (фиг. 1), в цепи фазного ротора которого находятся последовательно соединенные выпрямитель 2, дроссель 3 и инвертор...

Номер патента: 1137077

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Гоголюк, Тарасевич

МПК: C01B 39/14

Метки: марганец, содержащего, структуре, типа, цеолита

...типа А вобразце 98,0 . Примеси(гель и небольшое количество цеолита типа филлипсита) составляют 2 Х. Линии с межплоскостными расстояниями 0,505; 0,386;0,316; 0,269 нм относятся к филлипситу,3 11Для определения граничных значений вьдержки смеси растворов гидроксида натрия и силиката натрия, атакже реакционной смеси до гидротермальной обработки были полученыреакционные смеси, идентичные описанному примеру.Данные о выходе целевого продуктас кристаллической структурой, вданном случае цеолита типа А, егочистоте, цвете в зависимости отвремени вьдержки смеси растворовгидрокснда натрия и силиката натрия,а также в зависимости от временивыдержки реакционной смеси до гидротермальной обработки приведены втаблице.О вхождении переходного металлав...

Номер патента: 1170509

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Плотников, Сагитов, Селезнев

МПК: G11C 11/42

Метки: двухзатворной, диэлектриком, записи, заряда, захватом, информации, мдп, оптической, структуре

...только зарядами, содержащимися в области пространственного заряда под первым затвором, что при исполь- фО эовании приповерхностной области полупроводника с уровнем легирования, меньшим чем 5 1015 см, соответствует полю в диэлектрике н 10В/см. Это меньше, чем пороговое значение, не .обходимое для инжекции заряда в диэлектрик, которое составляет 310 10 В/см. В результате воздействия света на ячейку памяти происходит генерация электрон-дырочных пар. Неосновные носители собираются под первым затвором, увеличивая поле в диэлектрике, основные - под вторым. Это приводит к понижению потенциала приповерхностной и-области относи ,тельно подложки. В момент времени С напряжение на р-и-переходе Ч = О,ХДальнейшее освещение приводит к...

Номер патента: 1343569

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Иванов, Онищенко

МПК: H05H 9/00

Метки: возбуждения, высокочастотного, ионов, линейного, периодической, поля, структуре, ускорителя, ускоряющего

...и резонансную высокочастотную радиальную фокусировку.Предельный ток ускоряемого пучка в данном случае определяется только его продольной устойчивостью. Ускорение ионов может быть осуществлено на +1-й пространственной гармонике. Напряженность магнитного поля, исходя из соотношения (1), при 0, Б=-1, и=1 создают такой, чтобы в 1-й секции ускорителя происходила генерация ВЧ-поля на +1-й пространственной и -1-й циклотронной гармониках, Генерация сопровождается уменьшением продольных и увеличением поперечных импульсов электронов, в результате чего во 2-ю секцию поступает пучок электронов, закрученных вокруг силовых линий магнитного поля. Во 2-й секции напряженность маг- нитнОГО пОлЯисходЯ из ( 1 )при ч)0 р Б=1, и=-1 создают такой, чтобы...

Номер патента: 1392572

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Важнов, Максименко

МПК: G06F 15/163

Метки: вычислительной, однородной, процессоров, сопряжения, структуре

...триггер 13 в единичное1 О состояние, озцацдюще здирос нд сцитывдцис информации из блока 1 памяти хстройствд. Этот сигнал устанавливает триггер 15 н нулевое состояние, цри котором нуль с выхола элемента 2 И-НЕ 17 цосгуцает на первый вхол элемента 2 И 18, тем самым блокируя его. Нд второй вхол элемента 2 И 19 поступает елиничцый сигнал с выхола триггера 13 и на выхолс элемента 19 вырабдтывается елиницный сигнал, который разрешает цолачу адреса считывания со сцтчика 3 считывания через группу элемегов И б и группу лементов ИЛИ 7 нд длресные вхслы 25 блока 1 памяти. Информация из блока 1 памяти поступает ца вьхол 29 устройствад цо си Гнд;1 у считывания, н рохол 1- щего с выхола элемента 2 здлс ржки нд вход 27 разрецения считывания блока...

Номер патента: 1418628

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Вайшнорас, Монтримас, Сакалаускас

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрик-полупроводник, заряда, объемного, распределения, структуре

...распределенияобъемного заряда в структуре диэлект"рик - полупроводник заключается в следующем,Бесконтактным компенсационным методом (фиг. 1) измеряют потенциал 11, З 5возникающий между поверхностью полупроводника 1, еще непокрытого диэлектрическим слоем, и измерительным электродом 3, термодинамическая работа выхода Е которого известна, Далее определяют абсолютный изгиб приповерхностных зон у полупроводника 1(фиг. 2) по выражению1Ц =- (Е +Е -д Е- Е ) -11с ом Ок первую компоненту зарядаЦ (0) =2 /3 чп Д 1 (е 1) + (е1) ++О- -)у 3 Ц (2)Па данному способу, а также по из Омерению вольтфарадных характеристики определению заряда аналогичных образцов, установлено, чта плотностьобъемного заряда, возникающего в диэлектрическом слое на...

Номер патента: 1554002

Опубликовано: 30.03.1990

Автор: Чередников

МПК: G09B 23/06

Метки: моделирования, пространственно-временной, структуре, явлений

...+1/2)сд И(р где пИ = О, 1, 2, 3,; иЯ - минимальная порция (квант) энергии - фотон; 3 - постоянная Планка.(2)ох ф 02 6контур, может компенсировать энергию., рассматриваемую на резисторе Кь, т,е.и К и д 1.г г при равенствеи2 2 дс Формально можно считать К= 0, при этом в контуре будут наблюдаться свободные колебания, Компенсация К позволяет передавать сигналы последовательно в другие пазонные системы.Полученные результаты показывают, что скорость изменения переменного параметра позволяет внести кроме энергии и понятие положительного или отрицательного обменного импульса, рав 31 л ного произведению-- . Формальноь Ясполученные результаты можно интерпретировать для кристаллической ячейки следующим образом. При снижении температуры проводника...

Номер патента: 1561021

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Антонов, Белкин, Старов, Фельдман, Шаламова

МПК: G01N 1/32

Метки: карбидов, количественных, металла, структуре, характеристик

...структурных .составляющих, тре- С, бующих интенсивного (глубокого ) травления. 1 з.п. ф-лы. ние 3 мин, добавляя несколько раз за Юэто время новые порции реактива. На Ммикроскопе "БеорЬой" производят феефотосъемку микроструктуры в 15 поляхзрения с увеличением в 500 раэ, Иолученные фотографии устанавливают назпидиоскоп, передающий иэображениес помощью сканирующего устройствас использованием видиконовой трубки фффффна процессор ААИ, производят програм- .мный анализ и распечатку результатов.Для получения истинных размеров карбидов линейные размеры, выданные анализатором, необходимо уменьшить в 50015 б 1021Составитель М. ШелагуровРедактор Л, Пчолинская Техред Л.Олийнык Корректор Н. Ревская Заказ 975 Тираж 498 Подписное БНИИПИ...

Номер патента: 1619073

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Азаренко, Александров, Бакаев, Чутаев

МПК: G01L 1/00

Метки: боралюминиевой, волокнистой, композиционной, напряжений, одномерной, остаточных, структуре

...между базовой дли ной образца и длиной дуги синусоиды образованной наружными волокнами.На Лиг.1 представлена схема, по ясняющая способ; на Ьиг. - зависимость приращения1, от амплитуды А.енных волоког кость выт мым снижает точность измерен д ра д.Используя значения с, ди 1 , определяли приращение длины волокон по фор мулеА 1,= -Ь,где Ь " длина наружных волокон.Длина наружных волокон определялась как длина волны с ю длид, 4 Опо инусоид Й с амплитудойуле ои фор г ри изготовлении боралюминиевых прутков методом непрерывного литья вследствие перепада температуры в отливке при ее затвердевании в наружных волокнах возникают сжимающие напр яжения, а в центральных - ра стягивающие. Для определения влияния технологических факторов на уровень...

Номер патента: 1665223

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Егоренков, Либерман, Лобанов

МПК: G01B 7/06

Метки: высокоомного, полупроводниковой, слоя, структуре, толщины

...дЧ/г 11) напряжение выброса не зависит от амплитуды импульсов.Реально существующие толщины 1- слоя, которые необходимо измерять, лежат -в пределах 5-200 мкм, Условно разобьем этот диапазон на 3 поддиапазона от 5 до 30, от 30 до 100 и от 100 до 200 мкм.При осуществлении способа верхнее значение крутизны Яц нарастания импульсов установлено равным 10 В/с(для поддиапазона толщин 1-слоя - равным 5-30 мкм). При больших значениях скорости нарастания напряжения, например, равных 10 В/с, напряжение выброса составит величину 300 В. Для надежного измерения таких сигналов, например, с помощью широкополосных осциллографов требуется не более десятков вольт. Кроме того, и это главное, для малых толщин 1-слоя напряжение выброса необходимо...

Номер патента: 1688319

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00 ...

Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной

...2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319...

Номер патента: 1577552

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Колобов, Любин, Трельтч

МПК: G03C 1/72

Метки: видимого, изображения, структуре

...температуры. Полученное стекло Аз 25 з использовали для получения пленки. Используемое для напыления серебро имеет квалификацию ЧДА (ТУ 5 П- 70), Напыление обоих слоев проводили на установке АВП-О.5. Навески Аз 25 з(0,2 г) и (0,05 г) помещали в две разные лодочки, изготовленные из танталовой ленты, Лодочки подключали к контактам, через которые на испарители подается напряжение. Над испарителями на стеклянном стакане высотой 16 см размещали подложки (полированные стеклянные пластинки) и кварцевый датчик прибора КИТ, с помощью которого определяли толщину иапыляемых слоев Аз 25 з и Ац, Затем проводили откачку до давления остаточн ых газов 6 10 мм рт.ст, После достижения необходимого вакуума проводили напыление пленки Аз 2 Яз. Для...

Номер патента: 1157934

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Пирогова, Потапов, Чернявский

МПК: G01N 15/00, G01N 21/00

Метки: многофазного, порошкового, распределения, структуре, фаз, характера

...фазы (операция произ-.йли 5 /ЧЧ, эти размеры характеризуют структурные объемы, в которых проявляются неоднородность распределения изучаемой фазы - масштабы неоднороднос ти.На фиг.1 приведены графики зависимости А /ЧЧ от размера измерительной системы при анализе характера распределения кобальтовой фазы в структуре образцов трех паррий (2, 3 и ) твердого сплава ВК 15р и м е р. Были изготовлены шлифы исследуемых образцов и под-. 11579316ве; гнуты травлению, обеспечивающему однородное контрактирование участков кобальтовой фазы на изображении. Изображение случайного сеченияструктуры было полуцено в световом микроскопе, входящем в комплект ААИ "Квантимет". После детектирова; ния участков излучаемой Фазы было проведено автоматическое...

Номер патента: 1762350

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лебедь, Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/30, H01P 1/32

Метки: вкладыш, свч-устройств, структуре, термостабильный, ферритовой, эпитаксиальной

...граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил,ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты,На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/306

Метки: металла, микрорисунка, многослойной, полицидом, структуре, тугоплавкого

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...