Устройство для определения ориентации полупроводниковых элементов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистимеских РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 13,Х.1971 ( 1704668/26-9)с присоединением заявкиПриоритет М. Кл Н ОГ; т 308 асударственный камитеСовета Министров СССРпа делам изобретенийн открытий УДК 621.396.6,002,(088.8)Опубликовано 22,Ч 1,1973. Бюллетень2Дата опубликования описания 17.Х.1973 Авторыизобретения аник и явитель ТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВпредла следова ложения мер ди Изобретение относится к технологическому оборудованию производства радиодеталей, а именно к системам автоматического контроля и производства модульных полупроводниковых приборов.Известны устройства для определения ориентации полупроводниковых элементов, содержащие последовательно соединенные генератор импульсов, формирователь команд и блок коммутации, контактный узел с размещенными в нем полупроводниковыми элементами и блок контроля.Цель изобретения - упрощение устройства и повышение надежности в работе.Это достигается тем, что в предлагаемом устройстве формирователь команд выполнен в виде последовательно соединенных счетчика импульсов и дешифратора, каждый из выходов которого соединен с контактным узлом и схемой сравнения импульсов. Выходы последней соединены с блоком. контроля.На фиг. 1 изображена блок-схемагаемого устройства; на фиг. 2 - потельность нахождения кужного по полупроводникового элемента, наприодной матрицы.Устройство состоит из генератора 1, счетчика 2 импульсов, дешифратора 8, контактного узла и,проверяемого элемента 4 и схем б совпадения. Генератор 1 представляет собой симметричный мультивибратор. Счетчик 2 импульсовсостоит,из трех триггеров, выходы которыхсоединены с входом дешифратора 3. С дешиф 5 ратора выдается необходимое число импульсов, соответствуБщее количеству опрашиваемых пар контактов ориентируемого полупроводникового элемента 4, которые проходят наодну из схем 5 совпадения непосредственно и10 через проверяемый прибор,При совпадении импульсов, прошедшихчерез, проводящий канал проверяемого полупроводникового элемента на соответствующуюсхему И непосредственно от дешифратора,15 выдается команда о положении полупроводникового элемента. Для пояснения работыустройства на фиг. 2 рассмотрена последовательность нахождения нужного положениявзятой в качестве примера диодной матрицы.20 После того, как измерительная головка законтактирована со всеми рабочими контактами, на соответствующие электроды проверяемого элемента подается разделенное по времени импульсное напряжение в указанной на25 фиг. 2 полярности и последовательности. Почислу прошедших через проверяемую схемуимпульсов судят о требуемом угле поворотаполупроводникового элемента. В рассматриваемом случае для нахождения требуемого30 угла поворота необходимо с дешифратора поактор Е. Караулова ПодписиСР Тираж 755 комитета Совета Министро бретений и открытий Раушская наб., д. 4/5 Изд.1697Государственного по делам из Москва, Ж,Заказ 2759/12ЦНИИ Типография, пр, Сапунов дать два иипульса, что соответствует 90 поворота полупроводникового элемента. Предмет изобретенияУстройство для определения ориентации полупроводниковых элементов, содержащее последовательно соединенные генератор импульсов, формирователь команд и блок коммутации, контактный узел с размещенным в нем полупроводниковым элементом и блок контроля, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения надежности его работы, формирователь команд выполнен 5 в виде последовательно соединенных счетчикаимпульсов и дешифратора, каждый из выходов которого соединен с контактным узлом и со схемой сравнения импульсов, выходы которой соединены с блоком контроля.
СмотретьЗаявка
1704668
Ю. С. Баранин, В. С. Катин
МПК / Метки
МПК: H05K 13/08
Метки: ориентации, полупроводниковых, элементов
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-388377-ustrojjstvo-dlya-opredeleniya-orientacii-poluprovodnikovykh-ehlementov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для определения ориентации полупроводниковых элементов</a>
Полупроводниковый блок
Номер патента: 1675970
Опубликовано: 07.09.1991
Авторы: Ермилов, Матусов, Мещеряков
МПК: H01L 25/03
Метки: блок, полупроводниковый
...комбинат "Патент", г. Ужгород, ул Гагарина, 101 Изобретение относится к электротехнике, а именно к силовой преобразовательнойтехнике.Цель изобретения - уменьшение индуктивности и габаритов полупроводникового 5блока.На чертеже изображен полупроводниковый блок, общий вид,Полупроводниковый блок состоит из цепочки последовательно соединенных таблеточных полупроводниковых диодов 1,расположенных вдоль оси металлическогоцилиндрического корпуса 2. Каждый из вентилей расположен между медными вкладышами 3, осуществляющими токоподвод и 15охлаждение, Цепочка вентилей одним концом через медный вкладыш упирается в днокорпуса.Другой конец цепочки вентилей упирается в изолирующую шайбу 4 зажимного 20устройства, механически соединенного через...
Полупроводниковый блок
Номер патента: 1414235
Опубликовано: 07.09.1990
Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов
МПК: H01L 23/36
Метки: блок, полупроводниковый
...3. Если толщина теплопроводннка 4 будет менее двух длин кристалла 2, а площадь не будет превышать н сто раз площадь кристалла 2 полупроводникового прибора 1, то при импульсном характере сигналатепло не будет успевать развертываться и транспортироваться на радиатор 3, что приведет к перегреву и выходу из строя кристалла 2 полупроводникового прибора 1.П р и м е р 1. В усилителе КЗВПЗО устанавливают полупроводниковый блок с транзистором КТ 808, Кристалл имеет размеры 5 х 5 х 0,7 мм и установлен в корпусе типа ТО. Толщина металлического корпуса транзистора в районе кристалла 1,2 мм. При импульсном режиме этого недостаточно для расширения теплового потока, поэтому изоляция между корпусом транзистора и радиатором встречает плотный...
Полупроводниковый блок
Номер патента: 1737568
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Белкин, Дель, Клименков, Марон
МПК: H01L 25/00
Метки: блок, полупроводниковый
...надежность работы пре-образовательных устройств обусловлена тем, что в конструкции блока отсутствуют.распределители импульсовуправления тиристорами, которые размещаются на значительном расстоя"нии от блока. Все это делает блок непомехоэащищенным, снижая надежностьего работы и всей преобразовательной 20 системы в целом. Кроме того, усложняется монтаж блока.Целью изобретения является расширение эксплуатационных возможностей и снижение массогабаритных под каэателей. Цель достигается тем, что в полурроводниковом блоке, содержащем параллельные тиристорный и диодный столбы, расположенные по крайней мерена одном общем охладителе, выполняющем Функции токопровода, при этом тиристорный столб выполнен в виде це.почки таблеточных...
Полупроводниковый блок
Номер патента: 1191991
Опубликовано: 15.11.1985
Авторы: Белкин, Иванов, Попов, Шуляк
МПК: H01L 25/02
Метки: блок, полупроводниковый
...крайние из которых снабжены изолирующими элементами 6 и с помощью поперечины 4 и шпилек 7 с гайками 8 прижаты к основанию 5, фиксирующие плстины 10, количество которых равно числу охладителей 1, с центрирующим отверстием 11, диаметр которого равен диаметру катодной прижимной пластины таблеточного тиристора 9, проходными отверстиями 12 для шпилек 7 и отверстиями 13 для крепления с охладителем 1. При этом фиксирующие пластины 10 жестко закреплены с охладителями 1 так, что каждый тиристор 9 катодной прижимной пластиной входит в центрирующее отверстие 11.При проектировании и создании мощных тиристорных преобразователей частоты для электротехнологии возникает необходимость последовательного соединения нескольких однотипных тиристоров для...
Силовой полупроводниковый блок
Номер патента: 1267515
Опубликовано: 30.10.1986
Авторы: Каликанов, Родионова, Туник, Фомин
МПК: H01L 23/24, H05K 7/20
Метки: блок, полупроводниковый, силовой
...6, верхнего 7 и нижнего 8 входов.Полупроводниковые приборы, находящиеся в одном ряду, уетановлены с помощью крепежных втулок 9 таким образом, чтобы между соседними оребренными радиаторами оставался зазор 10, достаточный для доступа жидкого теплоносителя из нижней части канала к оребренным теплоотнодящим элементам но всех вертикальных рядах. 35Силовой полупроводниковый блок работает следующим образом.Тепло, выделяемое силовыми полупроводниковыми приборами 3, вызывает кипение промежуточного теплоносителя 2 на оребренных поверхностях радиаторов 4, Парожидкостная фаза теплоносителя, образовавшаяся при кипении, отводится от каждого двухстороннего радиатора из канала 1 во внешний объем 5 теплоносителя с помощью пароотводящих патрубков...
Предыдущий патент: Устройство для жидкостного охлаждения элементов радиоаппаратуры
Следующий патент: Гербицид
Случайный патент: Амортизатор