Способ получения монокристаллов на основе иттрий алюминиевого граната

Описание

Способ получения монокристаллов на основе иттрий-алюминиевого граната, включающий выращивание вертикальной направленной кристаллизацией расплава с легирующей добавкой в молибденовом контейнере в атмосфере смеси аргона с водородом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода оптически однородных монокристаллов, пригодных для использования в качестве пассивных лазерных затворов с высокой апертурой, в качестве легирующей добавки берут хром с концентрацией не более 6 1020 см-3 с магнием или кальцием с концентрацией не более 4 1020 см-3, а после выращивания их отжигают при 1000 - 1200oC в течение 20 - 55 ч.

Заявка

4499483/26, 31.10.1988

Киселева Т. И, Крутова Л. И, Пензина Э. Э, Письменный В. А, Попов Л. Г, Сандуленко В. А

МПК / Метки

МПК: C30B 11/02, C30B 29/28

Метки: алюминиевого, граната, иттрий, монокристаллов, основе

Опубликовано: 27.03.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1595023-sposob-polucheniya-monokristallov-na-osnove-ittrijj-alyuminievogo-granata.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов на основе иттрий алюминиевого граната</a>

Похожие патенты