Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Номер патента: 146282

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь

МПК: C30B 25/08

Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы

...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...

Номер патента: 251864

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Антипенко, Климов, Лавров, Обухов, Рац, Ферапонтов, Черненко, Чикина, Шмаков

МПК: G01K 13/02

Метки: газо, газовой, датчик, движущемся, жидкостном, потоке, температуры, фазы

...камерой, расположен в области ее сужения и до спая термопары, а второй ряд отверстий для отвода газовой фазы расположен после спая термопары.На чертеже схематически показан датчик.В трубе 1, по которой идет газо-жидкостный поток, установлен корпус 2, внутри которого концентрически расположены тонкостенная камера 3 и трубчатый отборник 4. В трубчатом отборнике выполнены отверстия 5 для вы. хода пробы газа, температура которого замеряется микротермопарой со спаем б, расположенным,по ходу газа раньше отверстий 5. Спиральные канавки 7 на внутренней поверхности отборнпка 4 заканчиваются отверстиями 8, имеющими суммарную площадь,не более 20% от площади отверстий 5. Часть камеры 3, расположенная в зоне отверстий 8, вылолнена в виде...

Номер патента: 849928

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, повышения, стабильности, характеристик

...содержание углерода ( МЪ34 10 см) определяет эффективностьперестроек кислороца в % и выэьвает дополнительные реакции в кристалле матрицы, Учитывая, что концентрации примесей 0 и С, а также легируюших примесей (бор, фосфор и др.) в кристаллах кремния превышает предел растворимостив условиях производстм и эксплуатации полупроводниковьк приборов, следует .ожидать неконтролируемых измененийих состояний в кристалле, а следовательно, и неконтролируемых изменений параметров материала и приборов. В частности, изменение концентраций кислородаи углерода приведет к нестабильностипараметров ряда полупроводниковыхприборов на основе кремния. Так, например, будет меняться чувствительностьпримесных инфракрасных фотоприемниковв области 9 и 16,5...

Номер патента: 504185

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Сельцов, Фирсов, Чернов

МПК: G05D 23/19

Метки: газового, потока, температур

...в третью степень и квадратора, выполненного 2 Ь на переменном резисторе, н операционныи усилитель, Выход операционного усилителя подключен к регулятору температуры, Вход операционного усилителя через переменный резистор, подвижный контакт которого с)язан с задатчиком программы соединен с выходом блока возведения сигнала в третью степень, вход которого связан с выходом моста сравнения измерительного блока.В предлагаемом устройстве общий пере даточныйкоэффициент" блока возведения величины сигнала в третью степень и опера- ционного усилителя с квадратором в прямой цепи, формирующих сигнал компенсаци, будет пропорционален напряжению рассоглаВ 1 И 1111 И:М к аз О 1 1 "рв к 1029 11 одццс цое Фиццлл ППП "Патецг", г, Ужгород, ул. Гагариной,...

Номер патента: 366238

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Доронин, Кац

МПК: D21C 11/06, G05D 23/00

Метки: газовой, насадочных, скрубберах, смеси, температуры, теплообменником

...25 лятор с противоположными знаками,Применение устройства позволиткачество регулирования температурсмеси на выходе скруобера путемния длительности и максимальнойзО ской погрешности переходных рувеличения надежности работы в широкомдиапазоне нагрузки скруббера.На чертеже изображена принципиальнаясхема устройства регулирования температуры газовой смеси в насадочных скрубберахс теплообменником.Оно содержит датчик 1 температуры газовой смеси на входе скруббера, выполненныйв виде термопары, датчик 2 расхода газовойсмеси на входе скруббера, датчик 3 температуры газовой смеси на выходе скруббера,датчик 4 температуры воды на выходе теплообменпика, датчик 5 расхода охлаждающей воды, дифманометры 6 и 7, коробку холодных спаев 8 термопар датчиков...